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公开(公告)号：CN104904056B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201380069409.2
申请日：2013-11-11
Applicant: 株式会社理光 , 国立大学法人九州大学
IPC: H01M10/052 , H01G11/62 , H01G11/64 , H01M10/0567 , H01M10/0568 , H01M10/0569
CPC classification number: H01G9/035 , H01G9/04 , H01G9/145 , H01G11/62 , H01G11/64 , H01M4/583 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0567 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M2220/20 , H01M2220/30 , H01M2300/0028 , Y02E60/13
Abstract: 提供非水电解质电容器元件，其包含：包含能够嵌入和脱嵌阴离子的正极活性材料的正极；包含负极活性材料的负极；和非水电解质，其包含非水溶剂、含卤素原子的电解质盐、和具有能够与含卤素原子的阴离子键合的部位的化合物。
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公开(公告)号：CN105074990A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201380073306.3
申请日：2013-12-25
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01M10/052 , H01G11/06 , H01G11/22 , H01G11/62 , H01M10/0568
CPC classification number: H01M10/0525 , H01G11/06 , H01G11/32 , H01G11/62 , H01M4/133 , H01M4/587 , H01M10/0568 , H01M2004/021 , H01M2300/0025 , Y02E60/13
Abstract: 提供非水电解质蓄电元件，其包含：包含能够积蓄和释放阴离子的正极活性材料的正极；包含能够积蓄和释放阳离子的负极活性材料的负极；和包含电解质盐的非水电解质，其中每单位面积的负极的容量大于每单位面积的正极的容量，和其中在50次充电和放电循环之后在充电完成时非水电极中的电解质盐的量为0.2mol/L-1mol/L，其中所述充电和放电循环包含将所述非水电解质蓄电元件以0.5mA/cm2的恒定电流充电至5.2V，之后将所述非水电解质蓄电元件以0.5mA/cm2的恒定电流放电至2.5V。
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公开(公告)号：CN101371305A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780002984.5
申请日：2007-01-18
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00454 , G11B7/006 , G11B7/2531 , G11B7/2534 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B2007/24314 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 提供了一种光学记录介质，其中产生数量足够小的引起错误的短标记以实现优异的高级记录特性，并且其中非晶标记的形状均匀。该光学记录介质包括：第一保护层；含Sb作为主要成分的记录层；第二保护层；和反射层，依次设置该第一保护层、记录层、第二保护层、和反射层，其中光穿过该介质以进行信息的记录和再现，其中，该第一保护层和/或第二保护层由结晶氧化物形成，该第一保护层和第二保护层都与记录层接触。
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公开(公告)号：CN101208744A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200680019730.X
申请日：2006-03-31
Applicant: 株式会社理光
IPC: G11B7/0045 , G11B7/125
Abstract: 用标记长度记录方法记录信息的光记录方法，其中非晶标记和晶体间隙仅记录在具有导向槽的基底的槽中，标记和间隙的临时长度为nT(T表示基准时钟周期；n表示自然数)。间隙至少通过擦除功Pe率的脉冲形成；所有的4T或更长的标记通过交替照射功率Pw的加热脉冲和功率Pb的冷却脉冲且Pw＞Pb的多脉冲形成；并且Pe和Pw满足以下的关系：0.15≤Pe/Pw≤0.4，且0.4≤τw/(τw+τb)≤0.8，其中τw表示加热脉冲的长度之和，τb表示冷却脉冲的长度之和。
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公开(公告)号：CN104995783A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201380073246.5
申请日：2013-12-12
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01M10/052 , H01M4/13 , H01M4/133 , H01M10/0566
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M4/133 , H01M4/583 , H01M4/587 , H01M10/052 , H01M10/0566 , H01M2004/021 , H01M2010/4292
Abstract: 提供非水电解质蓄电元件，其包含：正极，其包含包括能够可逆地积蓄和释放阴离子的正极活性材料的正极材料层；负极，其包含包括能够可逆地积蓄和释放阳离子的负极活性材料的负极材料层；设置在所述正极和所述负极之间的隔板；和包含电解质盐的非水电解质,其中所述负极的每单位面积的负极材料层的孔体积大于所述正极的每单位面积的正极材料层的孔体积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104904056A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201380069409.2
申请日：2013-11-11
Applicant: 株式会社理光 , 国立大学法人九州大学
IPC: H01M10/052 , H01G11/62 , H01G11/64 , H01M10/0567 , H01M10/0568 , H01M10/0569
CPC classification number: H01G9/035 , H01G9/04 , H01G9/145 , H01G11/62 , H01G11/64 , H01M4/583 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0567 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M2220/20 , H01M2220/30 , H01M2300/0028 , Y02E60/13
Abstract: 提供非水电解质电容器元件，其包含：包含能够嵌入和脱嵌阴离子的正极活性材料的正极；包含负极活性材料的负极；和非水电解质，其包含非水溶剂、含卤素原子的电解质盐、和具有能够与含卤素原子的阴离子键合的部位的化合物。
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公开(公告)号：CN1942937B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200680000015.1
申请日：2006-03-02
Applicant: 株式会社理光
IPC: G11B7/0045 , G11B7/125
CPC classification number: G11B7/126 , G11B7/0045
Abstract: 本发明涉及一种用于多层光记录介质的记录方法，所述多层光记录介质包括M个相变记录层，并且M≥2。所述方法包括：通过利用包括多个激光束脉冲的记录脉冲串而用激光照射所述记录层中的第K个，在第K记录层中记录标记。用于第K记录层的记录脉冲串具有t(K)[T]的周期，第1记录层是与激光束最近的记录层，并且第M记录层是与激光束最远的记录层，T是时钟周期。满足以下关系：t(1)＜t(M)，并且记录脉冲串的周期在激光束照射的方向上从一个记录层到下一个记录层不减小。
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公开(公告)号：CN101356577A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200780001349.5
申请日：2007-08-14
Applicant: 株式会社理光
IPC: G11B7/0045 , G11B7/125
Abstract: 一种信息记录方法，该方法通过根据记录策略照射光束脉冲到信息记录介质上，在以具有nT时长的记录标记的形式的信息记录介质上记录信息，所述记录策略包含下列步骤：通过将所述光束脉冲的功率控制到至少三个值Pw、Pb和Pe之一(Pw＞Pe＞Pb)，并且交替地照射具有被设置到Pw的功率的加热脉冲和具有被设置到Pb的功率的冷却脉冲到所述信息记录介质上，在所述记录介质上形成所述记录标记；通过照射具有所述功率Pe的所述光束脉冲而在所述记录介质上在所述记录标记之后形成空区，每当所述记录标记的所述时长增加2T时，所述记录策略将所述加热脉冲的数量增加1，当形成至少2T时长的记录标记时，所述记录策略分别至少在形成2T空区长度的情况和形成3T空区长度或更长空区长度的情况下，在当前形成的记录标记之前或之后，为第一加热脉冲设置加热脉冲起始时间sTtop和加热脉冲终止时间eTtop。
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公开(公告)号：CN101019178A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200680000836.5
申请日：2006-05-19
Applicant: 株式会社理光
IPC: G11B7/24 , G11B7/005 , G11B7/258 , G11B7/007 , G11B7/0045
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00454 , G11B7/0052 , G11B7/24038 , G11B7/24079 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715
Abstract: 一种双层结构相变型光记录介质，包括：基底(1)、反射层(2)、第一保护层(3)、第一记录层(4)、第二保护层(5)、树脂中间层(6)、第三保护层(7)、由Cu或者Cu合金层构成的排热层(8)、第四保护层(9)、第二记录层(10)、第五保护层(11)、以及覆盖基底(12)。高反射部分的反射比与记录之后的调制的乘积为等于或高于用于再现的下限值的值。
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