叠层滤波器、集成器件和通信设备

    公开(公告)号:CN1257607C

    公开(公告)日:2006-05-24

    申请号:CN02121532.4

    申请日:2002-05-15

    CPC classification number: H01P1/20345

    Abstract: (目的)为了提供一种包括叠层带通滤波器,至少两个不需要减少带状线的Q因子就构成带通滤波器的带通滤波器。(构造)一种叠层带通滤波器,包括:通过叠加和集成多个连续的电介质层101到110形成的集成器件,形成在集成器件内侧的多个接地导体119、137和142,两个带通滤波器夹在多个接地导体的两个119和137之间,并形成在集成器件的内侧。带通滤波器的一个具有带状线导体128和129,同时另一个具有带状线导体131和132。两个带通滤波器形成在的不同区域,上述区域在相对于直接垂直于所述两个接地导体的预定横截面的这些区域之间具有边界。

    天线共用器
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1112766C

    公开(公告)日:2003-06-25

    申请号:CN98106437.X

    申请日:1998-03-12

    CPC classification number: H01P1/213

    Abstract: 一种天线共用器具有发送输入端、接收输出端、发送输入端和接收输出端共用的天线端子、具有设置在发送输入端和接收输出端之间和通过耦合元件耦合的至少一个谐振元件发送滤波器,具有设置在接收输出端和接收输入端之间和通过耦合元件耦合的至少一个谐振元件的接收滤波器,和分别并连连接到发送滤波器的谐振元件和所述接收滤波器的谐振元件上的阻抗可变元件,其中发送滤波器的频率传输特性和接收滤波器的频率传输特性通过施加控制信号进行控制和因此改变阻抗可变元件的阻抗。

    高频开关、双频带高频开关、三频带高频开关和移动通信设备

    公开(公告)号:CN1362793A

    公开(公告)日:2002-08-07

    申请号:CN01145482.2

    申请日:2001-12-27

    CPC classification number: H01P1/15 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 一个高频开关,具有一个发送端;一个接收端,一个天线端子;一个第一二极管,具有电连接到该发送端的一个正极和电连接到该天线端子的一个负极;一个第二二极管,具有通过1/4波长传输线连接到天线端子的一个正极,和具有接地的负极侧,所述天线端子电连接至所述接收端;和一个控制端,提供至该发送端和第一正极之间的一个节点上,其中第一和第二二极管在该正极和该负极间具有其导通电阻和电容之间的一个折衷关系,和第一二极管的导通电阻比第二二极管的导通电阻低,第二二极管在截止状态的电容小于二极管在截止状态的电容。

    高频开关、双频带高频开关、三频带高频开关和无线电通信设备

    公开(公告)号:CN1233100C

    公开(公告)日:2005-12-21

    申请号:CN01145482.2

    申请日:2001-12-27

    CPC classification number: H01P1/15 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 一个高频开关,具有一个发送端;一个接收端,一个天线端子;一个第一二极管,具有电连接到该发送端的一个正极和电连接到该天线端子的一个负极;一个第二二极管,具有通过1/4波长传输线连接到天线端子的一个正极,和具有接地的负极侧,所述天线端子电连接至所述接收端;和一个控制端,提供至该发送端和第一正极之间的一个节点上,其中第一和第二二极管在该正极和该负极间具有其导通电阻和电容之间的一个折衷关系,和第一二极管的导通电阻比第二二极管的导通电阻低,第二二极管在截止状态的电容小于二极管在截止状态的电容。

    用于制造固态成像器件的方法

    公开(公告)号:CN1661804A

    公开(公告)日:2005-08-31

    申请号:CN200510008185.1

    申请日:2005-02-22

    Inventor: 山田徹

    Abstract: 首先,在半导体衬底上,在将要形成电荷转移部分的区域中形成第一栅绝缘膜,并在所述第一栅绝缘膜上形成一个保护膜。在所述保护膜上形成用于转移沟道形成的光刻胶,然后通过构图去除用于转移沟道形成的光刻胶的一部分。接着,利用用于转移沟道形成的光刻胶作为掩膜,来离子注入杂质,以便在所述第一栅绝缘膜之下形成转移沟道。随后,去除所述用于转移沟道形成的光刻胶,并在所述保护膜上形成第二栅绝缘膜。之后,形成一个转移电极。

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