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公开(公告)号：CN104347087A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410363017.3
申请日：2014-07-28
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65
Abstract: 一种磁记录介质及磁存储装置。一种磁记录介质，其特征在于，具有：基板；多个衬底层，其形成在所述基板上；以及磁性层，其以具有L10结构的合金为主成分，所述多个衬底层至少包括第一衬底层，其含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，并且含有选自W、Mo的一种以上的元素，以及第二衬底层，其含有MgO，所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层。
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公开(公告)号：CN104282318A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410312115.4
申请日：2014-07-02
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/314 , G11B5/65 , G11B5/653 , G11B5/656 , G11B5/7325 , G11B5/82 , G11B20/10 , G11B2005/0021 , G11B2005/0024 , G11B2020/10898
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质和磁存储装置。该磁记录介质具有：基板；磁性层，包含具有L10结构的合金；及多个底层，配置在所述基板和所述磁性层之间。其中，所述多个底层中的至少1层为软磁性底层，该软磁性底层由(11·0)面被排列为与所述基板面平行的、具有以Co金属或Co为主成分的密排六方结构的合金所构成。
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公开(公告)号：CN102646421B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210034081.8
申请日：2012-02-15
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65 , G11B2005/0021
Abstract: 一种热辅助磁记录介质，包含：基板；形成于该基板上的多个基底层；和以具有L10结构的合金为主成分的磁性层，其特征在于，该基底层的至少一个含有MnO。含MnO基底层优选形成于由Cr构成的、或者以Cr为主成分并含有Ti、V、Mo、W、Mn、Ru之中的至少1种的具有BCC结构的基底层之上。所述热辅助磁记录介质具有磁性层有良好的有序度和(001)取向、Hc高、并且Hc分布较窄的特性。
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公开(公告)号：CN115331704A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210479550.0
申请日：2022-05-05
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供能够在磁记录层的表层及其附近包含具有微细的结晶粒径的磁性粒子的磁记录介质。本发明涉及的磁记录介质具备基板以及包含具有L10结构的磁性粒子的磁记录层，上述磁记录层进行(001)取向，上述磁记录层的生长面具有(001)面、(111)面及其等效面，上述生长面中的(111)面及其等效面的面积比率(((111)面+(111)等效面)/((001)面+(111)面+(111)等效面)))为0.2～0.7。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110660414B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910560274.9
申请日：2019-06-26
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种热辅助磁记录介质，其具有基板、底层、及进行了(001)取向的磁性层，其中，所述磁性层中，从所述底层侧依次对第1磁性层和第2磁性层进行了层叠，所述第1磁性层和所述第2磁性层包含具有L10结构的合金，所述第2磁性层在磁性颗粒的晶界部位包含铁氧体，所述铁氧体为从由NiFe2O4、MgFe2O4、MnFe2O4、CuFe2O4、ZnFe2O3、CoFe2O4、BaFe2O4、SrFe2O4、及Fe3O4组成的组中选出的一种以上，所述磁性颗粒的居里温度低于所述铁氧体的居里温度。
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公开(公告)号：CN111798876A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010269127.9
申请日：2020-04-08
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种矫磁力以及构成磁性层的磁性粒子的磁晶各向异性高的磁记录介质。磁记录介质(100)包括依序设置的基板(1)、衬底层(2)及磁性层(3)，磁性层(3)包括具有L10结构的磁性粒子以及含晶界部的颗粒结构，且晶界部的体积分数在25体积％～50体积％的范围内。磁性粒子相对于基板(1)具有c轴取向。晶界部包含晶格常数在0.30nm～0.36nm范围内，或0.60nm～0.72nm范围内的物质。
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公开(公告)号：CN110634509A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910505522.X
申请日：2019-06-12
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种热辅助磁记录介质，具有：基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层。其中，所述底层从所述基板侧开始依次包括：包含具有b c c结构的物质的b c c底层、与所述b c c底层接触的第一氧化物层、及与所述磁性层接触的第二氧化物层。所述第一氧化物层和所述第二氧化物层包含氧化镁。所述第二氧化物层还包含从由氧化钒、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物。
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公开(公告)号：CN104347086B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201410351809.9
申请日：2014-07-23
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/65 , G11B5/7325 , G11B2005/0021
Abstract: 提供一种可降低被包含在磁性层中且具有L10结构的合金晶粒的有序度，且可提高SN比的磁记录介质。该磁记录介质，具有：基板、形成在该基板上的多个底层、及将具有L10结构的合金作为主要成份磁性层；所述多个底层中的至少1层为含有Mo的结晶质底层；该含有Mo的结晶质底层将Mo作为主要成份，且含有1mol％～20mol％范围的从Si、C选择的一种以上的元素、或者1vol％～50vol％范围的氧化物；该含有Mo的底层和该磁性层之间形成有具有NaCl型结构的障碍层。
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公开(公告)号：CN104303232B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201380022551.1
申请日：2013-04-30
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/738 , G11B5/09 , G11B5/4866 , G11B5/6088 , G11B5/65 , G11B5/7325 , G11B5/82 , G11B2005/0021
Abstract: 使用一种热辅助磁记录介质(1)，该磁记录介质具备：基板(101)；在基板(101)上形成的基底层(3)；和在基底层(3)的正上方形成的以具有L10结构的合金为主成分的磁性层(107)，基底层(3)是以下的层连续地层叠而成的：第1基底层(104)，其具有晶格常数为0.302nm以上0.332nm以下的BCC结构；第2基底层(105)，其含有C且具有NaCl结构；和第3基底层(106)，其由MgO形成。
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