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公开(公告)号：CN1988046A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610170140.9
申请日：2006-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01R31/3008 , G11C29/02 , G11C29/025 , G11C29/028 , G11C29/50 , G11C2029/1204 , G11C2029/5006
Abstract: 本发明的半导体泄漏电流检测器具备：第1模拟开关，使被测定电流导通或不导通；第2模拟开关，使参考电流导通或不导通；积分电容元件，连接于所述第1模拟开关和第2模拟开关，由所述被测定电流或所述参考电流充电；放电部件，使所述积分电容元件进行放电；和比较部件，将放电后由参考电流产生在所述积分电容元件中的积分电压、以及放电后由被测定电流产生在所述积分电容元件中的积分电压，分别与参考电压进行比较。
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公开(公告)号：CN1975931A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610162911.X
申请日：2006-11-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C16/12 , G11C11/5628 , G11C16/16 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2211/5621 , G11C2211/5641
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件，由多个在单一的电荷存储部位具有3个以上的阈值电压分布的状态的存储器单元构成存储器单元阵列。利用编程顺序控制电路，将由多个值的数据构成的数据集中所含有的各个数据与上述3个以上的阈值电压分布中的任一个阈值电压分布对应地存储在上述存储器单元，而在重写存储于上述存储器单元的数据时，将在数据的存储中使用的阈值电压分布向一个方向移动来进行数据的重写。
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公开(公告)号：CN101098105A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710136799.7
申请日：2004-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02M3/07
CPC classification number: H02M3/073
Abstract: 本发明公开了一种升压电路，该升压电路的各升压单元(11～13)具有：连接成二极管的第一Nch晶体管(M11)；栅极与漏极连接到电源电压(VDD)，源极连接到第一Nch晶体管(M11)的源极的第二Nch晶体管(M12)；设置在输入第一Nch晶体管(M11)的漏极以及时钟信号(CLK1)或(CLK2)的升压时钟输入端子(CLKM)之间的升压用电容器(CP)。在升压用电容器(CP)上，通过由作为从外部输入的控制信号的升压能力切换信号(EN1～ENn)控制的连接切换电路(131～13n)，分别并联连接n个辅助升压用电容器(CS1～CSn)。由此，减小对给定升压电位的输出电位的变动幅度，并且可以由简单的电路构成而容易进行控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100412990C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510064128.5
申请日：2005-04-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C16/10
Abstract: 从状态寄存器输出表示写指令的执行状态的n位状态信号。在写数据时，输出切换电路输出(n×m)位数据，在该(n×m)位数据中，状态信号图形重复m次。在数据读取时，输出切换电路将存储在存储单元阵列中的数据输出。
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公开(公告)号：CN1691206A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510068513.7
申请日：2005-04-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C16/22
Abstract: 非易失性半导体存储器件(101)包括连接到指令解码器(108)的特殊指令使能/无效信号线(120)。特殊指令使能/无效信号经信号线(120)从外部输入给指令解码器(108)。由此，在初始化该器件(101)时，指令解码器(108)可以使特殊指令有效并且该器件(101)可以转变到对应特殊指令的模式。另一方面，指令解码器(108)可以使特殊指令无效，例如，当用户使用该器件(101)时，由此，即使在错误地发布特殊指令时，也能防止执行特殊指令。
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公开(公告)号：CN111052153A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880057223.8
申请日：2018-08-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 将在神经网络运算中使用的耦合权重系数保存到存储器阵列(20)中，由字线驱动电路(24)驱动与神经网络的输入数据对应的字线(22)，由列选择电路(25)将连接有作为运算对象的耦合权重系数的位线连接到运算电路(26)，在运算电路(26)中判定流过位线(23)的单元电流的总和。将运算电路(26)的判定结果保存到输出保持电路(27)中，作为下一层的神经网络的输入而向字线驱动电路(24)设定。控制电路(29)基于保持在网络构成信息保持电路(28)中的信息，对字线驱动电路(24)及列选择电路(25)指示在神经网络运算中使用的字线(22)及位线(23)的选择。
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公开(公告)号：CN100468574C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200510068513.7
申请日：2005-04-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C16/22
Abstract: 非易失性半导体存储器件(101)包括连接到指令解码器(108)的特殊指令使能/无效信号线(120)。特殊指令使能/无效信号经信号线(120)从外部输入给指令解码器(108)。由此，在初始化该器件(101)时，指令解码器(108)可以使特殊指令有效并且该器件(101)可以转变到对应特殊指令的模式。另一方面，指令解码器(108)可以使特殊指令无效，例如，当用户使用该器件(101)时，由此，即使在错误地发布特殊指令时，也能防止执行特殊指令。
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公开(公告)号：CN1527324A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200410007747.6
申请日：2004-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C16/06
CPC classification number: H02M3/073
Abstract: 本发明公开了一种升压电路，该升压电路的各升压单元(11～13)具有：连接成二极管的第一Nch晶体管(M11)；栅极与漏极连接到电源电压(VDD)，源极连接到第一Nch晶体管(M11)的源极的第二Nch晶体管(M12)；设置在输入第一Nch晶体管(M11)的漏极以及时钟信号(CLK1)或(CLK2)的升压时钟输入端子(CLKM)之间的升压用电容器(CP)。在升压用电容器(CP)上，通过由作为从外部输入的控制信号的升压能力切换信号(EN1～ENn)控制的连接切换电路(131～13n)，分别并联连接n个辅助升压用电容器(CS1～CSn)。由此，减小对给定升压电位的输出电位的变动幅度，并且可以由简单的电路构成而容易进行控制。
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