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公开(公告)号：CN101836255A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200880113188.3
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，其是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，所述取向控制层由从所述基板侧起包含种子层、第1中间层和第2中间层的3层以上构成，构成所述第1中间层的晶粒分别外延生长于构成所述种子层的晶粒上，构成所述第2中间层的晶粒分别外延生长于构成所述第1中间层的晶粒上，并且，构成所述第2中间层的晶粒与构成所述第1中间层的晶粒相比已微细化。
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公开(公告)号：CN101816042A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200880110178.4
申请日：2008-10-02
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 佐佐木有三
CPC classification number: G11B5/66
Abstract: 本发明涉及一种垂直磁记录介质，它是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层、保护层的垂直磁记录介质，其特征在于，磁记录层由3层以上构成，从基板侧起包含第一磁记录层、第二磁记录层、第三磁记录层，在第二磁记录层和第三磁记录层之间包含降低两层的交换耦合的交换耦合降低层，各磁记录层的晶体磁各向异性能量Ku是第一磁记录层为4×106erg/cc以上、第二磁记录层为2×106erg/cc以下、第三磁记录层为1×106erg/cc以下。而且，本发明还涉及使用了该垂直磁记录介质的磁记录再生装置。
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公开(公告)号：CN101809659A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880109319.0
申请日：2008-09-30
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 佐佐木有三
Abstract: 本发明涉及一种垂直磁记录介质，它是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，其特征在于，磁记录层由两层以上构成，从所述非磁性基板侧起包含第一磁记录层和第二磁记录层，关于各磁记录层的晶体磁各向异性能量Ku，第一磁记录层为4×106erg/cc以上，第二磁记录层为2×106erg/cc以下。第一磁记录层由CoCrPtRu磁性合金晶粒和氧化物形成的晶界部构成，在第一磁记录层的平面TEM观察中，晶界部面积为全体的30％以上。另外，本发明还涉及使用了该垂直磁记录介质的磁记录再生装置。
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公开(公告)号：CN101785052A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880104378.9
申请日：2008-08-25
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供兼备磁性晶粒的粒径微细化和高密度化，并且即使减薄中间层～种子层的非磁性层的膜厚也能够保持磁记录层的垂直取向性从而能够进行高密度的信息记录再生的磁记录介质、其制造方法以及磁记录再生装置。所述的磁记录介质是在非磁性基板上至少具有衬里层和取向控制层、磁记录层、保护层的垂直磁记录介质，取向控制层由多层构成，包括从基板侧起的种子层和中间层，作为种子层和中间层的材料，选用中间层材料相对于非晶的种子层材料的接触角在10度～100度的范围的材料。
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公开(公告)号：CN101627429A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200880007478.X
申请日：2008-02-19
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , Y10T428/11
Abstract: 本发明提供通过兼备垂直磁记录层的粒径微细化和垂直取向性而可进行高密度信息记录再现的磁记录介质、其制造方法以及磁记录再现装置。这样的垂直磁记录介质，是在非磁性基板上至少依次含有衬里层、基底层、中间层和垂直磁记录层的垂直磁记录介质，其中，所述基底层为fcc结构的(111)结晶取向层，所述中间层依次包含bcc结构的(110)结晶取向层和hcp结构的(002)结晶取向层。另外，所述bcc结构的(110)结晶取向层含有60原子％以上的Cr。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105340066B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201480035167.X
申请日：2014-06-17
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 佐佐木有三
CPC classification number: H01L21/0475 , B24B37/08 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02013 , H01L21/02024 , H01L21/30625
Abstract: 一种SiC基板的制造方法，至少具备CMP工序，所述CMP工序是采用CMP(机械化学研磨)法，对SiC基板(1)所具备的Si面(1a)和C面(1b)这两面，将C面/Si面加工选择比设为3.0以上来实施两面研磨加工的工序。
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公开(公告)号：CN104838478A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201380064310.3
申请日：2013-11-27
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02019 , H01L21/02013 , H01L21/02024 , H01L29/1608
Abstract: 本发明的SiC基板的制造方法，至少具备：氧化膜形成工序，该工序以覆盖SiC基板(1)的表面(1a)的方式形成氧化膜(10)；和平坦化工序，该工序通过采用CMP法从氧化膜(10)侧对SiC基板(1)实施研磨来除去该氧化膜(10)，并且，通过研磨SiC基板(1)的表面(1a)来将该表面(1a)平坦化。
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公开(公告)号：CN101809659B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN200880109319.0
申请日：2008-09-30
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 佐佐木有三
Abstract: 本发明涉及一种垂直磁记录介质，它是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，其特征在于，磁记录层由两层以上构成，从所述非磁性基板侧起包含第一磁记录层和第二磁记录层，关于各磁记录层的晶体磁各向异性能量Ku，第一磁记录层为4×106erg/cc以上，第二磁记录层为2×106erg/cc以下。第一磁记录层由CoCrPtRu磁性合金晶粒和氧化物形成的晶界部构成，在第一磁记录层的平面TEM观察中，晶界部面积为全体的30％以上。另外，本发明还涉及使用了该垂直磁记录介质的磁记录再生装置。
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公开(公告)号：CN102473420A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080036321.7
申请日：2010-08-19
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/6088 , G11B5/656 , G11B5/82 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录介质和使用了所述热辅助磁记录介质的磁存储装置，本发明的热辅助磁记录介质具有：基板(1)；形成于基板(1)上的基底层；和形成于该基底层上的以具有L10结构的FePt合金或具有L10结构的CoPt合金为主成分的磁性层(5)，其中，该基底层由第1基底层(2)、第2基底层(3)和第3基底层(4)构成，所述第1基底层由非晶合金构成，所述第2基底层由以Cr为主成分、并且含有Ti、Mo、W、V、Mn、Ru之中的至少1种元素的BCC结构的合金构成，所述第3基底层由MgO构成。
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公开(公告)号：CN101836255B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200880113188.3
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，其是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，所述取向控制层由从所述基板侧起包含种子层、第1中间层和第2中间层的3层以上构成，构成所述第1中间层的晶粒分别外延生长于构成所述种子层的晶粒上，构成所述第2中间层的晶粒分别外延生长于构成所述第1中间层的晶粒上，并且，构成所述第2中间层的晶粒与构成所述第1中间层的晶粒相比已微细化。
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