半导体存储器件
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1187832C

    公开(公告)日:2005-02-02

    申请号:CN02152734.2

    申请日:2002-11-20

    CPC classification number: G11C7/12 G11C7/1048 G11C2207/002

    Abstract: 一种半导体存储器件,包括:位线对,连接多个存储单元;多个预充电电路,用于将所述位线对预充电至与高电平和低电平的平均值不同的第1电压;位线预充电电源线(VBP[0]),用于将预充电的所述第1电压供给所述预充电电路;电容器(200);充电部件(201),对所述电容器充电;以及传输门电路(202,203),控制所述电容器和所述位线预充电电源线的连接与断开。控制所述传输门电路,使得在所述位线对的预充电时所述电容器和所述预充电电源线相连接。可以高速高精度地进行位线的预充电。

    半导体集成电路装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1421930A

    公开(公告)日:2003-06-04

    申请号:CN02152792.X

    申请日:2002-11-28

    CPC classification number: H02M3/07 H02M2003/071

    Abstract: 一种半导体集成电路装置,包括:充电电路,向负电压节点输出设定的负电压;电压检测电路,当上述负电压节点的电压达到第一检测电压时产生第一检测信号,当上述负电压节点的电压达到第二检测电压时产生第二检测信号;环状振荡器,由上述第一检测信号驱动,产生驱动上述充电电路的信号;负电压升压电路,由上述的二检测信号驱动,具有接在上述负电压节点的输出端子,通过上述输出端子的输出使负电压节点的电压上升。可以使VBB电压迅速上升,通过快速地控制VBB电压提高电压的稳定度。

    半导体存储器件
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1420565A

    公开(公告)日:2003-05-28

    申请号:CN02152734.2

    申请日:2002-11-20

    CPC classification number: G11C7/12 G11C7/1048 G11C2207/002

    Abstract: 一种半导体存储器件,包括:位线对,连接多个存储单元;多个预充电电路,用于将所述位线对预充电至与高电平和低电平的平均值不同的第1电压;位线预充电电源线(VBP[0]),用于将预充电的所述第1电压供给所述预充电电路;电容器(200);充电部件(201),对所述电容器充电;以及传输门电路(202,203),控制所述电容器和所述位线预充电电源线的连接与断开。控制所述传输门电路,使得在所述位线对的预充电时所述电容器和所述预充电电源线相连接。可以高速高精度地进行位线的预充电。

Patent Agency Ranking