基板保持装置和抛光装置

    公开(公告)号:CN101096077A

    公开(公告)日:2008-01-02

    申请号:CN200710136812.9

    申请日:2002-12-06

    Abstract: 本发明涉及一种在研磨半导体晶片等基板后进行平坦化的抛光装置中保持该基板(W)并按压在研磨面上的基板保持装置。本发明的基板保持装置具备内部具有容纳空间的顶圈(top ring)主体(2)、和可在顶圈主体的容纳空间内上下运动的上下运动部件(206),在上下运动部件的下表面上装配具备弹性膜的相接部件(209),相接部件的弹性膜(291)具备在具有向外凸出的外延凸缘(291a)的同时直接或间接相接于基板的相接部(291b):和从相接部的外延凸缘基部(291d)向上延伸并连接于上下运动部件的连接部(291c),连接部由比相接部更富伸缩性的材质形成。

    基片抛光机
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1525900A

    公开(公告)日:2004-09-01

    申请号:CN02813831.7

    申请日:2002-07-10

    CPC classification number: B24B37/30 B24B37/32

    Abstract: 一种基片抛光机,该抛光机包括:抛光表面;基片托架,其保持基片并使其与抛光表面接触。基片托架包括:托架体;基片保持元件,其保持基片,使基片的被抛光表面直接朝向抛光表面。基片保持元件在托架体上的安装方式,使基片保持元件既可以趋向抛光表面运动也可以远离抛光表面运动。基片抛光机还包括基片保持元件定位装置,该装置设置在基片保持元件的侧面,该侧面与基片保持元件保持基片的侧面相反。基片保持元件定位装置具有一种柔性元件,此元件限定了一种室,此室一经引入不可压缩流体,便朝向抛光表面方向扩展。

    基板保持装置和抛光装置

    公开(公告)号:CN101096077B

    公开(公告)日:2011-03-23

    申请号:CN200710136812.9

    申请日:2002-12-06

    Abstract: 本涉及一种在研磨半导体晶片等基板后进行平坦化的抛光装置中保持该基板(W)并按压在研磨面上的基板保持装置。本发明的基板保持装置具备内部具有容纳空间的顶圈(top ring)主体(2)、和可在顶圈主体的容纳空间内上下运动的上下运动部件(206),在上下运动部件的下表面上装配具备弹性膜的相接部件(209),相接部件的弹性膜(291)具备在具有向外凸出的外延凸缘(291a)的同时直接或间接相接于基板的相接部(291b):和从相接部的外延凸缘基部(291d)向上延伸并连接于上下运动部件的连接部(291c),连接部由比相接部更富伸缩性的材质形成。

    抛光方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101327573A

    公开(公告)日:2008-12-24

    申请号:CN200810131155.3

    申请日:2003-04-17

    Abstract: 本发明的抛光方法,用顶部圆环(23)来保持半导体晶片(W),把该半导体晶片(W)按压到研磨面(10)上进行研磨的抛光方法,其特征在于:把弹性膜(60)安装到能够上下活动的上下活动部件(62)的下面上,在上述顶部圆环(23)内形成压力室(70),把加压流体供给到上述压力室(70)内,利用上述流体的流体压力把半导体晶片W按压到上述研磨面(10)上进行研磨,从上述上下活动部件(62)的中央部上所形成的开口(62a)中喷射出加压流体,这样使研磨后的半导体晶片W从上述顶部圆环(23)上脱离。

    基片抛光机
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100496892C

    公开(公告)日:2009-06-10

    申请号:CN02813831.7

    申请日:2002-07-10

    CPC classification number: B24B37/30 B24B37/32

    Abstract: 一种基片抛光机,该抛光机包括:抛光表面;基片托架,其保持基片并使其与抛光表面接触。基片托架包括:托架体;基片保持元件,其保持基片,使基片的被抛光表面直接朝向抛光表面。基片保持元件在托架体上的安装方式,使基片保持元件既可以趋向抛光表面运动也可以远离抛光表面运动。基片抛光机还包括基片保持元件定位装置,该装置设置在基片保持元件的侧面,该侧面与基片保持元件保持基片的侧面相反。基片保持元件定位装置具有一种柔性元件,此元件限定了一种室,此室一经引入不可压缩流体,便朝向抛光表面方向扩展。

    抛光方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1541151A

    公开(公告)日:2004-10-27

    申请号:CN03800759.2

    申请日:2003-04-17

    Abstract: 本发明的抛光方法,用顶部圆环(23)来保持半导体晶片(W),把该半导体晶片(W)按压到研磨面(10)上进行研磨的抛光方法,其特征在于:把弹性膜(60)安装到能够上下活动的上下活动部件(62)的下面上,在上述顶部圆环(23)内形成压力室(70),把加压流体供给到上述压力室(70)内,利用上述流体的流体压力把半导体晶片W按压到上述研磨面(10)上进行研磨,从上述上下活动部件(62)的中央部上所形成的开口(62a)中喷射出加压流体,这样使研磨后的半导体晶片W从上述顶部圆环(23)上脱离。

    基板保持装置和抛光装置

    公开(公告)号:CN100423203C

    公开(公告)日:2008-10-01

    申请号:CN02824391.9

    申请日:2002-12-06

    Abstract: 本涉及一种在研磨半导体晶片等基板后进行平坦化的抛光装置中保持该基板(W)并按压在研磨面上的基板保持装置。本发明的基板保持装置具备内部具有容纳空间的顶圈(top ring)主体(2)、和可在顶圈主体的容纳空间内上下运动的上下运动部件(206),在上下运动部件的下表面上装配具备弹性膜的相接部件(209),相接部件的弹性膜(291)具备在具有向外凸出的外延凸缘(291a)的同时直接或间接相接于基板的相接部(291b);和从相接部的外延凸缘基部(291d)向上延伸并连接于上下运动部件的连接部(291c),连接部由比相接部更富伸缩性的材质形成。

    抛光装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1708378A

    公开(公告)日:2005-12-14

    申请号:CN200380102402.2

    申请日:2003-11-04

    CPC classification number: B24B47/22 B24B37/30 B24B49/16 H01L21/30625

    Abstract: 本发明涉及一种抛光装置,所述抛光装置具有一个其上具有一抛光面(10)的抛光工作台(12)和一个使得一个工件(W)得以压靠于所述抛光面(10)上的顶环(20)。所述顶环(20)具有一个壳体(40)和一个可在所述壳体(20)中垂直移动以支撑所述工件(W)之外周缘的限位环(44)。所述抛光装置具有一个可使得所述顶环(20)垂直移动的移动机构,一个可连同所述顶环(20)垂直移动的支架(28),一个其垂直位置可被调节以阻止所述支架(28)之下移的挡块(32)以及一个用以检测所述挡块(32)和所述支架(28)之间距离的传感器(36)。所述抛光装置还包括一个基于来自所述传感器(36)之距离信号调节所述挡块(32)之所述垂直位置的控制总成(34)。

    基板保持装置和抛光装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1698185A

    公开(公告)日:2005-11-16

    申请号:CN02824391.9

    申请日:2002-12-06

    Abstract: 本涉及一种在研磨半导体晶片等基板后进行平坦化的抛光装置中保持该基板(W)并按压在研磨面上的基板保持装置。本发明的基板保持装置具备内部具有容纳空间的顶圈(topring)主体(2)、和可在顶圈主体的容纳空间内上下运动的上下运动部件(206),在上下运动部件的下表面上装配具备弹性膜的相接部件(209),相接部件的弹性膜(291)具备在具有向外凸出的外延凸缘(291a)的同时直接或间接相接于基板的相接部(291b):和从相接部的外延凸缘基部(291d)向上延伸并连接于上下运动部件的连接部(291c),连接部由比相接部更富伸缩性的材质形成。

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