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公开(公告)号：CN105702688A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610231150.2
申请日：2010-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , G09G3/36
Abstract: 提供了一种在包括使用氧化物半导体的薄膜晶体管的像素中可以提高开口率的液晶显示器件。在该液晶显示器件中，薄膜晶体管包括：栅电极、与栅电极重叠地设置的栅极绝缘层及氧化物半导体层以及与氧化物半导体层的一部分重叠的源电极及漏电极，其中薄膜晶体管设置在设置于像素部中的信号线和像素电极之间。薄膜晶体管的截止电流小于或等于1×10-13A。电位可以只使用液晶电容器保持而不设置与液晶元件并联的电容器，并且在像素部不形成与像素电极连接的电容器。
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公开(公告)号：CN102549638B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080045810.9
申请日：2010-09-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1225 , H01L33/16
Abstract: 本发明的目的之一是提供一种发光显示器件，其中包括使用氧化物半导体的薄膜晶体管的像素具有高开口率。该发光显示器件包括分别具有薄膜晶体管(107A)以及发光元件(105)的多个像素(100)。像素(100)电连接到用作扫描线的第一布线(101A)。薄膜晶体管(107A)包括在第一布线(101A)上隔着栅极绝缘膜(113)设置的氧化物半导体层(103A)。该氧化物半导体层(103A)延伸超出设置有第一布线(101A)的区域的边缘。发光元件(105)和氧化物半导体层(103A)彼此重叠。
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公开(公告)号：CN102324420A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110321129.9
申请日：2007-01-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L23/58 , H01L23/544 , H01L27/12
CPC classification number: H01L22/32 , H01L27/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于可以通过测量TEG的电特性管理由蒸发沉积工序导致的半导体装置内的元件的电特性的变化。本发明的技术要点如下：在有源矩阵型EL面板的衬底100中提供有使用蒸发沉积法形成膜的蒸发沉积区域101，并在所述蒸发沉积区域101中提供有像素区域102。TEG109设置在使用蒸发沉积法形成膜的蒸发沉积区域101内的像素区域102的外侧。用来测量TEG109的测量用端子部110设置在密封区域103外部。
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公开(公告)号：CN101013695A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710006161.1
申请日：2007-01-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/00 , H01L27/12 , H01L27/15 , H01L27/32 , H01L23/544
CPC classification number: H01L22/32 , H01L27/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于可以通过测量TEG的电特性管理由蒸发沉积工序导致的半导体装置内的元件的电特性的变化。本发明的技术要点如下：在有源矩阵型EL面板的衬底100中提供有使用蒸发沉积法形成膜的蒸发沉积区域101，并在所述蒸发沉积区域101中提供有像素区域102。TEG109设置在使用蒸发沉积法形成膜的蒸发沉积区域101内的像素区域102的外侧。用来测量TEG109的测量用端子部110设置在密封区域103外部。
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公开(公告)号：CN116234777A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202180072821.4
申请日：2021-10-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C01G51/00
Abstract: 提供一种劣化原因的缺陷少或其发展得到抑制的正极活性物质。本发明是一种用于二次电池的正极活性物质，正极活性物质包含含有添加元素的钴酸锂，在对将正极活性物质用于正极且作为对电极使用锂电极的电池进行循环测试之后，正极活性物质包括缺陷，缺陷的附近区域中至少包含与添加元素相同的元素。添加元素还包含在正极活性物质的表层部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116034488A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202180057131.1
申请日：2021-08-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 提供一种晶体管特性不均匀小的半导体装置。包括如下工序：在包括氧化物半导体器件的结构体中形成到达氧化物半导体器件的开口的工序；将第一导电体嵌入开口中的工序；以与第一导电体的顶面接触的方式形成第二导电体的工序；通过溅射法以覆盖结构体、第一导电体及第二导电体的方式形成第一阻挡绝缘膜的工序；以及通过ALD法在第一阻挡绝缘膜上形成第二阻挡绝缘膜的工序，其中第一阻挡绝缘膜及第二阻挡绝缘膜具有抑制氢的扩散的功能。
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公开(公告)号：CN103984176B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410253700.1
申请日：2010-09-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136213 , G02F1/13624 , G02F1/1368 , G02F2001/134345 , G02F2201/40 , G09G3/3648 , G09G2300/0447 , H01L27/1225 , H01L27/1255
Abstract: 目的之一是提供一种可以具有高的开口率的液晶显示装置，其中液晶显示装置所具有的像素具备使用氧化物半导体的薄膜晶体管。所述液晶显示装置包括多个各具有薄膜晶体管及像素电极的像素。该像素与用作扫描线的第一布线电连接。该薄膜晶体管具有在第一布线上隔着栅极绝缘膜设置的氧化物半导体层。该氧化物半导体层以超出设置有第一布线的区域的边缘的方式设置。像素电极和氧化物半导体层彼此重叠。
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公开(公告)号：CN102714025B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201080062021.6
申请日：2010-12-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/36 , G02F1/133 , G02F1/1335 , G09G3/20 , G09G3/34
CPC classification number: G09G3/3648 , G02F1/133555 , G02F2203/30 , G09G3/3406 , G09G3/3611 , G09G2300/0443 , G09G2300/0456 , G09G2310/0235 , G09G2310/0237 , G09G2320/066 , G09G2320/10 , G09G2330/021 , G09G2340/0435
Abstract: 在图像信号写入期间中，对第一液晶元件和第一电容器供给来自信号线的第一图像信号。在背光灯点亮期间中，在透光像素部中进行显示以响应第一图像信号。在黑色灰度信号写入期间中，在反射像素部中对第二液晶元件和第二电容器供给来自信号线的用来黑色显示的信号。在静态图像信号写入期间中，对第一液晶元件、第一电容器、第二液晶元件和第二电容器供给来自信号线的第二图像信号。在静态图像信号保持期间中，在反射像素部中进行显示以响应第二图像信号。
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公开(公告)号：CN103984176A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410253700.1
申请日：2010-09-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136213 , G02F1/13624 , G02F1/1368 , G02F2001/134345 , G02F2201/40 , G09G3/3648 , G09G2300/0447 , H01L27/1225 , H01L27/1255
Abstract: 目的之一是提供一种可以具有高的开口率的液晶显示装置，其中液晶显示装置所具有的像素具备使用氧化物半导体的薄膜晶体管。所述液晶显示装置包括多个各具有薄膜晶体管及像素电极的像素。该像素与用作扫描线的第一布线电连接。该薄膜晶体管具有在第一布线上隔着栅极绝缘膜设置的氧化物半导体层。该氧化物半导体层以超出设置有第一布线的区域的边缘的方式设置。像素电极和氧化物半导体层彼此重叠。
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公开(公告)号：CN102324420B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201110321129.9
申请日：2007-01-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L23/58 , H01L23/544 , H01L27/12
CPC classification number: H01L22/32 , H01L27/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于可以通过测量TEG的电特性管理由蒸发沉积工序导致的半导体装置内的元件的电特性的变化。本发明的技术要点如下：在有源矩阵型EL面板的衬底100中提供有使用蒸发沉积法形成膜的蒸发沉积区域101，并在所述蒸发沉积区域101中提供有像素区域102。TEG109设置在使用蒸发沉积法形成膜的蒸发沉积区域101内的像素区域102的外侧。用来测量TEG109的测量用端子部110设置在密封区域103外部。
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