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公开(公告)号：CN101640062A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910164655.1
申请日：2009-07-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置。能充分确保EEPROM等中的存储单元的漏极电压的上升时间，低消耗功率，并且向存储单元提供足够大的漏极电压。晶体管(40)将存储单元(11)的源极设定为浮动状态及接地状态的任意一种。漏极电压产生电路(50)具有连接在第一电源电压与该漏极产生电路的输出端之间的第一开关元件(51)；与第一开关元件(51)并联连接，且比第一开关元件(51)电流能力小的第二开关元件(52)；及在第二开关元件(52)导通之后第一开关元件(51)导通的控制电路(53)，生成向存储单元(11)的漏极应提供的电压。
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公开(公告)号：CN1988041A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610170025.1
申请日：2006-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C16/0491 , G11C16/28
Abstract: 现有的虚地方式的存储装置中，在存储单元(参考单元)中获得差动式的读出判定操作中成为基准的特性时，由于通过与参考单元邻接的单元的漏泄电流在过程中产生偏差，所以难以实现稳定的读出。本发明公开了一种非挥发性半导体存储装置，对与参考单元邻接的存储单元，设置位线电位选择装置，用于对电荷累积侧的位线施加写入电位，对另一侧的位线施加接地电位。利用该结构对邻接单元进行写入操作，由于从参考单元到邻接单元的漏泄电流消失，因此能够将参考单元的原有特性作为基准侧特性，反映到读出操作中，能够实现稳定的读出。
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公开(公告)号：CN1139316A
公开(公告)日：1997-01-01
申请号：CN96104486.1
申请日：1996-04-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K17/00
CPC classification number: G06F17/5022
Abstract: 评价具有经由单元间布线而相互连接多个反相器单元构造的反相器链中信号的传输延迟时间，分别把对于各个反相器单元的输入引线的电压Vin1的上升沿的逻辑阈值电压Vth(rise)1设定为比该反相器单元的通断阈值电压Vthc1小的电压，把对于各个反相器单元的输入引线的电压Vin2的下降沿的逻辑阈值电压Vthh(fall)2设定为比该反相器单元的通断阈值电压Vthc2大的电压，以便保证进行各反相器单元的正值延迟时间Tpdc的评价。
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公开(公告)号：CN103748631A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201280040622.6
申请日：2012-08-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 富田泰弘
Abstract: 读出电路(1)具备：从电源向第1及第2输入(2、3)供给负载电流的电流负载电路(4)；将第1及第2输入(2、3)的电位放电为接地电平的第1放电电路(6)；将第1及第2输入(2、3)的电位设为等电位的均衡电路(8)；将第1及第2输入(2、3)作为差动输入来接受并输出作为差动输出的第1及第2读出输出(9、10)的差动电路(11)；和将第1及第2读出输出(9、10)的电位放电为接地电平的第2放电电路(13)。
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公开(公告)号：CN100468574C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200510068513.7
申请日：2005-04-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C16/22
Abstract: 非易失性半导体存储器件(101)包括连接到指令解码器(108)的特殊指令使能/无效信号线(120)。特殊指令使能/无效信号经信号线(120)从外部输入给指令解码器(108)。由此，在初始化该器件(101)时，指令解码器(108)可以使特殊指令有效并且该器件(101)可以转变到对应特殊指令的模式。另一方面，指令解码器(108)可以使特殊指令无效，例如，当用户使用该器件(101)时，由此，即使在错误地发布特殊指令时，也能防止执行特殊指令。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1988046A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610170140.9
申请日：2006-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01R31/3008 , G11C29/02 , G11C29/025 , G11C29/028 , G11C29/50 , G11C2029/1204 , G11C2029/5006
Abstract: 本发明的半导体泄漏电流检测器具备：第1模拟开关，使被测定电流导通或不导通；第2模拟开关，使参考电流导通或不导通；积分电容元件，连接于所述第1模拟开关和第2模拟开关，由所述被测定电流或所述参考电流充电；放电部件，使所述积分电容元件进行放电；和比较部件，将放电后由参考电流产生在所述积分电容元件中的积分电压、以及放电后由被测定电流产生在所述积分电容元件中的积分电压，分别与参考电压进行比较。
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公开(公告)号：CN1097790C
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN96104486.1
申请日：1996-04-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06F17/00
CPC classification number: G06F17/5022
Abstract: 评价具有经由单元间布线而相互连接多个反相器单元构造的反相器链中信号的传输延迟时间，分别把对于各个反相器单元的输入管脚的电压Vin1的上升沿的逻辑阈值电压Vth(rise)1设定为比该反相器单元的通断阈值电压Vthc1小的电压，把对于各个反相器单元的输入管脚的电压Vin2的下降沿的逻辑阈值电压Vth(fall)2设定为比该反相器单元的通断阈值电压Vthc2大的电压，以便保证各反相器单元的延迟时间Tpdc的评价结果为正值。
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公开(公告)号：CN101286696A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810096700.X
申请日：2008-02-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种升压电路，在时钟信号(CLK1、CLK2)分别是高电平和低电平的情况下，电压(V11m、V11n、V12m、V12n)分别成为“Vdd+α·Vdd”、“Vdd”、“Vdd+α·Vdd”、“Vdd+2α·Vdd”。这样，在升压级(12m)中，接通开关晶体管(103)成为导通状态，电荷传送晶体管(101)传送电荷。另一方面，在升压级(12n)中，关断开关晶体管(102)成为导通状态，电荷传送晶体管(101)成为非导通状态。这时，电荷传送晶体管(101)的栅源极间电位差和栅漏极间电位差成为“α·Vdd”。从而，在升压电路中缓和电荷传送晶体管的耐压限制。
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公开(公告)号：CN100412990C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510064128.5
申请日：2005-04-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C16/10
Abstract: 从状态寄存器输出表示写指令的执行状态的n位状态信号。在写数据时，输出切换电路输出(n×m)位数据，在该(n×m)位数据中，状态信号图形重复m次。在数据读取时，输出切换电路将存储在存储单元阵列中的数据输出。
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