光记录媒体及其制造方法和记录再现方法

    公开(公告)号:CN1764964A

    公开(公告)日:2006-04-26

    申请号:CN200480008279.2

    申请日:2004-03-25

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种光记录媒体及其制造方法和记录再现方法,其以与DVD-ROM同容量且即使记录速度超过4倍速的记录速度,也能得到足够的对焦特性,能抑制调制度的面内变动,能进行可靠性高的记录。为此,提供一种光记录媒体,其是在具有基板,和在该基板上至少具有记录层和反射层的光记录媒体中,所述基板具有厚度的设定中心值,在基板厚度是在离该设定中心值的一定范围内时,所述光记录媒体的轴向加速度具有最大容许值,且随着从该设定中心值偏离的量超过一定范围,而所述光记录媒体轴向加速度的最大容许值减小。

    光记录媒体
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1856830A

    公开(公告)日:2006-11-01

    申请号:CN200480027873.6

    申请日:2004-09-27

    Abstract: 本发明提供一种记录灵敏度良好且反复记录特性良好的相当于DVD的3~10倍速度(10m/s~36m/s)的高速记录用的光记录媒体。本发明的光记录媒体在透明基板上至少设有:第一保护层;相变化记录层,其最高记录线速度大于或等于10.0m/s,能够以10.0m/s~36.0m/s之间的至少任一线速度进行重写;第二保护层;反射层,其导热率大于或等于300W/m·K,在第二保护层和反射层之间设有由膜厚大于或等于0.5nm、小于或等于8nm且导热率小于或等于7W/m·K的低导热率材料构成的层。

    光学记录介质
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101053027B

    公开(公告)日:2011-06-08

    申请号:CN200580037779.3

    申请日:2005-09-07

    Abstract: 一种光学记录介质包含由其中含有至少四种元素Ga、Sb、Sn和Ge并且转变线速度为20m/s-30m/s的相变记录材料组成的记录层,并且当记录/复制光的波长处于650nm-665nm范围内并且记录线速度为20m/s-28m/s时,记录层在晶态下的折射率Nc和消光系数Kc以及在非晶态下的折射率Na和消光系数Ka分别满足以下数值表达式:2.0≤Nc≤3.0,4.0≤Kc≤5.0,4.0≤Na≤5.0,和2.5≤Ka≤3.1,并且在20m/s-28m/s的记录线速度范围内可记录信息。

    相变型光记录介质及其记录方法

    公开(公告)号:CN100533557C

    公开(公告)日:2009-08-26

    申请号:CN200310125199.2

    申请日:2003-12-27

    Abstract: 一种根据标志长度调制通过辐射脉冲式光束到相变型光记录介质的晶相变记录层上形成记录标记的记录方法,所述相变型光记录介质至少由相变记录层和基底上的反射层组成。当形成尺寸小于或等于预定尺寸N的记录标记时,所述记录方法辐射由单个记录脉冲形成的光束,所述预定尺寸N依据参考尺寸设置,所述参考尺寸是所述光束的聚束点直径与所述光束在其功率上升和下降的时间常数之和的时间之内移动的距离之和,以及当形成尺寸大于所述预定尺寸N的记录标记时,辐射由较多数目记录脉冲形成的光束。

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