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公开(公告)号:CN1273437A
公开(公告)日:2000-11-15
申请号:CN00107261.7
申请日:2000-04-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/82
CPC classification number: H03K19/00361 , H03K19/0016 , H03K19/00315
Abstract: 数字电路部分中的通过双栅极加工工艺而制成的CMOS反相器,备有其栅极由P型多晶硅形成的P沟道场效应晶体管。该P沟道场效应晶体管的源极接在电源上,且该P沟道场效应晶体管的反向栅极直接接在该源极上。当在低功耗模式下上述电源被切断后,P沟道场效应晶体管便处于不起晶体管之作用的状态。为防止该P沟道场效应晶体管的特性在该模式下变坏,而设置了在该模式下,能将该P沟道场效应晶体管的栅极电压固定为0的下拉开关。
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公开(公告)号:CN1139317A
公开(公告)日:1997-01-01
申请号:CN96104932.4
申请日:1996-04-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 松泽昭
IPC: H03K19/00
CPC classification number: H03K19/01714 , H03K19/01735
Abstract: 一种逻辑电路包括:主开关装置,用于根据供给一控制端子的电压来改变至少两个端子之间的导电状态;及电压转换装置,用于转换输入端子上的电压并将转换了的电压输出到控制端子上。
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公开(公告)号:CN1122073A
公开(公告)日:1996-05-08
申请号:CN95109698.2
申请日:1995-07-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03M1/66
Abstract: 在内插型调制部中,在来自1位量子化器的1个时钟脉冲中只±1变化的信号被作为移位方向控制信号。此信号加到双向移位寄存器,并按照其值将数据移位到前段侧或后段侧。其输出作为控制信号加到电阻阶梯型DA变换器,将对应的模拟电位输出到用上述控制信号选择的开关上,因而,其输出即使在各位间产生延迟差,也只是成为相邻开关的二重选择,连续地变化。所以能提供一无闪信号,精度和成品率都高的电阻阶梯型的过取样DA变换器。
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公开(公告)号:CN1173405C
公开(公告)日:2004-10-27
申请号:CN00107261.7
申请日:2000-04-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/82
CPC classification number: H03K19/00361 , H03K19/0016 , H03K19/00315
Abstract: 数字电路部分中的通过双栅极加工工艺而制成的CMOS反相器,备有其栅极由P型多晶硅形成的P沟道场效应晶体管。该P沟道场效应晶体管的源极接在电源上,且该P沟道场效应晶体管的反向栅极直接接在该源极上。当在低功耗模式下上述电源被切断后,P沟道场效应晶体管便处于不起晶体管之作用的状态。为防止该P沟道场效应晶体管的特性在该模式下变坏,而设置了在该模式下,能将该P沟道场效应晶体管的栅极电压固定为0的下拉开关。
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公开(公告)号:CN1128502C
公开(公告)日:2003-11-19
申请号:CN95109698.2
申请日:1995-07-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03M1/66
Abstract: 在内插型调制部中,来自1位量子化器并在1个时钟脉冲中只±1变化的信号被作为移位方向控制信号。此信号加到双向移位寄存器,并按照其值将数据移位到前段侧或后段侧。其输出作为控制信号加到电阻阶梯型数/模变换器,该变换器输出与上述控制信号所选择的开关对应的模拟电位,因而,即使在各位间产生延迟差,也只是成为相邻开关的二重选择,并输出连续地变化。所以能提供无一闪信号,精度和成品率都高的电阻阶梯型的过取样数/模变换器。
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公开(公告)号:CN1404228A
公开(公告)日:2003-03-19
申请号:CN02141542.0
申请日:2002-09-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03M1/36
Abstract: 本发明的A/D转换器包括:参考电压产生单元,用于产生多个参考电压;差分放大单元,用于放大多个参考电压中每个参考电压与输入信号电压之间的电压差,以便产生多个输出电压集,多个输出电压集中的每个输出电压集包括互补的同相和反相输出电压;以及运算单元,用于接收多个输出电压集,所述运算单元依据时钟信号而操作。
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