有机杂化平面纳米晶块体异质结

    公开(公告)号:CN101652876B8

    公开(公告)日:2011-12-28

    申请号:CN200780050192.5

    申请日:2007-11-13

    Abstract: 一种具有改善的杂化平面块体异质结的光敏光电子器件,包括布置在阳极(120)和阴极(170)之间的多种光电导材料(950)。光电导材料(950)包括施体材料的第一连续层(152)和受体材料的第二连续层(154)。施体材料的第一网络(953c)从第一连续层(152)朝向第二连续层(154)延伸,提供了将空穴传导到第一连续层(152)的连续路径。受体材料的第二网络(953b)从第二连续层(154)朝向第一连续层(152)延伸,提供了将电子传导到第二连续层(154)的连续路径。第一网络(953c)和第二网络(953b)相互交错。至少一种其他光电导材料(953a、953d)散布在交错的网络之间。该其他的光电导材料(953a、953d)具有与施体和受体材料不同的吸收光谱。

    有机光敏器件的较大异质结界面面积的受控生长

    公开(公告)号:CN101548407B

    公开(公告)日:2011-01-19

    申请号:CN200780032808.6

    申请日:2007-07-10

    Abstract: 一种光电器件和制造光敏光电器件的方法,包括:将第一有机半导体材料淀积在第一电极上,以形成具有突起的连续的第一层,与第一电极相对立的第一层的一侧具有比下面的横向横截面面积大至少三倍的表面面积;将第二有机半导体材料直接淀积在第一层上以形成不连续的第二层,部分第一层保持暴露;将第三有机半导体材料直接淀积在第二层上以形成不连续的第三层,至少部分第二层保持暴露;将第四有机半导体材料淀积在第三层上以形成连续的第四层,填充第一、第二和第三层中任何暴露的间隙和凹处;以及在第四层上淀积第二电极,其中第一电极和第二电极中的至少一个是透明的,并且第一和第三有机半导体材料相对于是施主类型或受主类型的第二和第四有机半导体材料是另一材料类型。

    有机杂化平面纳米晶块体异质结

    公开(公告)号:CN101652876B

    公开(公告)日:2011-08-03

    申请号:CN200780050192.5

    申请日:2007-11-13

    Abstract: 一种具有改善的杂化平面块体异质结的光敏光电子器件,包括布置在阳极(120)和阴极(170)之间的多种光电导材料(950)。光电导材料(950)包括施体材料的第一连续层(152)和受体材料的第二连续层(154)。施体材料的第一网络(953c)从第一连续层(152)朝向第二连续层(154)延伸,提供了将空穴传导到第一连续层(152)的连续路径。受体材料的第二网络(953b)从第二连续层(154)朝向第一连续层(152)延伸,提供了将电子传导到第二连续层(154)的连续路径。第一网络(953c)和第二网络(953b)相互交错。至少一种其他光电导材料(953a、953d)散布在交错的网络之间。该其他的光电导材料(953a、953d)具有与施体和受体材料不同的吸收光谱。

    低电阻薄膜有机太阳能电池电极

    公开(公告)号:CN101390229A

    公开(公告)日:2009-03-18

    申请号:CN200680037739.3

    申请日:2006-08-02

    Abstract: 一种降低光敏性装置的串联电阻的方法,包括:提供布置在透明基底上的第一导电材料的透明膜;在第一导电材料上沉积并图案化掩模,使得在掩模中的开孔具有其狭窄部分靠近基底的倾斜侧面;将第二导电材料直接沉积到在掩模的开孔中暴露的第一导电材料上,至少部分地填充开孔;剥去掩模,留下由在掩模开孔中的沉积物形成的第二导电材料的凹入结构;剥去掩模之后,将第一有机材料沉积到凹入结构之间的第一导电材料上;和在凹入结构之间沉积的第一有机材料上定向地沉积第三导电材料,凹入结构的边缘对齐沉积,从而第三导电材料不直接接触第一导电材料且不直接接触第二导电材料。

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