公开(公告)号：CN101918888B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN200980102063.5

申请日：2009-03-31

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  南部旭 ,  中井淳一 ,  奥野博行 ,  越智元隆 ,  三木绫

IPC: H01L23/52 ,  C22C21/00 ,  H01L29/49 ,  H01L29/45 ,  G02F1/1343 ,  C22F1/04

CPC classification number: H01L29/458 ,  C22C21/00 ,  C22C21/10 ,  C23C14/3414 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  Y10T428/12049

Abstract: 本发明开发一种铝合金膜，并提供一种具有该铝合金膜的显示装置，所述铝合金膜在用于显示装置的薄膜晶体管基板的配线构造中可以使铝合金薄膜与透明像素电极直接接触，同时可以兼顾低电阻率和耐热性，改善对薄膜晶体管的制造工序中使用的胺系剥离液及碱性显影液的腐蚀性。本发明涉及一种显示装置，其为氧化物导电膜和Al合金膜直接接触、Al合金成分的至少一部分在所述Al合金膜的接触表面析出而存在的显示装置，其中，所述Al合金膜包含至少1种选自Ni、Ag、Zn及Co中的元素(元素X1)、以及至少1种可以与所述元素X1形成金属间化合物的元素(元素X2)，形成最大直径150nm以下的由X1-X2及Al-X1-X2中的至少一方表示的金属间化合物。

公开(公告)号：CN102792451A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180012956.8

申请日：2011-04-07

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  钉宫敏洋 ,  前田刚彰 ,  安野聪 ,  寺尾泰昭 ,  三木绫

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供一种在薄膜晶体管的半导体层使用氧化物半导体时，薄膜晶体管的开关特性及应力耐受性良好的薄膜晶体管的半导体层用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，所述氧化物包含：选自由In、Ga及Zn构成的组中的至少一种元素；以及选自由Al、Si、Ni、Ge、Sn、Hf、Ta及W构成的X组中的至少一种元素。

公开(公告)号：CN102197335A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142715.8

申请日：2009-11-05

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 南部旭 ,  后藤裕史 ,  三木绫 ,  奥野博行 ,  中井淳一 ,  岸智弥 ,  高木敏晃 ,  难波茂信 ,  长尾护 ,  小林宣裕

IPC: G02F1/1343 ,  C23C14/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/18 ,  C23C14/3414 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/2855 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明开发在显示设备所用的薄膜晶体管基板的布线构造中能够使Al合金膜与透明像素电极直接接触、同时能够改善相对于在薄膜晶体管的制造工艺中所用胺系剥离液的腐蚀性的Al合金膜，提供具备该Al合金膜的显示设备。本发明涉及一种显示装置用Al合金膜，其为在显示装置的基板上与透明导电膜直接连接的Al合金膜，该Al合金膜含有0.05～2.0原子％的Ge和选自元素组X(Ni、Ag、Co、Zn、Cu)的至少1种元素，同时含有0.02～2原子％的选自由稀土类元素所构成的元素组Q的至少1种元素，且上述Al合金膜中存在含Ge的析出物和/或Ge浓化部的显示装置用Al合金膜及具备该Al合金膜的显示装置。

公开(公告)号：CN103094351B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210247010.6

申请日：2012-07-17

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗 ,  朴世容 ,  朴埈贤 ,  金建熙 ,  林志勋 ,  李京垣 ,  钉宫敏洋 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  岸智也 ,  田尾博昭 ,  后藤裕史

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/26

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种显示装置，所述显示装置包括：第一基板；栅极线，栅极线设置在第一基板上，并包括栅电极；栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极线上；半导体层，半导体层设置在栅极绝缘层上；数据线，数据线设置在半导体层上，并连接到源电极；漏电极，漏电极设置在半导体层上，并面对源电极；钝化层，钝化层设置在数据线上，其中，半导体层包含含有铟、锡和锌的氧化物半导体。铟以大约5原子百分比(at％)至大约50at％的量存在，其中，锌与锡的比为大约1.38至大约3.88。

公开(公告)号：CN106489209A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201580035556.7

申请日：2015-08-06

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  高梨泰幸 ,  三木绫 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

Abstract: 一种薄膜晶体管，其在基板上依次具有栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体薄膜、用于保护氧化物半导体薄膜的蚀刻阻挡层、源-漏电极、和保护膜，氧化物半导体薄膜由氧化物构成，所述氧化物由作为金属元素的In、Ga及Sn与O构成，所述氧化物半导体薄膜具有非晶结构，且上述蚀刻阻挡层和上述保护膜的两者或一者包含SiNx。该薄膜晶体管具有约40cm2/Vs以上的极高的迁移率。

公开(公告)号：CN105917450A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201580004436.0

申请日：2015-01-15

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  三木绫 ,  越智元隆

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种具有极高的迁移率、且应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性等也良好的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上依次具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源?漏电极和保护源?漏电极的保护膜，氧化物半导体层具有In、Ga、Zn、Sn和O的第一氧化物半导体层与In、Ga、Sn和O的第二氧化物半导体层的层叠结构，第二氧化物半导体层在栅极绝缘膜上形成，第一氧化物半导体层在第二氧化物半导体层与保护膜之间形成，且构成第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层的各金属元素的含量相对于全部金属元素的含量的原子比均控制为规定的比率。

公开(公告)号：CN105659372A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480057464.4

申请日：2014-12-01

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 林和志 ,  川上信之 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L21/66 ,  G01N22/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: G01N22/00 ,  G01N21/63 ,  G01N21/8422 ,  G01N27/04 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种对氧化物半导体薄膜的电阻率进行正确且简便的测定，进行评价、预测、推定的方法以及氧化物半导体的品质管理方法。涉及本发明的氧化物半导体薄膜的评价方法包括：第一工序，在对形成了氧化物半导体薄膜的样品照射激励光以及微波，且测定了因所述激励光的照射而变化的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的最大值之后，停止照射所述激励光，测定所述激励光的照射停止后的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的反射率的变化；以及第二工序，根据所述反射率的变化，计算出与激励光的照射停止后呈现的慢衰减对应的参数，对所述氧化物半导体薄膜的电阻率进行评价。

公开(公告)号：CN102486696B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201110032825.8

申请日：2011-01-26

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奥野博行 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/045

Abstract: 本发明提供一种特别是相对于压入荷重等的纵向的耐久性优异，难以发生断线或经时的电阻增加，可靠性高的触摸板传感器，其具有透明导电膜和与所述透明导电膜连接的布线，所述布线以从基板侧开始的顺序，由高熔点金属膜、Al合金膜和高熔点金属膜构成，所述Al合金膜含有0.05～1原子％的稀土元素，并且，硬度为2～3.5GPa，在Al合金组织中存在的晶界三重点的密度为2×108个/mm2以上。

公开(公告)号：CN104335354A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201380027070.X

申请日：2013-05-28

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  广濑研太 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3429 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  C23C14/086

Abstract: 在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，提供一种半导体层用氧化物，其在维持高场效应迁移率的同时，对光、偏压应力等而言，阈值电压的变化量小，应力耐性优异，并且对于使源/漏电极图案化时所使用的湿式蚀刻液具有优异的耐性。该半导体层用氧化物为在薄膜晶体管的半导体层中所使用的氧化物，其由In、Zn、Ga、Sn及O构成，在上述氧化物中，将各金属元素相对于除氧以外的全部金属元素的含量(原子％)分别设为[In]、[Zn]、[Ga]及[Sn]时，满足下式(1)～(4)。1.67×[Zn]+1.67×[Ga]≥100···(1)([Zn]/0.95)+([Sn]/0.40)+([In]/0.4)≥100···(2)[In]≤40···(3)[Sn]≥5···(4)。

公开(公告)号：CN103229303A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180057012.2

申请日：2011-11-28

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  钉宫敏洋 ,  安野聪 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  G01G19/00 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/548 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明涉及的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有Zn、Sn及In；和从由Si、Hf、Ga、Al、Ni、Ge、Ta、W及Nb构成的X组中选出的至少一种元素(X组元素)。本根据发明，可提供一种能够实现高迁移率，并且抗应力性(应力施加前后的阈值电压漂移量少)也优异的薄膜晶体管用氧化物。