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公开(公告)号：CN104942698B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201510144599.0
申请日：2015-03-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明公开一种能够对晶片等基板执行多层研磨的研磨装置。研磨装置具有：分别用于支撑研磨垫的多个研磨台；将基板按压到研磨垫的多个研磨头；以及将基板输送到多个研磨头中的至少两个研磨头的输送装置。多个研磨头具有彼此不同的构造。
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公开(公告)号：CN101474771B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200910003370.X
申请日：2004-02-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B29/00 , H01L21/683 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种用于衬底保持装置中的弹性部件，其包括与衬底接触的接触部分以及与所述接触部分和所述衬底保持装置的可垂直移动部件相连的周壁，所述周壁能够在所述接触部分与所述衬底保持接触的同时垂直伸展和收缩。本发明还涉及具有所述弹性部件的衬底抛光装置和衬底抛光方法，所述衬底抛光方法包括：通过具有压力腔室的顶环保持衬底；使所述衬底与抛光表面滑动接触，同时将流体供给到所述压力腔室中，以将压力施加到所述衬底上；停止所述流体供给；通过真空抽吸将所述衬底吸附到所述顶环上；将所述顶环与所述衬底一起移动到传送位置；以及通过将流体喷射到所述衬底上使所述衬底脱离所述顶环。
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公开(公告)号：CN100509287C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200580042189.X
申请日：2005-12-06
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/00 , H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/30
Abstract: 一种根据本发明的衬底保持设备，其包括将与衬底的后表面接触的弹性膜，用于固定该弹性膜的至少一部分的附着构件，以及在当衬底与该弹性膜接触时用于保持该衬底的外围部分的保持环。弹性薄膜包括至少一个突出部分，而附着构件包括至少一个啮合部分，该啮合部分与弹性膜的该至少一个突出部分的侧表面啮合。弹性膜进一步包括波纹部分，该波纹部分可以在挤压方向上膨胀，以允许弹性膜挤压衬底，且该波纹部分可以沿着挤压方向收缩。
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公开(公告)号：CN101096077A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710136812.9
申请日：2002-12-06
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明涉及一种在研磨半导体晶片等基板后进行平坦化的抛光装置中保持该基板(W)并按压在研磨面上的基板保持装置。本发明的基板保持装置具备内部具有容纳空间的顶圈(top ring)主体(2)、和可在顶圈主体的容纳空间内上下运动的上下运动部件(206)，在上下运动部件的下表面上装配具备弹性膜的相接部件(209)，相接部件的弹性膜(291)具备在具有向外凸出的外延凸缘(291a)的同时直接或间接相接于基板的相接部(291b)：和从相接部的外延凸缘基部(291d)向上延伸并连接于上下运动部件的连接部(291c)，连接部由比相接部更富伸缩性的材质形成。
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公开(公告)号：CN101072658A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200580042189.X
申请日：2005-12-06
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/00 , H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/30
Abstract: 一种根据本发明的衬底保持设备，其包括将与衬底的后表面接触的弹性膜，用于固定该弹性膜的至少一部分的附着构件，以及在当衬底与该弹性膜接触时用于保持该衬底的外围部分的保持环。弹性薄膜包括至少一个突出部分，而附着构件包括至少一个啮合部分，该啮合部分与弹性膜的该至少一个突出部分的侧表面啮合。弹性膜进一步包括波纹部分，该波纹部分可以在挤压方向上膨胀，以允许弹性膜挤压衬底，且该波纹部分可以沿着挤压方向收缩。
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公开(公告)号：CN101474771A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910003370.X
申请日：2004-02-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B29/00 , B24B37/04 , H01L21/683 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种用于衬底保持装置中的弹性部件，其包括与衬底接触的接触部分以及与所述接触部分和所述衬底保持装置的可垂直移动部件相连的周壁，所述周壁能够在所述接触部分与所述衬底保持接触的同时垂直伸展和收缩。本发明还涉及具有所述弹性部件的衬底抛光装置和衬底抛光方法，所述衬底抛光方法包括：通过具有压力腔室的顶环保持衬底；使所述衬底与抛光表面滑动接触，同时将流体供给到所述压力腔室中，以将压力施加到所述衬底上；停止所述流体供给；通过真空抽吸将所述衬底吸附到所述顶环上；将所述顶环与所述衬底一起移动到传送位置；以及通过将流体喷射到所述衬底上使所述衬底脱离所述顶环。
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公开(公告)号：CN100468643C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200480003897.8
申请日：2004-02-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
Abstract: 本发明涉及一种在将衬底抛光至平整光面的抛光装置中用于保持衬底(W)、例如半导体晶片的衬底保持装置。该衬底保持装置包括一个可垂直移动部件(6)和一个用于限定一腔室(22)的弹性部件(7)。所述弹性部件(7)包括一与所述衬底(W)接触的接触部分(8)和一从所述接触部分(8)向上延伸并与所述可垂直移动部件(6)相连的周壁(9)。所述周壁(9)具有一可垂直伸展和收缩的可伸缩部分(40)。
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公开(公告)号：CN104942698A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510144599.0
申请日：2015-03-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明公开一种能够对晶片等基板执行多层研磨的研磨装置。研磨装置具有：分别用于支撑研磨垫的多个研磨台；将基板按压到研磨垫的多个研磨头；以及将基板输送到多个研磨头中的至少两个研磨头的输送装置。多个研磨头具有彼此不同的构造。
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公开(公告)号：CN1541151A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN03800759.2
申请日：2003-04-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/30 , B24B37/013 , B24B37/042 , H01L21/30625 , Y10S438/977
Abstract: 本发明的抛光方法，用顶部圆环(23)来保持半导体晶片(W)，把该半导体晶片(W)按压到研磨面(10)上进行研磨的抛光方法，其特征在于：把弹性膜(60)安装到能够上下活动的上下活动部件(62)的下面上，在上述顶部圆环(23)内形成压力室(70)，把加压流体供给到上述压力室(70)内，利用上述流体的流体压力把半导体晶片W按压到上述研磨面(10)上进行研磨，从上述上下活动部件(62)的中央部上所形成的开口(62a)中喷射出加压流体，这样使研磨后的半导体晶片W从上述顶部圆环(23)上脱离。
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公开(公告)号：CN108025419B
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201680056103.7
申请日：2016-07-13
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 吉田博
IPC: B24B37/005 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B49/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种研磨沿着基板周向存在膜厚不均匀的基板表面的方法及装置。研磨方法是，取得基板(W)的周向上的膜厚分布，依据膜厚分布决定具有最大或最小的膜厚的第一区域，使保持有研磨垫(2)的研磨台(3)旋转，通过研磨头(1)使基板旋转，同时将基板(W)的表面按压于研磨垫(2)，采用与基板(W)表面中的第二区域的除去率不同的除去率研磨第一区域。
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