公开(公告)号：CN101640064A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200910159894.8

申请日：2009-07-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上南雅裕 ,  西川和予 ,  仓持昌宏 ,  新田忠司 ,  森俊树

IPC: G11C11/34 ,  G11C8/00 ,  G06F13/00

CPC classification number: G11C5/066 ,  G11C7/10 ,  G11C16/10 ,  G11C2216/30

Abstract: 本发明提供一种串行存储装置及信号处理系统，在与主控制器(10)之间通过串行通信收发指令、地址及数据的串行存储装置(20)中，基地址保持电路(26)保持成为有效地址计算的基准的基地址。基地址运算电路(25)基于基地址及由主控制器(10)所输入的地址来计算有效地址。据此，能够使串行存储装置的随机存取高速化。

公开(公告)号：CN100520968C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200610080254.4

申请日：2006-05-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森俊树

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/04

CPC classification number: G11C16/28 ,  G11C11/5671 ,  G11C2211/5634

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件。在2个基准单元中的1个基准单元的电荷积累区域积累电荷，使其成为与电流最小的存储单元特性等效的状态。另外，在另一个基准单元的电荷积累区域积累电荷，使其成为与电流最大的存储单元特性等效的状态。利用电流平均化电路来平均从这些基准单元所输出的各电流，作为基准电流(R_REF1)输出。由此，即使由于第2位效应存储单元的电流特性变动，也能使基准电流最佳、使读出时的动作余量最佳，从而能够降低第2位效应的影响，抑制读出动作余量的减少。

公开(公告)号：CN1988046A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610170140.9

申请日：2006-12-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 富田泰弘 ,  小宫学 ,  诹访仁史 ,  森俊树

IPC: G11C29/50 ,  G11C16/34

CPC classification number: G01R31/3008 ,  G11C29/02 ,  G11C29/025 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50 ,  G11C2029/1204 ,  G11C2029/5006

Abstract: 本发明的半导体泄漏电流检测器具备：第1模拟开关，使被测定电流导通或不导通；第2模拟开关，使参考电流导通或不导通；积分电容元件，连接于所述第1模拟开关和第2模拟开关，由所述被测定电流或所述参考电流充电；放电部件，使所述积分电容元件进行放电；和比较部件，将放电后由参考电流产生在所述积分电容元件中的积分电压、以及放电后由被测定电流产生在所述积分电容元件中的积分电压，分别与参考电压进行比较。

公开(公告)号：CN1905066A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610080254.4

申请日：2006-05-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森俊树

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/04

CPC classification number: G11C16/28 ,  G11C11/5671 ,  G11C2211/5634

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件。在2个基准单元中的1个基准单元的电荷积累区域积累电荷，使其成为与电流最小的存储单元特性等效的状态。另外，在另一个基准单元的电荷积累区域积累电荷，使其成为与电流最大的存储单元特性等效的状态。利用电流平均化电路来平均从这些基准单元所输出的各电流，作为基准电流(R_REF1)输出。