氧化物烧结体及溅射靶
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110662727B

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN201880032263.7

    申请日:2018-04-17

    Abstract: 本发明涉及一种氧化物烧结体及溅射靶,其中,金属元素包括In、Ga、Zn及Sn,且所述氧化物烧结体包含由InGaO3(ZnO)m(m为1~6的整数)表示的六方晶层状化合物,当将对于所述氧化物烧结体中所含的除氧以外的全部金属元素而言的In、Zn及Sn的含量的比例(原子%)分别设为[In]、[Zn]及[Sn]时,满足式(1)~式(3)。[Zn]≧40原子%…(1)、[In]≦15原子%…(2)、[Sn]≦4原子%…(3)。根据本发明,即便在添加有大量Zn的In‑Ga‑Zn‑Sn系氧化物烧结体中,也可抑制接合时的破裂的发生。

    氧化物烧结体及溅射靶
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110636996A

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201880032267.5

    申请日:2018-04-17

    Abstract: 本发明涉及一种氧化物烧结体,其中,金属元素包括In、Ga、Zn及Sn,且所述氧化物烧结体包含Ga2In6Sn2O16、ZnGa2O4及InGaZnO4,当将相对于氧化物烧结体中所含的除氧以外的全部金属元素而言的In、Ga、Zn及Sn的含量的比例(原子%)分别设为[In]、[Ga]、[Zn]及[Sn]时,满足式(1)~式(3)。[Ga]≧37原子%…(1)、[Sn]≦15原子%…(2)、[Ga]/([In]+[Zn])≧0.7…(3)。根据本发明,即便在添加有大量Ga的In-Ga-Zn-Sn系氧化物烧结体中,也可抑制接合时的破裂的发生。

    烧结体的制造方法及溅射靶的制造方法

    公开(公告)号:CN113649570B

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202110490603.4

    申请日:2021-05-06

    Inventor: 田尾幸树

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够容易地制造龟裂得到抑制的烧结体的烧结体的制造方法及溅射靶的制造方法。本发明的一实施方式的烧结体的制造方法包括:形成包含金属粉末及金属氧化物粉末的原料粉末的造粒物的步骤、以及对所述造粒物进行煅烧的步骤,所述原料粉末包含Mn、Cu及Zn作为金属元素,所述原料粉末中的所述金属粉末的体积比率为28.0体积%以上,所述煅烧步骤中的烧结压力为20MPa以上。

    溅镀靶材和溅镀靶
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111465713A

    公开(公告)日:2020-07-28

    申请号:CN201980006346.3

    申请日:2019-02-12

    Abstract: 本发明的一实施方式为一种溅镀靶材,其包含锌(Zn)的氧化物、锡(Sn)的氧化物及锆(Zr)的氧化物,其中相对于氧(O)以外的所有元素,锌的含量AZn为超过0at%且50at%以下,锡的含量ASn为20at%以上且80at%以下,及锆的含量AZr为超过0at%且40at%以下,而且Zn的含量AZn满足下述式(1);经测定的多个比电阻值中最大值相对于最小值的比为3以下,及所述比电阻值为5×10-1[Ω·cm]以下;而且所述溅镀靶材不含有铟(In)。AZn/(AZn+ASn)≦0.6·····(1)。

    氧化物烧结体及溅射靶
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110662727A

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201880032263.7

    申请日:2018-04-17

    Abstract: 本发明涉及一种氧化物烧结体,其中,金属元素包括In、Ga、Zn及Sn,且所述氧化物烧结体包含由InGaO3(ZnO)m(m为1~6的整数)表示的六方晶层状化合物,当将相对于所述氧化物烧结体中所含的除氧以外的全部金属元素而言的In、Zn及Sn的含量的比例(原子%)分别设为[In]、[Zn]及[Sn]时,满足式(1)~式(3)。[Zn]≧40原子%…(1)、[In]≦15原子%…(2)、[Sn]≦4原子%…(3)。根据本发明,即便在添加有大量Zn的In-Ga-Zn-Sn系氧化物烧结体中,也可抑制接合时的破裂的发生。

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