-
公开(公告)号：CN1538453B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200410035047.8
申请日：2004-04-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/407
CPC classification number: H02M3/073 , G11C5/145 , G11C11/4074
Abstract: 本发明的升压电路由于采用第一电压VDD3和第二电压VDDM，将比第二电压高的第一电压VDD3升压，产生升压电压VPP，故与只采用第二电压并将其升压的构成相比，能指望提高效率。检测电路检测升压VPP，来控制升压电路。
-
公开(公告)号：CN101060010A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710101384.6
申请日：2007-04-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C8/08 , G11C5/147 , G11C8/10 , G11C11/4082 , G11C11/4085 , G11C11/4087
Abstract: 本发明揭示一种半导体存储装置，即使来自行译码器的输出是低电压，也不改变P沟道晶体管6001或N沟道晶体管6002的尺寸，能够通过改变与P沟道晶体管6001连接的字驱动器P沟道控制信号LP的电压，使字驱动器的电平移位，从而维持N/P的晶体管尺寸比小的状态。
-
公开(公告)号：CN1527323A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200410007488.7
申请日：2004-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/407 , G11C11/4074
CPC classification number: G11C5/145 , G11C7/12 , G11C11/4074 , G11C11/4094
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件及载有其和逻辑电路器件的半导体器件，可同时实现位线预充电动作的高速化以及缩小布图面积。在位线预充电电压发生装置中所包含的预充电电压激励电路(105)中，设置了起开关作用的P沟道晶体管(206、207)。这样，提高了激励的效率，减小了用于激励的电容器(200)的电容面积。
-
公开(公告)号：CN1467747A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03138344.0
申请日：2003-05-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 折笠宪一
IPC: G11C11/401 , G11C11/4074
CPC classification number: G11C11/4099 , G11C7/06 , G11C11/4085 , G11C11/4091
Abstract: 本发明提供一种电路面积较小的、可以提高存储单元的数据保持特性的半导体存储器件。在字线电压发生器中，将比提供给存储单元的第1电源电压Vdd还高的第2电源电压Vdd3施加给第1运算放大器电路及参考电压发生电路，参考电压发生电路产生的电压比与第1电源电压Vdd成比例的电压还高出因对P沟道晶体管进行二极管连接而产生的发生电压，作为第1参考电压Vref，第1运算放大器电路输出与第1参考电压Vref相等的电压，作为字线驱动电压Vwl。因此，不需要充电泵电路等就能减少存储单元截止时的漏电流。
-
公开(公告)号：CN1527323B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200410007488.7
申请日：2004-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/407 , G11C11/4074
CPC classification number: G11C5/145 , G11C7/12 , G11C11/4074 , G11C11/4094
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件及载有其和逻辑电路器件的半导体器件，可同时实现位线预充电动作的高速化以及缩小布图面积。在位线预充电电压发生装置中所包含的预充电电压激励电路(105)中，设置了起开关作用的P沟道晶体管(206、207)。这样，提高了激励的效率，减小了用于激励的电容器(200)的电容面积。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101312069A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810108719.1
申请日：2008-05-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 折笠宪一
IPC: G11C11/408 , G11C11/407 , G11C8/08
CPC classification number: G11C11/4087 , G11C8/08 , G11C8/10 , G11C11/4085
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储装置。在本发明中，由于行译码电路是由：具有第1栅极氧化膜厚的晶体管、具有第2栅极氧化膜厚的晶体管、以及具有第3栅极氧化膜厚的晶体管来构成的，所以即使用进一步低电压化后的控制电路，也能够高速地驱动字线且确保可靠性。
-
公开(公告)号：CN101047026A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710091592.2
申请日：2007-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 折笠宪一
IPC: G11C11/4096 , G11C11/4091
CPC classification number: G11C7/12 , G11C7/065 , G11C7/08 , G11C7/1051 , G11C7/1069 , G11C11/4074 , G11C11/4091 , G11C11/4094 , G11C2207/002 , G11C2207/065
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件，能降低预充电时的消耗电流。预充电电位控制电路(106)在预充电时，当全局数据线对(GDL、/GDL)共同的电位比预定的第一检测电位高时，对全局数据线对(GDL、/GDL)施加第一检测电位以下的施加用低电压；当全局数据线对(GDL、/GDL)共同的电位比预定的第二检测电位低时，对全局数据线对(GDL、/GDL)施加第二检测电位以上的施加用高电压；当上述全局数据线对(GDL、/GDL)的电位在第一检测电位以下且第二检测电位以上时，不施加电压。
-
公开(公告)号：CN1194411C
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN02152792.X
申请日：2002-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H02M3/07 , H02M2003/071
Abstract: 一种半导体集成电路装置，包括：充电电路，向负电压节点输出设定的负电压；电压检测电路，当上述负电压节点的电压达到第一检测电压时产生第一检测信号，当上述负电压节点的电压达到第二检测电压时产生第二检测信号；环状振荡器，由上述第一检测信号驱动，产生驱动上述充电电路的信号；负电压升压电路，由上述的二检测信号驱动，具有接在上述负电压节点的输出端子，通过上述输出端子的输出使负电压节点的电压上升。可以使VBB电压迅速上升，通过快速地控制VBB电压提高电压的稳定度。
-
公开(公告)号：CN101047026B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200710091592.2
申请日：2007-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 折笠宪一
IPC: G11C11/4096 , G11C11/4091
CPC classification number: G11C7/12 , G11C7/065 , G11C7/08 , G11C7/1051 , G11C7/1069 , G11C11/4074 , G11C11/4091 , G11C11/4094 , G11C2207/002 , G11C2207/065
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件，能降低预充电时的消耗电流。预充电电位控制电路(106)在预充电时，当全局数据线对(GDL、/GDL)共同的电位比预定的第一检测电位高时，对全局数据线对(GDL、/GDL)施加第一检测电位以下的施加用低电压；当全局数据线对(GDL、/GDL)共同的电位比预定的第二检测电位低时，对全局数据线对(GDL、/GDL)施加第二检测电位以上的施加用高电压；当上述全局数据线对(GDL、/GDL)的电位在第一检测电位以下且第二检测电位以上时，不施加电压。
-
公开(公告)号：CN1329922C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN03138344.0
申请日：2003-05-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 折笠宪一
IPC: G11C11/401 , G11C11/4074
Abstract: 本发明提供一种电路面积较小的、可以提高存储单元的数据保持特性的半导体存储器件。在字线电压发生器中，将比提供给存储单元的第1电源电压Vdd还高的第2电源电压Vdd3施加给第1运算放大器电路及参考电压发生电路，参考电压发生电路产生的电压比与第1电源电压Vdd成比例的电压还高出因对P沟道晶体管进行二极管连接而产生的发生电压，作为第1参考电压Vref，第1运算放大器电路输出与第1参考电压Vref相等的电压，作为字线驱动电压Vwl。因此，不需要充电泵电路等就能减少存储单元截止时的漏电流。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.028 seconds)
