公开(公告)号：CN106029603B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201580009747.6

申请日：2015-02-12

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 中山德行 ,  西村英一郎 ,  松村文彦 ,  井藁正史

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/5853 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体以及使用所述氧化物烧结体的溅射靶，在通过溅射法将所述氧化物烧结体制成氧化物半导体薄膜时，能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有作为氧化物的铟、镓和锌。由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的镓的含量为0.08以上且小于0.20，由Zn/(In+Ga+Zn)原子数比所表示的锌的含量为0.0001以上且小于0.08。将该氧化物烧结体作为溅射靶而形成的晶质氧化物半导体薄膜所获得的载流子浓度为8.0×1017cm‑3以下，载流子迁移率为10cm2/V·s以上。

公开(公告)号：CN105088339B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201510229309.2

申请日：2015-05-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石田雄 ,  山本佳津子 ,  角谷均

IPC: C30B29/04 ,  C30B28/02

CPC classification number: B24D18/0009 ,  B24D3/008 ,  C01B32/25 ,  C04B35/52 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/427 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明提供了一种包含金刚石颗粒的多晶金刚石体。所述金刚石颗粒的平均粒径为50nm或更小。在23℃±5℃、4.9N的测试负荷下的努氏硬度测定中，所述多晶金刚石体的努氏压痕的对角线中较短对角线的长度B与较长对角线的长度A的比值为0.080或更小，其中该比值表示为比值B/A。该多晶金刚石体具有韧性且具有小粒径。本发明还提供了一种切削工具、耐磨工具、磨削工具，以及用于制造多晶金刚石体的方法。

公开(公告)号：CN108828926A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201811001826.4

申请日：2013-11-07

Applicant: 劳力士有限公司

Inventor： D·伯纳 ,  R·吉罗德 ,  O·普杰尔 ,  I·里戈蒂

IPC: G04B19/12 ,  G04B37/22 ,  C09K11/67 ,  C04B35/488 ,  C04B35/44 ,  C04B35/64

CPC classification number: C09K11/7792 ,  C04B35/44 ,  C04B35/48 ,  C04B35/481 ,  C04B35/486 ,  C04B35/488 ,  C04B35/4885 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62635 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/634 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3481 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9646 ,  C04B2235/9661 ,  C09K11/025 ,  G04B19/12 ,  G04B37/225 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/24926

Abstract: 由有余辉的磷光陶瓷复合材料制成的钟表组件，所述陶瓷复合材料是包含如下两相或更多相的烧结致密体：由至少一种金属氧化物组成的第一相和由含至少一种经还原的氧化态的活化元素的金属氧化物组成的第二相，所述钟表组件具有包含显示出磷光发射的区域和不显示出磷光发射的区域或显示出磷光发射强度低于其他区域的发射强度的区域的表面。

公开(公告)号：CN108774063A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201811048416.5

申请日：2018-09-10

Applicant: 江西师范大学

Inventor： 钟声亮 ,  李欣炜 ,  夏先明 ,  刘冉

IPC: C04B35/505 ,  C04B35/622 ,  C09K11/78

CPC classification number: C04B35/505 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/76 ,  C09K11/7787

Abstract: 本发明提供了一种单斜相氧化钇的制备方法，该方法包括如下步骤：(1)制备钇基配位聚合物；(2)将钇基配位聚合物煅烧，得到立方相氧化钇；(3)在2～20MPa条件下对立方相氧化钇进行预压；(4)使预压后的立方相氧化钇在500～1500℃、1～5GPa条件下进行高温高压反应，得到单斜相氧化钇。本发明的方法具有过程简单、反应条件较低、产物纯度高、产量高等一系列优点。本发明为单斜相氧化钇合成提供了一种快速高效的新方法。

公开(公告)号：CN108698933A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780014108.8

申请日：2017-01-31

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 中山德行 ,  西村英一郎 ,  松村文彦

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9661 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供能以比过去更低的温度的退火处理来制造具有高载流子迁移率的由铟及镓构成的非晶质或结晶质的氧化物半导体薄膜的溅射用靶、用于得到该钯的合适的由铟及镓构成的氧化物烧结体。该氧化物烧结体由铟及镓的氧化物构成，其特征在于，以Ga/(In+Ga)原子数比计，镓的含量为0.10以上且0.49以下，CIE1976颜色体系中的L*值为50以上且68以下，由方铁锰矿型结构的In2O3相和In2O3相以外的生成相构成，所述In2O3相以外的生成相是β‑Ga2O3型结构的GaInO3相，或者是β‑Ga2O3型结构的GaInO3相和(Ga，In)2O3相。

公开(公告)号：CN107663090A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201610603619.0

申请日：2016-07-28

Applicant: 河南理工大学

Inventor： 胡前库 ,  陈进峰 ,  吴庆华 ,  周爱国 ,  王李波

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/58071 ,  C04B35/58014 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761

Abstract: 本发明属于结构材料领域，尤其公开一种合成高纯度Ti3B2N的方法。按TiH2粉、无定型B粉、六方BN粉三种原料的摩尔比TiH2：B：BN=3：(0.9~1.1)：(0.9~1.1)，称取TiH2粉、无定型B粉和六方BN粉；将称取的TiH2粉、无定型B粉、六方BN粉混匀，压片，然后在惰性保护气氛下以5~10℃/min的速率升温至1200~1300℃，保温3~6h；烧结完成后，在惰性保护气氛下，自然冷却至室温，得高纯Ti3B2N。本发明具有以下优点：1、工艺简单，无需热压；2、工艺设备简单、维护保养方便；3、本发明制备的Ti3B2N材料的纯度高达75%。

公开(公告)号：CN105283579B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201480033195.8

申请日：2014-06-02

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 伊藤和弘 ,  渡边晓 ,  宫川直通 ,  渡边俊成 ,  光井彰

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/44

CPC classification number: H01J37/3426 ,  C04B35/44 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3423

Abstract: 一种非晶膜形成用溅射靶，其为含有导电性钙铝石化合物的溅射靶，该导电性钙铝石化合物的电子密度为3×1020cm‑3以上，且该导电性钙铝石化合物含有选自由C、Fe、Na和Zr所构成的组中的一种以上元素。

公开(公告)号：CN103262274B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201180047348.0

申请日：2011-10-13

Applicant: H.C.材料公司

Inventor： P·韩 ,  J·田 ,  K·曼尼欧 ,  B·斯通

IPC: H01L41/16 ,  C04B35/491 ,  C01G23/00 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/183 ,  A61B8/00 ,  A61B8/4483 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2004/03 ,  C04B35/491 ,  C04B35/495 ,  C04B35/499 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/96 ,  C30B29/30 ,  C30B29/32 ,  G03H3/00 ,  H01L41/18 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/332 ,  H01L41/338 ,  H03H9/02015 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明一般涉及高频压电晶体复合材料、用于制造高频压电晶体复合材料的装置和方法。在适应性的实施方案中，包含成像换能器组件的用于高频(＞20MHz)应用的改进的成像装置、尤其是医学成像装置或距离成像装置与信号图像处理器耦合。另外，所提出的发明提供了用于基于光刻法的微加工压电晶体复合材料的系统及其使得性能参数改进的应用。

公开(公告)号：CN106830946A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710039629.0

申请日：2017-01-19

Applicant: 中原工学院

Inventor： 聂建军 ,  李辉 ,  陈厚民 ,  鄢鸿桢 ,  吴笑伟 ,  刘磊 ,  姜春英

IPC: C04B35/5831 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645

CPC classification number: C04B35/5831 ,  C04B35/622 ,  C04B35/62615 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/66 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9684

Abstract: 本发明公开了一种用于精加工用聚晶立方氮化硼刀具材料及其制备方法，所述聚晶立方氮化硼刀具材料是由以下重量百分比的组分制成：立方氮化硼微粉40‑60%，余量为结合剂。上述结合剂由α‑Al2O3、氮碳化钛按一定的重量百分比组成。将上述粉料净化处理、球磨混合后制成毛坯，最后利用六面顶压机在高温高压条件下制备成聚晶立方氮化硼刀具材料。本发明由于采用低含量、细粒度的立方氮化硼微粉和以α‑Al2O3为主的陶瓷结合剂为原材料，硬度和耐磨性高，适合表面光洁度要求高的淬火钢类零件的精加工，在切削过程中无需使用冷却液。

公开(公告)号：CN106478086A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610918029.7

申请日：2011-07-19

Applicant: 爱奥尼克斯先进科技有限公司

Inventor： 安德鲁·约翰·贝尔 ,  蒂莫西·科明

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/462 ,  C04B35/475 ,  H01L41/187 ,  H01L41/43

CPC classification number: H01L41/1878 ,  C04B35/26 ,  C04B35/462 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/766 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/81 ,  H01L41/187 ,  H01L41/43

Abstract: 本发明涉及一种包含固溶体(或基本上由其组成)的陶瓷，所述固溶体含有Bi、K、Ti和Fe(以及可选地Pb)，所述陶瓷表现出压电行为。