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公开(公告)号：CN101191194A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200610130966.2
申请日：2006-11-22
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/085 , C23C14/086 , G11B7/266
Abstract: 提供一种用于形成可记录光学记录介质的记录层的溅射靶，其中该溅射靶包括Bi和Fe，且该溅射靶的堆积密度高于96％，还提供一种利用该溅射靶制造的可记录光学记录介质，该可记录光学记录介质即使在蓝色激光波长范围内也能够进行高密度记录。
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公开(公告)号：CN101128875A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200680004824.X
申请日：2006-02-15
Applicant: 株式会社理光
IPC: G11B7/24 , G11B7/005 , G11B7/0045 , G11B7/243
CPC classification number: G11B7/00452 , G11B7/2403 , G11B7/24065 , G11B7/243 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明的目的是提供一种光学记录介质，其包含：层状结构，包括包含相变材料的第一可变形材料层，其在记录波长下吸收光以发热且经历发热熔化和变形；和包含一种材料的第二可变形材料层，该材料包含透射光且经历热变形和改变的氧化硅(SiOx；0＜x≤2)。在记录信息之后，第一可变形材料层的厚度根据记录的信息而改变，使得记录的标记的中心比端部厚，且基于记录的信息，第二可变形材料层对应于在第一可变形材料层上形成的凹凸图案被变形和改变，且当重现信息时，第一可变形材料层从固态改变到熔化态。
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公开(公告)号：CN101080327A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200580043011.7
申请日：2005-12-13
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 本发明提供一次写入多次读取的光记录介质，从激光束入射平面起依次包含基底、含铋和铋的氧化物中的任何一种的记录层、上涂层和反射层，其中当将激光施加到该基底的平坦部分上时，上述一次写入多次读取的光记录介质的反射率为35％或更低；或者下述一次写入多次读取的光记录介质，从激光束入射平面起依次包含基底、底涂层、含铋和铋的氧化物中的任何一种的记录层、上涂层和反射层，其中当将激光施加到该基底的平坦部分上时，上述一次写入多次读取的光记录介质的反射率为35％或更低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101328573B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810134035.9
申请日：2005-08-30
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 一种一次写入多次读取光学记录介质，其能够在蓝色激光波长或更短的波长在，即500nm或更小波长下，特别在邻近405nm的波长下表现出优异的记录-再现性能和高密度记录。为此，本发明的一次写入多次读取光学记录介质包括使用由BiOx(0＜x＜1.5)表示的材料的记录层，其中记录标记包含Bi晶体和/或Bi氧化物晶体。另一种一次写入多次读取光学记录介质包括含有Bi、氧、和M(M表示选自Mg、Al、Cr、Mn、Co、Fe、Cu、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Mo、V、Nb、Y、和Ta的至少一种元素)的记录层，其中记录标记包括含在该记录层中的元素的晶体和该元素的氧化物的晶体。
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公开(公告)号：CN101496105A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780028420.9
申请日：2007-07-27
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/0062 , G11B7/24079 , G11B7/2437 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/2432
Abstract: 提供一种可记录光学记录介质，其包含：基板、记录层以及反射层，其中该记录层和该反射层形成于该基板上，该记录层由无机材料形成，以及利用通过照射蓝色激光导致的在该记录层的不可逆变化，信息记录在该可记录光学记录介质上。
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公开(公告)号：CN101328573A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810134035.9
申请日：2005-08-30
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 一种一次写入多次读取光学记录介质，其能够在蓝色激光波长或更短的波长在，即500nm或更小波长下，特别在邻近405nm的波长下表现出优异的记录－再现性能和高密度记录。为此，本发明的一次写入多次读取光学记录介质包括使用由BiOx(0＜x＜1.5)表示的材料的记录层，其中记录标记包含Bi晶体和/或Bi氧化物晶体。另一种一次写入多次读取光学记录介质包括含有Bi、氧、和M(M表示选自Mg、Al、Cr、Mn、Co、Fe、Cu、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Mo、V、Nb、Y、和Ta的至少一种元素)的记录层，其中记录标记包括含在该记录层中的元素的晶体和该元素的氧化物的晶体。
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公开(公告)号：CN101037766A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710085608.9
申请日：2007-03-01
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: C23C14/08 , C23C14/0036 , C23C14/3414 , G11B7/243 , G11B7/2585 , G11B7/266 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/2432 , H01J37/34 , H01J37/3414 , H01J37/3429 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种以含有Bi和B为特征的用于制作追记型光记录介质的溅射靶及其制造方法、使用该溅射靶的追记型高密度光记录介质，以及可以提高制膜速度来提高生产性、制膜时的强度高、并且提高了填充密度的用于制作追记型光记录介质的溅射靶。
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公开(公告)号：CN1942936A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580011815.9
申请日：2005-04-18
Applicant: 株式会社理光
IPC: G11B7/0045 , G11B7/125
Abstract: 本发明公开了一种记录和再现方法，用于在/从包括导槽和记录层的光记录介质上记录/再现数据。所述记录/再现方法包括步骤：通过将激光辐射时间和激光辐射强度的至少一个调制为两个或多个值来向光记录介质上辐射激光束；其中，将再现功率(Pr)和偏置功率(Pbi)的比率Pbi/Pr设置到不小于0.5的值；其中，通过总是提供具有功率级的激光束来记录数据，所述功率级包括被加到偏置功率(Pbi)的再现功率(Pr)。
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