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公开(公告)号：CN101971294A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980108416.2
申请日：2009-04-17
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/2236 , H01L21/76829 , H01L21/76838 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66575 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够省略在纯Al或Al合金的Al系合金配线与半导体层之间的阻障金属层的直接接触技术，其是可以在宽的工艺余度的范围将Al系合金配线与半导体层直接且可靠地连接的技术。本发明涉及一种配线结构，其为在基板之上从基板侧开始依次具备半导体层、纯Al或Al合金的Al系合金膜的配线结构，在所述半导体层和所述Al系合金膜之间含有从基板侧开始依次为(N、C、F)层以及Al-Si扩散层的层叠结构，所述(N、C、F)层为含有选自氮、碳和氟中的至少一种元素的层，所述Al-Si扩散层含有Al和Si，且所述(N、C、F)层中所含的氮、碳和氟中的至少一种的元素与所述半导体层中所含的Si结合。
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公开(公告)号：CN103828039B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280046682.9
申请日：2012-07-26
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L23/36
CPC classification number: F28F21/08 , B21C23/002 , B21C23/007 , B21C23/22 , B23P15/26 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L2224/32225 , H01L2924/1301 , H01L2924/13033 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , Y10T29/49826 , H01L2924/00
Abstract: 一种散热板，在一方的面上接合有被接合构件，且在另一方的面上接触有冷却构件，其中，具备热膨胀率比所述被接合构件大的金属板，所述金属板具备将所述被接合构件接合的中央部和以包围所述中央部的方式形成为回旋放射状的多个线状的周边狭缝。
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公开(公告)号：CN103828039A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280046682.9
申请日：2012-07-26
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L23/36
CPC classification number: F28F21/08 , B21C23/002 , B21C23/007 , B21C23/22 , B23P15/26 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L2224/32225 , H01L2924/1301 , H01L2924/13033 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , Y10T29/49826 , H01L2924/00
Abstract: 一种散热板，在一方的面上接合有被接合构件，且在另一方的面上接触有冷却构件，其中，具备热膨胀率比所述被接合构件大的金属板，所述金属板具备将所述被接合构件接合的中央部和以包围所述中央部的方式形成为回旋放射状的多个线状的周边狭缝。
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公开(公告)号：CN102345169B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201110213666.1
申请日：2011-07-28
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明提供一种排列有大型的多边形金刚石晶粒的阵列化金刚石膜，通过容易地使避开晶界的元件配置形成，由此，能够实质上与在单晶基板上同等地高效地制造高性能的元件，并通过沿着晶界分割从而能够容易地制造元件。该阵列化金刚石膜是在不同种材料的结晶基板上，接着其结晶方位的信息开始成长的高取向金刚石膜，其中，在表面中，多边形金刚石晶粒以重心间距离为20μm以上的二维重复图案排列。
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公开(公告)号：CN102345169A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110213666.1
申请日：2011-07-28
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 提供一种排列有大型的多边形金刚石晶粒的阵列化金刚石膜，通过容易地使避开晶界的元件配置形成，由此，能够实质上与在单晶基板上同等地高效地制造高性能的元件，并通过沿着晶界分割从而能够容易地制造元件。该阵列化金刚石膜是在不同种材料的结晶基板上，接着其结晶方位的信息开始成长的高取向金刚石膜，其中，在表面中，多边形金刚石晶粒以重心间距离为20μm以上的二维重复图案排列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101395246A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200780007193.1
申请日：2007-02-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明提供一种射束检测构件及使用了该构件的射束检测器，能够高精度且长期稳定地检测放射光束和软X线射束等的位置及其强度分布，还有它们时间的变化，能够用比现有的检测装置更低的成本制造。用于检测射束的位置和强度的射束检测构件(2)，照射射束的射束照射部由多晶金刚石(C)膜(4)构成，该多晶金刚石(C)膜含有X/C＝0.1～1000ppm至少选自硅(Si)、氮(N)、锂(Li)、铍(Be)、硼(B)、磷(P)、硫(S)、镍(Ni)、钒(V)中的一种或两种以上的元素(X)，且具有当向该多晶金刚石膜(4)照射上述射束时发光(8)、(8a)的发光功能。通过这种射束检测构件(2)和观测上述发光现象的发光观测装置(3)、(3a)构成射束检测器(1)。
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公开(公告)号：CN100433369C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200510009027.8
申请日：2005-02-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G01J1/429 , G01J2001/0276 , H01L31/028 , H01L31/09 , H01L31/1085 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/10253 , H01L2924/12032 , Y02E10/547 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种紫外线传感器，它包括衬底；位于衬底上用作探测器的金刚石层；以及至少一对排列在金刚石层上的表面电极。此金刚石层的表面处具有探测区，此探测器具有至少一个从表面电极暴露的子区，且此子区具有位于其上的由氧化物或氟化物组成的覆盖层。一种制造紫外线传感器的方法，它包括下列步骤：在衬底上形成用作探测器的金刚石层；在金刚石层上形成至少一对表面电极；以及在存在于金刚石层表面处的探测区的至少一个子区上，形成由氧化物或氟化物组成的覆盖层，此子区被从表面电极暴露。
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公开(公告)号：CN1674301A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510009027.8
申请日：2005-02-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G01J1/429 , G01J2001/0276 , H01L31/028 , H01L31/09 , H01L31/1085 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/10253 , H01L2924/12032 , Y02E10/547 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种紫外线传感器，它包括衬底；位于衬底上用作探测器的金刚石层；以及至少一对排列在金刚石层上的表面电极。此金刚石层的表面处具有探测区，此探测器具有至少一个从表面电极暴露的子区，且此子区具有位于其上的由氧化物或氟化物组成的覆盖层。一种制造紫外线传感器的方法，它包括下列步骤：在衬底上形成用作探测器的金刚石层；在金刚石层上形成至少一对表面电极；以及在存在于金刚石层表面处的探测区的至少一个子区上，形成由氧化物或氟化物组成的覆盖层，此子区被从表面电极暴露。
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公开(公告)号：CN103534789B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201280022035.4
申请日：2012-05-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/28 , C22C21/00 , C22F1/00 , C22F1/04 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L23/53219 , C22C21/00 , C22C21/02 , C22C21/12 , C22C21/14 , C22F1/04 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01J37/3429 , H01L21/2855 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L2924/0002 , Y10T428/12431 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体装置用Al合金膜，其即使被曝露在高温下时，小丘的发生也得到抑制而耐热性优异，且膜自身的电阻率抑制得很低。本发明涉及半导体装置用Al合金膜，其特征在于，在进行以500℃保持30分钟的加热处理之后，全部满足下述（a）～（c），且膜厚为500nm～5μm：（a）Al基体的最大粒径为800nm以下；（b）小丘密度低于1×109个/m2；（c）电阻率为10μΩcm以下。
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公开(公告)号：CN102263073B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201110145074.0
申请日：2011-05-24
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L23/373 , H01L21/48 , H01S5/024
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种金刚石和铝的接合体及其制造方法，其具有用于安装金刚石板和功率半导体器件等的发热物的由纯铝或铝合金构成的金属膜，即使用2cm大小级别的大面积的金属膜，金刚石板和该金属膜的附着性也很高，翘曲小。一种金刚石和铝的接合体，其在金刚石板(11)上，按照从该金刚石板(11)侧开始的顺序，具有由含硅铝合金构成的中间层(31)和由纯铝或铝合金构成的金属膜(21)。
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