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公开(公告)号：CN102084504A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980100931.6
申请日：2009-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L33/025 , H01L33/12 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体发光元件，其具有氮化物类半导体叠层结构(50)，氮化物类半导体叠层结构(50)包括：含有AlaInbGacN结晶层，其中：a+b+c＝1，a≥0，b≥0，c≥0的活性层(32)；AldGaeN溢出抑制层(36)，其中：d+e＝1，d＞0，e≥0；以及AlfGagN层(38)其中：f+g＝1，f≥0，g≥0，f＜d，AldGaeN溢出抑制层(36)设置在活性层(32)与AlfGagN层(38)之间，AldGaeN溢出抑制层(36)包括层(35)，该层(35)含有浓度为1×1016atms/cm3以上且1×1019atms/cm3以下的In。
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公开(公告)号：CN103402553A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280010048.X
申请日：2012-02-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: F24F3/166 , A61L2/14 , A61L9/22 , F24F2003/1635 , F24F2003/1682 , Y02A50/21
Abstract: 本发明的活性种产生单元具备：平板形状的绝缘性基板;被与绝缘性基板隔着规定距离配置的放电电极;对绝缘性基板的表面进行覆盖，并且对绝缘性基板近傍的水分进行吸附的吸附部;被设置为与吸附部相接的对置电极;和对放电电极和对置电极施加电压的电源。
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公开(公告)号：CN101971364B
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN200980101726.1
申请日：2009-06-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , H01L29/2003 , H01L33/0095 , H01L33/16 , H01L33/30 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体元件及其制造方法。氮化物类半导体发光元件(100)具备：以m面(12)作为表面的GaN类基板(10)、在GaN类基板(10)的m面(12)之上形成的半导体层叠构造(20)、和在半导体层叠构造(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Mg层(32)，Mg层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
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公开(公告)号：CN102754226A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180008915.1
申请日：2011-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/40
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法，该氮化物系半导体元件具备生长面为m面的p型AldGaeN层(25)、在p型AldGaeN层(25)上设置的电极(30)，AldGaeN层(25)具有由厚度26nm以上60nm以下的AlxGayInzN(x+y+z＝1，x≥0，y＞0，z≥0)半导体形成的p-AldGaeN接触层(26)，p-AldGaeN接触层(26)具有含有4×1019cm-3以上2×1020cm-3以下的Mg的主体区域(26A)、和与电极(30)相接并具有1×1021cm-3以上的Mg浓度的高浓度区域(26B)。
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公开(公告)号：CN102511085A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201080041041.5
申请日：2010-12-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/16 , H01L33/40 , H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2924/181 , Y10T436/112499 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。本发明的氮化物系半导体元件具备：氮化物系半导体层叠结构(20)，其具有表面(12)从m面以1°以上且5°以下的角度倾斜的p型半导体区域；和设置在p型半导体区域上的电极(30)。p型半导体区域由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)半导体层(26)形成。电极(30)包括：与p型半导体区域的表面(12)接触的Mg层(32)、和形成在Mg层(32)上的金属层(34)。金属层(34)由从Pt、Mo和Pd所组成的组中选择的至少1种金属形成。
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公开(公告)号：CN102334204A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201080009597.6
申请日：2010-12-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L2224/13 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化物系半导体发光元件(31)，具有如下：以m面为主面的n型GaN基板(1)；n型GaN基板(1)之上接触而形成的电流扩散层(7)；在电流扩散层(7)之上形成的n型氮化物半导体层(2)；在n型氮化物半导体层(2)之上形成的活性层(3)；在活性层(3)之上形成的p型氮化物半导体层(4)；与p型氮化物半导体层(4)接触而形成的p侧电极(5)；与n型GaN基板(1)或n型氮化物半导体层(2)接触而形成的n侧电极(6)，其中，n型氮化物半导体层(2)的施主杂质浓度为5×1018cm-3以下，并且，电流扩散层(7)的施主杂质浓度是n型氮化物半导体层(2)的施主杂质浓度的10倍以上。
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公开(公告)号：CN102318039A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200980156895.5
申请日：2009-10-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/06 , H01L33/32
CPC classification number: C23C16/303 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L33/007
Abstract: 本发明是一种通过有机金属化学气相沉积法而使发光峰值波长为500nm以上的m面InGaN层生长的氮化镓系化合物半导体的制造方法。首先，进行将反应室内的基板加热的工序(A)。其次，进行将含有In气源、Ga气源和N气源的气体供给到所述反应室内，以700℃～775℃的生长温度，使由InxGa1-xN结晶构成的m面InGaN层在所述基板上生长的工序(B)。在所述工序(B)中，将所述m面InGaN层的生长速度设定在4.5nm/分～10nm/分的范围内。
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公开(公告)号：CN101981713A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN201080001306.9
申请日：2010-03-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32
Abstract: 氮化物半导体发光元件(100)具备：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)上形成的半导体层叠构造(20)、在半导体层叠构造(20)上形成的电极(30)。电极(30)包括由从由Pt、Mo以及Pd构成的群中选择的金属和Mg构成的Mg合金层(32)，Mg合金层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型半导体区域的表面接触。
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公开(公告)号：CN103402553B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201280010048.X
申请日：2012-02-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: F24F3/166 , A61L2/14 , A61L9/22 , F24F2003/1635 , F24F2003/1682 , Y02A50/21
Abstract: 本发明的活性种产生单元具备:平板形状的绝缘性基板;被与绝缘性基板隔着规定距离配置的放电电极;对绝缘性基板的表面进行覆盖，并且对绝缘性基板近傍的水分进行吸附的吸附部;被设置为与吸附部相接的对置电极;和对放电电极和对置电极施加电压的电源。
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公开(公告)号：CN102687292B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201180003875.1
申请日：2011-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的氮化物系半导体元件，具备：具有表面(12)从m面倾斜了1°以上5°以下的角度的p型GaN系半导体区域的氮化物系半导体层叠构造(20)；和设置于p型GaN系半导体区域上的电极(30)。电极(30)包含由从Pt、Mo以及Pd所构成的群中选择的金属和Mg构成的Mg合金层(32)，Mg合金层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型GaN系半导体区域的表面(12)相接触。
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