-
公开(公告)号：CN109804099B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201780061583.0
申请日：2017-08-22
Applicant: 株式会社钢臂功科研
Abstract: 本发明的实施方式，是对于包含具有缺损部(24)的铜制的基底(22)的背板(20)进行修补的方法，其中，包括如下工序：对于所述缺损部(24)的表面进行研磨的工序；在所述研磨工序后，将修补用粒子喷射到所述缺损部(24)并使之堆积的工序，所述修补用粒子中含有铜粒子和陶瓷粒子。
-
公开(公告)号：CN109804099A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201780061583.0
申请日：2017-08-22
Applicant: 株式会社钢臂功科研
Abstract: 本发明的实施方式，是对于包含具有缺损部(24)的铜制的基底(22)的背板(20)进行修补的方法，其中，包括如下工序：对于所述缺损部(24)的表面进行研磨的工序；在所述研磨工序后，将修补用粒子喷射到所述缺损部(24)并使之堆积的工序，所述修补用粒子中含有铜粒子和陶瓷粒子。
-
公开(公告)号：CN109071356B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201780022824.0
申请日：2017-02-09
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: C04B35/01 , C04B35/453 , C04B37/02 , C23C14/34
Abstract: 一种氧化物烧结体，其中，含有50～500ppm的锆，相对于除去氧以外的全部金属元素，设锌、铟、镓和锡的含量的比例(原子％)分别为[Zn]、[In]、[Ga]和[Sn]时，满足下式(1)～(3)。35原子％≤[Zn]≤55原子％…(1)20原子％≤([In]+[Ga])≤55原子％…(2)5原子％≤[Sn]≤25原子％…(3)。
-
公开(公告)号：CN109071361B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201780023775.2
申请日：2017-02-09
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: C04B35/453 , C23C14/34 , H01L21/363
Abstract: 一种氧化物烧结体，其中，设锌、铟、镓和锡的含量相对于除氧以外的全部金属元素的比例(原子％)分别为[Zn]、[In]、[Ga]和[Sn]时，满足40原子％≤[Zn]≤55原子％、20原子％≤[In]≤40原子％、5原子％≤[Ga]≤15原子％、和5原子％≤[Sn]≤20原子％，相对密度为95％以上，含有5～20体积％的InGaZn2O5作为晶相。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104411861A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380033320.0
申请日：2013-06-11
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/3407
Abstract: 一种具备溅射靶和背衬板及钎料，且溅射靶的背面经由钎料与背衬板接合的靶接合体。所述溅射靶，是含有Mn为2～30原子％的Cu-Mn合金，并且，所述钎料中存在的孔隙对溅射靶背面的投影面积的合计相以于溅射靶背面的接合区域全体的面积为16％以下。
-
公开(公告)号：CN109071361A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780023775.2
申请日：2017-02-09
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: C04B35/453 , C23C14/34 , H01L21/363
Abstract: 一种氧化物烧结体，其中，设锌、铟、镓和锡的含量相对于除氧以外的全部金属元素的比例(原子％)分别为[Zn]、[In]、[Ga]和[Sn]时，满足40原子％≤[Zn]≤55原子％、20原子％≤[In]≤40原子％、5原子％≤[Ga]≤15原子％、和5原子％≤[Sn]≤20原子％，相对密度为95％以上，含有5～20体积％的InGaZn2O5作为晶相。
-
公开(公告)号：CN109071356A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780022824.0
申请日：2017-02-09
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: C04B35/01 , C04B35/453 , C04B37/02 , C23C14/34
Abstract: 一种氧化物烧结体，其中，含有50～500ppm的锆，相对于除去氧以外的全部金属元素，设锌、铟、镓和锡的含量的比例(原子％)分别为[Zn]、[In]、[Ga]和[Sn]时，满足下式(1)～(3)。35原子％≤[Zn]≤55原子％…(1)20原子％≤([In]+[Ga])≤55原子％…(2)5原子％≤[Sn]≤25原子％…(3)。
-
公开(公告)号：CN1238554C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN03800885.8
申请日：2003-06-23
Applicant: 株式会社钢臂功科研
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C5/06 , C22C5/08
Abstract: 一种银合金溅射靶及其制造方法，该银合金溅射靶，特别有利于由溅射法形成膜厚分布均匀的银合金薄膜，由X射线衍射法求出任意4个位置的结晶取向强度时，4个测定位置的表示最高结晶取向强度(Xa)的方位相同，且在各测定位置最高结晶取向强度(Xa)与第二高的结晶取向强度(Xb)的强度比(Xb/Xa)的偏差在20%以下的银合金溅射靶。
-
公开(公告)号：CN1545569A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN03800885.8
申请日：2003-06-23
Applicant: 株式会社钢臂功科研
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C5/06 , C22C5/08
Abstract: 一种银合金溅射靶及其制造方法，该银合金溅射靶，特别有利于由溅射法形成膜厚分布均匀的银合金薄膜，由X射线衍射法求出任意4个位置的结晶取向强度时，4个测定位置的表示最高结晶取向强度(Xa)的方位相同，且在各测定位置最高结晶取向强度(Xa)与第二高的结晶取向强度(Xb)的强度比(Xb/Xa)的偏差在20％以下的银合金溅射靶。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.029 seconds)
