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公开(公告)号：CN102725793A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201180007083.1
申请日：2011-01-24
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/314 , G11B5/6088 , G11B5/65 , G11B5/82 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明具有在基板（101）上依次层叠有第1磁性层（106）和第2磁性层（107）的结构，第1磁性层（106）具有粒状结构，该粒状结构包含：具有L10结构的FePt合金、具有L10结构的CoPt合金或者具有L11结构的CoPt合金的任一种的晶粒；和SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO、MgO、C之中的至少一种以上的晶界偏析材料，并且，第1磁性层（106）中的晶界偏析材料的含有率从基板（101）侧朝向第2磁性层（107）侧减少。
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公开(公告)号：CN101796580A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200880105393.5
申请日：2008-09-04
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 桥本笃志
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325 , Y10T428/1171
Abstract: 本发明的一个目标是，提供一种方法，能够容易地提供一种低成本的、容易设计的ECC型磁记录介质，并且本发明提供一种垂直磁记录介质，其中至少包括在非磁性基底上沉积的软磁性衬背层、衬层、中间层、垂直磁记录层，其中，所述垂直磁记录层包括至少有一层的主记录层和至少有一层的辅助记录层，所述主记录层包括具有垂直磁各向异性的层，所述辅助记录层是多层，包括三层或更多层交替形成的软磁性层和非磁性层，并且与所述非磁性基底相接触的最外的一层是所述软磁性层。
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公开(公告)号：CN110648693B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201910552861.3
申请日：2019-06-25
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录介质和磁存储装置，热辅助磁记录介质依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，其中，所述底层包括第一底层，所述第一底层包含氧化镁和从由氧化钒、氧化锌、氧化锡、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物，所述化合物的总含量位于45mol％～70mol％的范围内。
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公开(公告)号：CN103534757B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280023252.5
申请日：2012-05-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 桥本笃志
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/732 , Y10T156/10
Abstract: 本发明提供一种维持垂直磁性层的高的垂直取向性，并能够实现更高记录密度化的磁记录介质。本发明的磁记录介质，至少在非磁性基板之上按顺序层叠有软磁性基底层（30）、种子层（31、32）、取向控制层（33）和垂直磁性层。软磁性基底层（30）具有非晶或微晶结构。种子层（31、32）包含第1种子层（31）和在其上以岛状或网状形成的第2种子层（32），所述第1种子层（31）包含金属氧化物或金属氮化物，所述第2种子层（32）包含金属。取向控制层（33）以及垂直磁性层中，以第2种子层（32）为起点，各自的晶粒构成了在厚度方向连续的柱状晶。
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公开(公告)号：CN102270459B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201110140669.7
申请日：2011-05-26
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 磁记录介质和磁记录再生装置。本发明提供一种磁记录介质，是通过溅射工序在基板上形成了至少1个具有粒状结构的磁性层的磁记录介质，其特征在于，所述至少1个具有粒状结构的磁性层由包含Co合金的多个磁性粒子和将所述多个磁性粒子分离开的氧化物构成，并且，所述至少1个具有粒状结构的磁性层是通过使用了包含氧化钴且不包含金属Cr和Cr合金的任一者的靶材的溅射而形成的。上述具有粒状结构的磁性层的磁性粒子的平均粒径通常为6nm以下，磁性粒子的平均粒子间隔通常为1.5nm以上。具有由这样被微细化并且扩大了粒子间隔的磁性粒子形成的粒状磁性层的磁记录介质，能够应对高于现有程度的高记录密度化，且电磁转换特性优异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103226954A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310032007.7
申请日：2013-01-28
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65
Abstract: 本发明的热辅助磁记录介质，具备：基板、在基板上形成的基底层、和在基底层上形成的磁性层，磁性层含有具有L10结构的合金作为主成分，基底层由下述层构成：第1基底层，该第1基底层由非晶合金或具有微晶结构的合金构成；第2基底层，该第2基底层由Cr或以Cr为主成分的具有BCC结构的合金构成；第3基底层，该第3基底层由具有晶格常数为2.98埃以上的BCC结构的金属或合金构成；和第4基底层，该第4基底层由MgO构成。
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公开(公告)号：CN102473420A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080036321.7
申请日：2010-08-19
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/6088 , G11B5/656 , G11B5/82 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录介质和使用了所述热辅助磁记录介质的磁存储装置，本发明的热辅助磁记录介质具有：基板(1)；形成于基板(1)上的基底层；和形成于该基底层上的以具有L10结构的FePt合金或具有L10结构的CoPt合金为主成分的磁性层(5)，其中，该基底层由第1基底层(2)、第2基底层(3)和第3基底层(4)构成，所述第1基底层由非晶合金构成，所述第2基底层由以Cr为主成分、并且含有Ti、Mo、W、V、Mn、Ru之中的至少1种元素的BCC结构的合金构成，所述第3基底层由MgO构成。
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公开(公告)号：CN102270459A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110140669.7
申请日：2011-05-26
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 磁记录介质和磁记录再生装置。本发明提供一种磁记录介质，是通过溅射工序在基板上形成了至少1个具有粒状结构的磁性层的磁记录介质，其特征在于，所述至少1个具有粒状结构的磁性层由包含Co合金的多个磁性粒子和将所述多个磁性粒子分离开的氧化物构成，并且，所述至少1个具有粒状结构的磁性层是通过使用了包含氧化钴且不包含金属Cr和Cr合金的任一者的靶材的溅射而形成的。上述具有粒状结构的磁性层的磁性粒子的平均粒径通常为6nm以下，磁性粒子的平均粒子间隔通常为1.5nm以上。具有由这样被微细化并且扩大了粒子间隔的磁性粒子形成的粒状磁性层的磁记录介质，能够应对高于现有程度的高记录密度化，且电磁转换特性优异。
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公开(公告)号：CN101836255B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200880113188.3
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，其是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，所述取向控制层由从所述基板侧起包含种子层、第1中间层和第2中间层的3层以上构成，构成所述第1中间层的晶粒分别外延生长于构成所述种子层的晶粒上，构成所述第2中间层的晶粒分别外延生长于构成所述第1中间层的晶粒上，并且，构成所述第2中间层的晶粒与构成所述第1中间层的晶粒相比已微细化。
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公开(公告)号：CN102737653B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210086440.4
申请日：2012-03-28
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , C23C14/0036 , C23C14/0042 , C23C14/165 , C30B23/002 , C30B23/025 , C30B29/52 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供一种维持垂直磁性层的高的垂直取向性，能够进行进一步的高记录密度化的磁记录介质的制造方法。所述磁记录介质的制造方法是在非磁性基板之上至少层叠软磁性基底层、控制紧上方的层的取向性的取向控制层(11)、易磁化轴相对于非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性层而成的磁记录介质的制造方法，其中，在以由2层以上的磁性层构成上述垂直磁性层，且构成各磁性层的结晶粒子与构成取向控制层(11)的结晶粒子一同形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式使各层结晶生长时，由CoCr合金形成取向控制层(11)，通过采用在溅射气体中混合了氮气的反应溅射形成该取向控制层(11)而使CoCr合金中掺杂3～15原子％的范围的氮。
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