-
公开(公告)号：CN1217374C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN02124448.0
申请日：2002-06-26
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J9/02
Abstract: 一种电场放射型电子源(10)，具有n型硅基板(1)、在n型硅基板(1)的1个表面上形成的漂移层(6)(强电场漂移层)、在漂移层(6)上形成的表面电极(7)。通过外加电压，使表面电极(7)相对于n型硅基板(1)为正极，从而由n型硅基板(1)注入漂移层(6)中的电子在该漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)被释放出。在该电场放射型电子源(10)的制造过程中，形成漂移层(6)时，通过阳极氧化形成含有半导体微晶体的多孔质半导体层。然后，在各半导体微晶体表面形成绝缘膜。对半导体层照射主要含有可见光区域波长的光，同时进行阳极氧化。
-
公开(公告)号：CN1216393C
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN99801925.9
申请日：1999-08-26
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J31/127 , H01J2201/3125
Abstract: 本发明提供能够使表面电极的所希望的区域发射出电子的场发射型电子源及其制造方法，场发射型电子源10具备作为导电性基板的p型硅基板1、形成于p型硅基板1内的主表面侧的带状的作为扩散层的n型区域8、形成于n型区域8上，从n型区域注入的电子发生漂移的、氧化的多孔多晶硅构成的强电场漂移层6、形成于强电场漂移层6之间的多晶硅层3，以及在与n型区域8交叉的方向上形成带状，跨越强电场漂移层6上面及多晶硅层3上面形成的导电性薄膜构成的表面电极7。适当选择施加电压的n型区域8和表面电极7，能够使得施加电压的表面电极7中只有与施加电压的n型区域8交叉的区域发射出电子，所以能够使表面电极7的所希望的区域发射出电子。
-
公开(公告)号：CN1148774C
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN00107058.4
申请日：2000-04-24
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 本发明揭示一种场致发射型电子源及其制造方法。场致发射型电子源(10)具有导电性基板(1)、在导电性基板(1)的一个表面上形成的至少一部分进行多孔化处理的半导体层(6)、以及在半导体层上形成的导电性薄膜(7)。通过加上导电性薄膜(7)相对于导电性基板(1)为正的电压，注入导电性基板(1)的电子通过半导体层从导电性薄膜(7)发射。半导体层包含柱状结构部分(21)和平均尺寸在2μm以下的多孔结构部分(25)混合存在的多孔半导体层(6)。
-
公开(公告)号：CN1383570A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN01801858.0
申请日：2001-10-26
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J1/30
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J2329/00
Abstract: 一种电场放射型电子源(10),在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有:由导电性层构成的下部电极(8);含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6);由金薄膜构成的表面电极(7)。而且,外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极,并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移,通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层,据此,就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7),从而降低耗电量。
-
公开(公告)号：CN1825521A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610004888.1
申请日：2001-10-26
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J1/30
Abstract: 一种电场放射型电子源(10)，在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极(8)；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6)；由金薄膜构成的表面电极(7)。而且，外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极，并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层，据此，就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7)，从而降低耗电量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1825520A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610004887.7
申请日：2001-10-26
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J1/30
Abstract: 一种电场放射型电子源(10)，在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极(8)；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6)；由金薄膜构成的表面电极(7)。而且，外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极，并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层，据此，就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7)，从而降低耗电量。
-
公开(公告)号：CN1260767C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN00131773.3
申请日：2000-10-18
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 电子源设有作为导电衬底的n型硅衬底、由氧化的多孔多晶硅构成的偏移层及作为导电薄膜的表面电极。表面电极的形成工艺包括在偏移层上形成Cr构成的第一层，在第一层上形成Au构成的第二层，并使这两层形成合金。表面电极具有对偏移层的较高粘附性和长期稳定性，与简单物质Cr相比，在接近发射电子能量的能量区中的能态密度更低，且电子很少散射，电子发射效率更高。
-
公开(公告)号：CN1254839C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN01801858.0
申请日：2001-10-26
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J1/30
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J2329/00
Abstract: 一种电场放射型电子源(10)，在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极(8)；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6)；由金薄膜构成的表面电极(7)。而且，外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极，并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层，据此，就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7)，从而降低耗电量。
-
公开(公告)号：CN1537326A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN03800758.4
申请日：2003-05-14
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01L21/316 , C25D11/32 , H01J1/312 , H01J9/02
CPC classification number: H01L21/02238 , C25D11/32 , C25D21/12 , H01J9/025 , H01L21/02258 , H01L21/02299 , H01L21/0231 , H01L21/31675 , H01L21/31687
Abstract: 公开了用于半导体层的电化学氧化的方法。在用于作为电子器件之一的电子源10(场致发射类型电子源)的生产过程中的电化学氧化处理过程中，基于来自电阻检测部分35的检测电压，控制部分37预先测定由于电解溶液B的电阻导致的电压增量。然后，控制部分37控制电源以供应恒电流，以便引发对于在物体30上形成的半导体层的氧化处理。控制部分37通过从中减去电压增量来校正来自电压检测部分36的检测电压。当校正电压达到给定的上限电压值时，可以操作控制部分37来中断电源32的输出和终止氧化处理。本发明使得可以生产在其特性方面具有减小的变化的电子器件。
-
公开(公告)号：CN1293441A
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：CN00128588.2
申请日：2000-10-18
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 在由玻璃基板组成的绝缘性基板11的一个表面上形成导电性层8。在导电性层8上形成由氧化的多孔质多晶硅层组成的强电场漂移层6。在强电场漂移层6上形成表面电极7。导电性层8由形成在绝缘性基板11上的由铜组成的下侧的导电性膜8a和形成在该导电性膜8a上的由铝组成的上侧的导电性膜8b所构成。强电场漂移层6这样形成:在导电性层8上形成多晶硅层,把该多晶硅层进行多孔质化,然后,进行氧化。上侧的导电性膜8b具有易于与硅发生反应的性质,因此,在多晶硅层形成时能够抑制非晶层的形成。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.034 seconds)
