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    光学记录介质
    12.
    发明授权
    光学记录介质 失效

    公开(公告)号：CN101400522B

    公开(公告)日：2011-12-14

    申请号：CN200780008367.6

    申请日：2007-03-02

    Applicant: 株式会社理光

    Inventor： 出口浩司 ,  日比野荣子 ,  大仓浩子 ,  伊藤和典 ,  让原肇 ,  岩佐博之

    IPC: B41M5/26 ,  G11B7/24 ,  G11B7/243 ,  G11B7/254 ,  G11B7/257

    CPC classification number: G11B7/243 ,  G11B7/257 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  Y10T428/21

    Abstract: 具有第一保护层、记录层、第二保护层和反射层的光学记录介质，其中记录层含有式(1-1)、式(1-2)或式(1-3)表示的相变材料；第二保护层含有一种选自氧化锌、氧化铟、氧化锡、它们的混合物、式(2)的材料和式(3)的材料的材料。式(1-1)：Inα1Sbβ1X1γ1(X1：Ge、Te、Zn、Mn或它们的混合物，0.10≤α1≤0.25、0.65≤β1≤0.80和0.04≤γ1≤0.15)式(1-2)：Gaα2Sbβ2Snγ2Geδ2X2ε2(X2：Te、Zn、Mn、In或它们的混合物，0.04≤α2≤0.09、0.56≤β2≤0.79、0.05≤γ2≤0.30、0.03≤δ2≤0.19和0≤ε2≤0.09)式(1-3)：Mnα3Sbβ3Snγ3Geδ3X3ε3(X3：Te、In、Zn、Bi或它们的混合物，0.04≤α3≤0.09、0.56≤β3≤0.79、0.05≤γ3≤0.29、0.03≤δ3≤0.23和0≤ε3≤0.09)式(2)：ZnO-Al-Y[(100-α4-β4):α4:β4](Y：Mn、Ge、Ti或它们的混合物，0.5≤α4≤10.0和0≤β4≤25.0)式(3)：ZnO-Al2O3-Z[(100-α5-β5):α5:β5](Z：氧化锰、氧化锗、二氧化钛或它们的混合物，0.5≤α5≤10.0和0≤β5≤30.0)。

    相变型光记录介质的光记录方法和光记录装置
    13.
    发明授权
    相变型光记录介质的光记录方法和光记录装置 失效

    公开(公告)号：CN100440331C

    公开(公告)日：2008-12-03

    申请号：CN200480023487.X

    申请日：2004-08-24

    Applicant: 株式会社理光

    Inventor： 让原肇 ,  出口浩司 ,  山田胜幸 ,  鸣海慎也 ,  安部美树子 ,  日比野荣子 ,  三浦裕司

    IPC: G11B7/0045 ,  G11B7/125 ,  G11B7/007 ,  G11B7/24

    Abstract: 本发明提供一种光记录方法，在该光记录方法中使用的光记录介质及光记录装置，该光记录方法在对相变型光记录介质进行记录时，记录光由加热脉冲和冷却脉冲的脉冲串和用于消除的光构成，用峰功率(Pp)、底功率(Pb)以及消除脉冲(Pe)三个值控制照射功率，并在光记录介质中的可能的最低记录线速度和最高记录线速度的范围内，使Pe/Pp、Pp、Pb以及Pe的至少一个可变，进而使各脉冲照射时间与对应于记录线速度的时钟T成比例地变化的记录方法中，将抖动急剧恶化而表示极大值的记录线速度作为特异记录线速度，从比该特异记录线速度慢的特定记录线速度开始，至少使所述Pe/Pp变化来进行记录。

    光学记录方法
    14.
    发明授权
    光学记录方法 失效

    公开(公告)号：CN1241183C

    公开(公告)日：2006-02-08

    申请号：CN200310124894.7

    申请日：2003-12-18

    Applicant: 株式会社理光

    Inventor： 让原肇 ,  安部美树子 ,  出口浩司 ,  日比野荣子 ,  三浦裕司 ,  伊藤和典 ,  安倍通治

    IPC: G11B7/0045 ,  G11B7/125

    CPC classification number: G11B7/0062

    Abstract: 一种将信息记录到相变光记录介质的光学记录方法，所述方法通过交替应用以脉冲方式的峰值功率和偏置功率、并且以与窗口宽度Tw成比例的间隔和固定间隔从所述记录介质的内圆周部分到外圆周部分连续改变脉冲应用间隔、而把信息记录到所述记录介质，该方法包括步骤：通过从数据输入脉冲信号起始时间延时目标标记长度nTw，其中，n表示3和14的范围内的整数；及通过离散地改变关于每一个线速度的比例系数与窗口宽度Tw成比例地改变所述延时；而开始顶部峰值功率应用间隔。

    光学记录介质
    17.
    发明公开
    光学记录介质 失效

    公开(公告)号：CN101400522A

    公开(公告)日：2009-04-01

    申请号：CN200780008367.6

    申请日：2007-03-02

    Applicant: 株式会社理光

    Inventor： 出口浩司 ,  日比野荣子 ,  大仓浩子 ,  伊藤和典 ,  让原肇 ,  岩佐博之

    IPC: B41M5/26 ,  G11B7/24 ,  G11B7/243 ,  G11B7/254 ,  G11B7/257

    CPC classification number: G11B7/243 ,  G11B7/257 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  Y10T428/21

    Abstract: 具有第一保护层、记录层、第二保护层和反射层的光学记录介质，其中记录层含有式(1－1)、式(1－2)或式(1－3)表示的相变材料；第二保护层含有一种选自氧化锌、氧化铟、氧化锡、它们的混合物、式(2)的材料和式(3)的材料的材料。式(1－1)：Inα1Sbβ1X1γ1(X1：Ge、Te、Zn、Mn或它们的混合物，0.10≤α1≤0.25、0.65≤β1≤0.80和0.04≤γ1≤0.15)；式(1－2)：Gaα2Sbβ2Snγ2Geδ2X2ε2(X2：Te、Zn、Mn、In或它们的混合物，0.04≤α2≤0.09、0.56≤β2≤0.79、0.05≤γ2≤0.30、0.03≤δ2≤0.19和0≤ε2≤0.09)；式(1－3)：Mnα3Sbβ3Snγ3Geδ3X3ε3(X3：Te、In、Zn、Bi或它们的混合物，0.04≤α3≤0.09、0.56≤β3≤0.79、0.05≤γ3≤0.29、0.03≤δ3≤0.23和0≤ε3≤0.09)；式(2)：ZnO－Al－Y[(100－α4－β4):α4:β4](Y：Mn、Ge、Ti或它们的混合物，0.5≤α4≤10.0和0≤β4≤25.0)；式(3)：ZnO－Al2O3－Z[(100－α5－β5):α5:β5](Z：氧化锰、氧化锗、二氧化钛或它们的混合物，0.5≤α5≤10.0和0≤β5≤30.0)。

    光学记录介质
    20.
    发明公开
    光学记录介质 失效

    公开(公告)号：CN101018672A

    公开(公告)日：2007-08-15

    申请号：CN200580030664.1

    申请日：2005-07-14

    Applicant: 株式会社理光

    Inventor： 让原肇 ,  花冈克成 ,  柴田清人 ,  金子裕治郎 ,  岩佐博之

    IPC: B41M5/26 ,  G11B7/24

    Abstract: 一种光学记录介质，其包括利用与由激光束辐射引起的非晶相和晶相之间的可逆相变相关的光学常数的层。该相变记录层包括Ge、Sb、Sn、Mn和X。X代表选自于In、Bi、Te、Ag、Al、Zn、Co、Ni和Cu中的至少一种元素。当其各个含量的关系由GeαSbβSnγMnδXε表示且α、β、γ、δ和ε的元素分别满足下面的数学表达式：α+β+γ+δ+ε＝100时，5≤α≤25，45≤β≤75，1 0≤γ≤30，0.5≤δ≤20和0≤ε≤15(原子％)，并且Ge、Sb、Sn、Mn和X的总含量为该相变记录层总量的至少95原子％。

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