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公开(公告)号：CN1407949A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN01801231.0
申请日：2001-05-11
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C01B21/083
CPC classification number: C01B7/191 , C01B21/0835 , C01C1/162
Abstract: 在稀释气体存在下使F2气体与NH3气体在气相中于80℃或更低的温度下反应，以生产NF3。因此，以良好的安全性、效率和效益生产出NF3。
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公开(公告)号：CN1035761C
公开(公告)日：1997-09-03
申请号：CN92112813.4
申请日：1992-10-17
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C19/08 , C07C17/395 , C07C17/38
CPC classification number: C07C17/395 , C07C19/08
Abstract: 在三氯乙烯与氟化氢反应制1，1，1，2-四氟乙烷的过程中，粗1，1，1，2-四氟乙烷经如下几个步骤高度提纯：对粗1，1，1，2-四氟乙烷进行初步提纯除去氯化氢至浓度不高于2%，将经过初步提纯的，含有一种或多种不饱和杂质及至少与不饱和杂质量等摩尔的氟化氢的1，1，1，2-四氟乙烷在汽相中与氟化反应催化剂接触，从而降低不饱和杂质的含量。
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公开(公告)号：CN1034327C
公开(公告)日：1997-03-26
申请号：CN93106509.7
申请日：1993-05-29
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C19/08 , C07C17/20 , C07C17/087
CPC classification number: C07C19/08 , C07C17/206 , C07C17/21 , C07C17/38 , C07C17/383 , C07C19/12
Abstract: 本专利公开了通过三氯乙烯与HF反应生产1，1，1，2-四氟乙烷的方法，该方法可以简化并提高生产1，1，1，2-四氟乙烷的设备和能效率。
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公开(公告)号：CN1082019A
公开(公告)日：1994-02-16
申请号：CN93106509.7
申请日：1993-05-29
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07C19/08 , C07C17/206 , C07C17/21 , C07C17/38 , C07C17/383 , C07C19/12
Abstract: 本发明公开了通过三氯乙烯与HF反应生产1，1，1，2-四氟乙烷的方法。该方法可以简化并提高生产1，1，1，2-四氟乙烷的设备和效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102203104B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN200980143306.X
申请日：2009-10-30
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07F7/045 , C01B33/00 , C01B33/04 , C01B33/043
Abstract: 本发明涉及使通式(1)所示的烷氧基硅烷在包含碱金属氟化物的催化剂和催化剂活化剂的存在下、在气相中进行歧化反应的甲硅烷和四烷氧基硅烷的制造方法，HnSi(OR)4-n (1)(式中，R表示碳原子数1～6的烷基，n是1～3的整数。)。根据本发明的制造方法，通过液相中的烷氧基硅烷的歧化反应来制造甲硅烷和四烷氧基硅烷的方法，可以解决与溶剂难以分离的问题和由于反应非常慢而不适合工业制造的问题。
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公开(公告)号：CN102666554A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080053035.1
申请日：2010-11-24
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07F7/025 , B01J21/063 , B01J23/28 , B01J23/30 , B01J27/16 , B01J27/1806 , B01J27/188 , B01J27/19 , B01J35/08 , B01J35/1014 , B01J37/0201 , B01J37/0238 , B01J37/031 , B01J37/033 , C01B33/04 , C01B33/043 , C01B33/046 , C07F7/045
Abstract: 本发明涉及在具有基于无机磷酸盐或杂多酸盐结构的特定化学结构的催化剂的存在下，使通式(1)HnSi(OR)4－n(1)(式中，R表示碳原子数1～6的烷基，n为1～3的整数)所示的烷氧基硅烷在气相中进行歧化反应的甲硅烷和四烷氧基硅烷的制造方法。本发明的制造方法，与溶剂的分离容易，反应快，原料物质的转化率高。
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公开(公告)号：CN102596867A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080045917.3
申请日：2010-10-26
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/38 , C01B31/00 , C07C17/383 , C07C19/08
CPC classification number: C07C17/383 , C01B7/20 , C07C17/386 , C07C19/08
Abstract: 本发明的课题是提供可以从包含氯化氢的含氟化合物(粗含氟化合物)中有效地分离除去氯化氢来获得高纯度的含氟化合物的含氟化合物的纯化方法。作为解决课题的方法是，本发明的含氟化合物的纯化方法的特征在于，依次包含下述工序(1)和工序(2)：工序(1)，在包含含氟化合物和氯化氢的粗含氟化合物中按照二甲醚与氯化氢的摩尔比(二甲醚(摩尔)/氯化氢(摩尔))为1.3以上的方式添加二甲醚，调制粗含氟化合物-二甲醚混合物(1)；工序(2)，从上述混合物(1)中分离除去氯化氢-二甲醚混合物(2)。
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公开(公告)号：CN101432253B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200780014929.8
申请日：2007-04-25
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/23 , C07C17/383 , C07C21/20
CPC classification number: C07C21/20 , C07C17/02 , C07C17/04 , C07C17/10 , C07C17/23 , C07C17/25 , C07C17/358 , C07C17/383 , C07C21/09 , C07C19/01 , C07C19/10 , C07C21/21
Abstract: 本发明提供可以作为半导体用途的微细加工用蚀刻气体使用的六氟-1，3-丁二烯的安全、廉价、且经济的工业制造方法。本发明所涉及的六氟-1，3-丁二烯的制造方法的特征在于，包括(1)在稀释气体存在下，在气相中使碳原子数为4的化合物与氟气反应，从而得到含有生成物(A)的混合物的工序，所述碳原子数为4的化合物中每个碳原子上含有一个选自溴原子、碘原子和氯原子中的原子，和(2)在溶剂存在下，将工序(1)中得到的生成物(A)用金属使除了氟原子之外的卤素脱离，从而得到含有六氟-1，3-丁二烯的混合物的工序。
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公开(公告)号：CN1826305B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200480021358.7
申请日：2004-07-23
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/38 , C07C19/08 , C07C17/383
CPC classification number: C07C17/38
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够有效生产可以用作半导体的蚀刻气体的高纯度HFC-41的方法。本发明提纯氟代甲烷的方法包括蒸馏含有氟代甲烷和氯化氢的混合物以从蒸馏塔顶部蒸出氟代甲烷并从蒸馏塔底部得到氟代甲烷和氯化氢的共沸混合物。
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