半导体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1122309C

    公开(公告)日:2003-09-24

    申请号:CN99106236.1

    申请日:1999-05-06

    Abstract: 一种半导体装置,在与基准电压Vss连接的p型半导体基板上,相隔一定间隔形成第1个n型高浓度扩散层以及第2个n型高浓度扩散层,在第1个n型高浓度扩散层的直下区域形成第1个n型低浓度扩散层,同时在第2个n型高浓度扩散层的直下区域形成第2个n型低浓度扩散层。第1金属层以及高阻抗导电层与输入端子和第1个n型高浓度扩散层连接,第2金属层与供给基准电压Vss的基准电压端子VSP和第2个n型高浓度扩散层连接。

    半导体集成电路装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1194411C

    公开(公告)日:2005-03-23

    申请号:CN02152792.X

    申请日:2002-11-28

    CPC classification number: H02M3/07 H02M2003/071

    Abstract: 一种半导体集成电路装置,包括:充电电路,向负电压节点输出设定的负电压;电压检测电路,当上述负电压节点的电压达到第一检测电压时产生第一检测信号,当上述负电压节点的电压达到第二检测电压时产生第二检测信号;环状振荡器,由上述第一检测信号驱动,产生驱动上述充电电路的信号;负电压升压电路,由上述的二检测信号驱动,具有接在上述负电压节点的输出端子,通过上述输出端子的输出使负电压节点的电压上升。可以使VBB电压迅速上升,通过快速地控制VBB电压提高电压的稳定度。

    半导体集成电路装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1421930A

    公开(公告)日:2003-06-04

    申请号:CN02152792.X

    申请日:2002-11-28

    CPC classification number: H02M3/07 H02M2003/071

    Abstract: 一种半导体集成电路装置,包括:充电电路,向负电压节点输出设定的负电压;电压检测电路,当上述负电压节点的电压达到第一检测电压时产生第一检测信号,当上述负电压节点的电压达到第二检测电压时产生第二检测信号;环状振荡器,由上述第一检测信号驱动,产生驱动上述充电电路的信号;负电压升压电路,由上述的二检测信号驱动,具有接在上述负电压节点的输出端子,通过上述输出端子的输出使负电压节点的电压上升。可以使VBB电压迅速上升,通过快速地控制VBB电压提高电压的稳定度。

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