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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1804116A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510131594.0
申请日：2005-11-29
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C30B29/04 , C23C16/0272 , C23C16/274 , C23C16/277 , C23C16/279 , C30B25/105 , H01L29/045 , H01L29/1602 , Y10T428/30
Abstract: 一种具有平坦表面、几乎不含有非定向生长晶体的高定向金刚石薄膜，具有通过化学气相沉积方法并使用甲烷和氢气的气体混合物作为原料气体、由(111)晶面生长而沉积的第一金刚石层和在第一金刚石层上通过等离子化学气相沉积方法并使用甲烷、氢气及氧气为原料气体、由(100)晶面生长而沉积的第二金刚石层，其中在生长第二金刚石层时原料气体的压力为133hPa或更高，原料气体的成分为：([C]－[O])/[CH3+H2+O2]大于等于－0.2×10－2、[O]/[C]小于等于1.2、基底温度为750－1000℃。
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公开(公告)号：CN1804116B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200510131594.0
申请日：2005-11-29
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C30B29/04 , C23C16/0272 , C23C16/274 , C23C16/277 , C23C16/279 , C30B25/105 , H01L29/045 , H01L29/1602 , Y10T428/30
Abstract: 一种具有平坦表面、几乎不含有非定向生长晶体的高定向金刚石薄膜，具有通过化学气相沉积方法并使用甲烷和氢气的气体混合物作为原料气体、由(111)晶面生长而沉积的第一金刚石层和在第一金刚石层上通过等离子化学气相沉积方法并使用甲烷、氢气及氧气为原料气体、由(100)晶面生长而沉积的第二金刚石层，其中在生长第二金刚石层时原料气体的压力为133hPa或更高，原料气体的成分为：([C]-[O])/[CH3+H2+O2]大于等于-0.2×10-2、[O]/[C]小于等于1.2、基底温度为750-1000℃。
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公开(公告)号：CN101395246A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200780007193.1
申请日：2007-02-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明提供一种射束检测构件及使用了该构件的射束检测器，能够高精度且长期稳定地检测放射光束和软X线射束等的位置及其强度分布，还有它们时间的变化，能够用比现有的检测装置更低的成本制造。用于检测射束的位置和强度的射束检测构件(2)，照射射束的射束照射部由多晶金刚石(C)膜(4)构成，该多晶金刚石(C)膜含有X/C＝0.1～1000ppm至少选自硅(Si)、氮(N)、锂(Li)、铍(Be)、硼(B)、磷(P)、硫(S)、镍(Ni)、钒(V)中的一种或两种以上的元素(X)，且具有当向该多晶金刚石膜(4)照射上述射束时发光(8)、(8a)的发光功能。通过这种射束检测构件(2)和观测上述发光现象的发光观测装置(3)、(3a)构成射束检测器(1)。
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公开(公告)号：CN100378974C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200310114841.7
申请日：2003-11-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L23/373
CPC classification number: H01L23/3732 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种散热器和使用了该散热器的半导体元件和半导体封装体。在本发明的带有散热器的半导体元件和半导体封装体中，在半导体元件的背面上直接接合了由金刚石层或碳化硅和氮化铝等的陶瓷层构成的具有高热传导特性的散热器。在半导体元件的制作工序前、工序中或工序后的任一过程中，将该散热器直接覆盖并形成在作为基体材料的硅晶片或芯片上。利用这样的结构使半导体元件的散热特性良好，同时可一同提高半导体元件的安装可靠性和散热片的接合可靠性。此外，在本发明的散热器中，经高分子粘接层将金属或陶瓷构件覆盖在金刚石层上。金刚石层的结晶在金刚石层的厚度方向上具有纤维状结构或微结晶。金刚石层的与该由金属或陶瓷构成的构件的接合面具有纤毛状结构。该结构作为半导体封装体的冷却散热器，其散热特性极为良好，其本身具有足够的强度、平面性和气密性，而且与半导体元件和陶瓷等的构成封装体本体的密封材料的粘接性是良好的。
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公开(公告)号：CN1499620A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310114841.7
申请日：2003-11-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L23/373
CPC classification number: H01L23/3732 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种散热器和使用了该散热器的半导体元件和半导体封装体。在本发明的带有散热器的半导体元件和半导体封装体中，在半导体元件的背面上直接接合了由金刚石层或碳化硅和氮化铝等的陶瓷层构成的具有高热传导特性的散热器。在半导体元件的制作工序前、工序中或工序后的任一过程中，将该散热器直接覆盖并形成在作为基体材料的硅晶片或芯片上。利用这样的结构使半导体元件的散热特性良好，同时可一同提高半导体元件的安装可靠性和散热片的接合可靠性。此外，在本发明的散热器中，经高分子粘接层将金属或陶瓷构件覆盖在金刚石层上。金刚石层的结晶在金刚石层的厚度方向上具有纤维状结构或微结晶。金刚石层的与该由金属或陶瓷构成的构件的接合面具有纤毛状结构。该结构作为半导体封装体的冷却散热器，其散热特性极为良好，其本身具有足够的强度、平面性和气密性，而且与半导体元件和陶瓷等的构成封装体本体的密封材料的粘接性是良好的。
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