研磨方法及研磨装置
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108025419A

    公开(公告)日:2018-05-11

    申请号:CN201680056103.7

    申请日:2016-07-13

    Inventor: 吉田博

    Abstract: 本发明涉及一种研磨沿着基板周向存在膜厚不均匀的基板表面的方法及装置。研磨方法是,取得基板(W)的周向上的膜厚分布,依据膜厚分布决定具有最大或最小的膜厚的第一区域,使保持有研磨垫(2)的研磨台(3)旋转,通过研磨头(1)使基板旋转,同时将基板(W)的表面按压于研磨垫(2),采用与基板(W)表面中的第二区域的除去率不同的除去率研磨第一区域。

    衬底保持设备以及抛光装置

    公开(公告)号:CN101474772A

    公开(公告)日:2009-07-08

    申请号:CN200910006163.X

    申请日:2005-12-06

    CPC classification number: B24B37/30

    Abstract: 一种根据本发明的衬底保持设备,其包括将与衬底的后表面接触的弹性膜,用于固定该弹性膜的至少一部分的附着构件,以及在当衬底与该弹性膜接触时用于保持该衬底的外围部分的保持环。弹性薄膜包括至少一个突出部分,而附着构件包括至少一个啮合部分,该啮合部分与弹性膜的该至少一个突出部分的侧表面啮合。弹性膜进一步包括波纹部分,该波纹部分可以在挤压方向上膨胀,以允许弹性膜挤压衬底,且该波纹部分可以沿着挤压方向收缩。

    基板保持装置和抛光装置
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100423203C

    公开(公告)日:2008-10-01

    申请号:CN02824391.9

    申请日:2002-12-06

    Abstract: 本涉及一种在研磨半导体晶片等基板后进行平坦化的抛光装置中保持该基板(W)并按压在研磨面上的基板保持装置。本发明的基板保持装置具备内部具有容纳空间的顶圈(top ring)主体(2)、和可在顶圈主体的容纳空间内上下运动的上下运动部件(206),在上下运动部件的下表面上装配具备弹性膜的相接部件(209),相接部件的弹性膜(291)具备在具有向外凸出的外延凸缘(291a)的同时直接或间接相接于基板的相接部(291b);和从相接部的外延凸缘基部(291d)向上延伸并连接于上下运动部件的连接部(291c),连接部由比相接部更富伸缩性的材质形成。

    基板保持装置和抛光装置
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1698185A

    公开(公告)日:2005-11-16

    申请号:CN02824391.9

    申请日:2002-12-06

    Abstract: 本涉及一种在研磨半导体晶片等基板后进行平坦化的抛光装置中保持该基板(W)并按压在研磨面上的基板保持装置。本发明的基板保持装置具备内部具有容纳空间的顶圈(topring)主体(2)、和可在顶圈主体的容纳空间内上下运动的上下运动部件(206),在上下运动部件的下表面上装配具备弹性膜的相接部件(209),相接部件的弹性膜(291)具备在具有向外凸出的外延凸缘(291a)的同时直接或间接相接于基板的相接部(291b):和从相接部的外延凸缘基部(291d)向上延伸并连接于上下运动部件的连接部(291c),连接部由比相接部更富伸缩性的材质形成。

    基板保持装置和抛光装置
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101096077B

    公开(公告)日:2011-03-23

    申请号:CN200710136812.9

    申请日:2002-12-06

    Abstract: 本涉及一种在研磨半导体晶片等基板后进行平坦化的抛光装置中保持该基板(W)并按压在研磨面上的基板保持装置。本发明的基板保持装置具备内部具有容纳空间的顶圈(top ring)主体(2)、和可在顶圈主体的容纳空间内上下运动的上下运动部件(206),在上下运动部件的下表面上装配具备弹性膜的相接部件(209),相接部件的弹性膜(291)具备在具有向外凸出的外延凸缘(291a)的同时直接或间接相接于基板的相接部(291b):和从相接部的外延凸缘基部(291d)向上延伸并连接于上下运动部件的连接部(291c),连接部由比相接部更富伸缩性的材质形成。

    抛光方法
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101327573A

    公开(公告)日:2008-12-24

    申请号:CN200810131155.3

    申请日:2003-04-17

    Abstract: 本发明的抛光方法,用顶部圆环(23)来保持半导体晶片(W),把该半导体晶片(W)按压到研磨面(10)上进行研磨的抛光方法,其特征在于:把弹性膜(60)安装到能够上下活动的上下活动部件(62)的下面上,在上述顶部圆环(23)内形成压力室(70),把加压流体供给到上述压力室(70)内,利用上述流体的流体压力把半导体晶片W按压到上述研磨面(10)上进行研磨,从上述上下活动部件(62)的中央部上所形成的开口(62a)中喷射出加压流体,这样使研磨后的半导体晶片W从上述顶部圆环(23)上脱离。

    衬底保持装置以及抛光装置

    公开(公告)号:CN1748293A

    公开(公告)日:2006-03-15

    申请号:CN200480003897.8

    申请日:2004-02-04

    Abstract: 本发明涉及一种在将衬底抛光至平整光面的抛光装置中用于保持衬底(W)、例如半导体晶片的衬底保持装置。该衬底保持装置包括一个可垂直移动部件(6)和一个用于限定一腔室(22)的弹性部件(7)。所述弹性部件(7)包括一与所述衬底(W)接触的接触部分(8)和一从所述接触部分(8)向上延伸并与所述可垂直移动部件(6)相连的周壁(9)。所述周壁(9)具有一可垂直伸展和收缩的可伸缩部分(40)。

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