公开(公告)号：CN108336187A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810148539.X

申请日：2018-02-13

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 伍泳斌 ,  钟福新 ,  高云鹏 ,  黎燕 ,  莫德清

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/07 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种Ag/Cu2O异质结纳米薄膜的制备方法。将纯Cu片和浓度为0.01~0.10mol/L Cu(NO3)2溶液，于80℃~90℃下反应4~6小时，在Cu片上制得光电压值为0.0937V~0.3168V的Cu2O薄膜；在Cu2O薄膜中加入浓度为0.05~0.09mol/L的Cu(NO3)2溶液和浓度为0.0005~0.0025mol/L的AgNO3溶液，于烘箱内反应2~8小时；得光电压值为0.3273V~0.3853V的Ag/Cu2O异质结纳米薄膜。本发明工艺简单，周期较短，对原料以及设备要求不高，制得的异质结纳米薄膜更有利于被太阳光激发而产生光生电子，具有优良的光电性能。

公开(公告)号：CN106591922B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201710064971.6

申请日：2017-02-05

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 高云鹏 ,  钟福新 ,  黎燕 ,  江瑶瑶 ,  莫德清

IPC: C25D11/34

Abstract: 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。配制含0.0244~0.1220mol/L CuSO4、0.0006~0.0122mol/L十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、0.0244~0.0854mol/L N2H4.H2O、0.0390~0.1951mol/L NaOH四种溶液的电解液，在匀速磁力搅拌下，以Cu片作阳极，Pt片作阴极，在5V~20V电压下氧化5~15分钟，即在Cu片上获得光电压值0.0985V~0.3035V的Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期非常短，制备的样品光电性能优良。

公开(公告)号：CN105753034B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201610106968.1

申请日：2016-02-28

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 江瑶瑶 ,  钟福新 ,  王晶晶 ,  高云鹏 ,  莫德清

IPC: C01G3/02

Abstract: 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）配制质量百分比浓度为0.3～1%的HF溶液和质量百分比浓度为25～65%的HNO3溶液，两种配好的溶液取相同体积混合均匀，得混酸溶液；（2）将铜片剪成1.5cm×5cm×0.1cm大小，置于步骤（1）所得混酸溶液中，20～50秒后待铜表面呈紫红色取出，依次用二次蒸馏水、分析纯丙酮和分析纯酒精各超声清洗铜片10分钟，随即在25～65℃水浴中静置3～7天，得Cu2O纳米薄膜。本发明与其他相关技术相比，最显著的特点是常温水浴法制备Cu2O纳米薄膜，其制备工艺简单、周期短，制备的样品有较好的光电性能。

公开(公告)号：CN104562067B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201510045938.X

申请日：2015-01-29

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 钟福新 ,  王伟 ,  王苏宁 ,  黎燕 ,  莫德清 ,  朱义年

IPC: C25B1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米红硒光电材料的制备方法。（1）将0.076～0.152g硫脲和40mL 浓度为0.020～0.030mol/L的 H2SeO3溶液均匀混合，配制成电沉积液；（2）将步骤（1）所得电沉积液置于30～50℃水浴中，以铂片为阳极，ITO玻璃为阴极，在直流电压1.5～1.9V下电沉积时间3～7分钟，即在ITO玻璃上制得纳米红硒光电材料。在模拟太阳光下CdSxSey的开路光电压达到0.5894～0.8684V。本发明与其它相关技术相比，最显著的特点是电沉积法一步制备纳米硒电极，制备工艺简便、无污染，制备的纳米硒有较好的光电性能。

公开(公告)号：CN103924277A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410163723.3

申请日：2014-04-23

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 钟福新 ,  王丹宇 ,  莫德清 ,  王伟 ,  黎燕 ,  王苏宁 ,  朱义年

IPC: C25D9/08

Abstract: 本发明公开了一种球状CdSe/Cu2O异质结材料的制备方法。（1）将1.2800g～1.7067gCdSO4、0.0115g～0.0128gH2SeO3、0.9g～1.9gNa2SO4和100mL水混合，置于30℃～50℃水浴中;（2）以ITO导电玻璃为阴极，高纯铂片为阳极，放入上述溶液中，在1.9V～2.4V直流电压下沉积30～50分钟，制得CdSe薄膜;（3）将20mL3mol/L乳酸溶液和20mL0.4mol/LCuSO4溶液混合，用4mol/L的NaOH调节pH值为9-10，置于40℃～50℃水浴中;（4）以沉积有CdSe薄膜的ITO为阴极，高纯铂片为阳极，放入步骤（3）电解液中，在1.2V～1.5V直流电压下沉积5～10分钟。本发明采用两次电化学沉积法，简单、快速制备出均匀球状的CdSe/Cu2O异质结。

公开(公告)号：CN102863046A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210329599.4

申请日：2012-09-09

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 钟福新 ,  孟志鹏 ,  郭冬冬 ,  王顺利 ,  李培刚

IPC: C02F1/30 ,  C02F1/58 ,  B01J23/52

Abstract: 本发明公开了一种Au/TiO2纳米管阵列对制糖废水的光催化降解的应用。用阳极氧化法在钛片表面制备二氧化钛纳米管阵列，将其洗净晾干后，放入马弗炉中500℃恒温2小时，取出冷却至室温，然后置入1g/L氯金酸和30g/L硼酸的混合沉积液中，在超声条件下，于2.5v直流电下沉积90秒，晾干，得Au/TiO2纳米管阵列。将其置入25mL~50mL制糖废水中，用HCl调节废水pH值为1~2，在253.7nm波长紫外光下照射20小时，实现对制糖废水的光催化降解的应用。本发明最显著的特点是Au/TiO2纳米管阵列是由阳极氧化法制备的二氧化钛纳米管阵列直接在超声条件下直流电沉积而获得，并将Au/TiO2纳米管阵列应用于制糖废水的光催化降解，很大程度地降低制糖废水的处理成本与时间。

公开(公告)号：CN101947452A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN201010293788.1

申请日：2010-09-26

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 钟福新 ,  林莎莎 ,  朱义年 ,  郭冬冬

IPC: B01J23/76 ,  B01J37/34 ,  B81B3/00 ,  C02F1/32 ,  C02F103/32

Abstract: 本发明公开了Co/TiO2纳米管阵列的制备方法及应用于制糖废水的降解。用阳极氧化法在钛片表面制备均匀的二氧化钛纳米管阵列，将其洗净晾干后，放入马弗炉中500℃恒温2h，取出冷却至室温，然后置入0.012mol/L Co(NO3)2溶液中，在超声条件下浸泡10分钟，晾干，得Co/TiO2纳米管阵列。将其置入制糖废水中，用NaOH调节废水pH值为12.5～13.5，在253.7nm波长紫外光下照射20～30小时，实现对制糖废水的光催化降解的应用。本发明最显著的特点是Co/TiO2纳米管阵列是由阳极氧化法制备的二氧化钛纳米管阵列直接经简单的超声浸泡方法制备的，并将Co/TiO2纳米管阵列应用于制糖废水的光催化降解，很大程度地降低制糖废水的处理成本与时间。

公开(公告)号：CN112939483A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110058982.X

申请日：2021-01-17

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 周威 ,  钟福新 ,  劳昌玲 ,  王家钰 ,  黎燕 ,  莫德清

IPC: C03C17/34 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了一种Ho掺杂Bi2S3纳米薄膜的制备方法。将FTO分别在含Bi(NO3)3·5H2O的冰醋酸溶液和含Na2S·9H2O的甲醇溶液中浸泡，每次取出FTO烘干，如此重复三次，退火后制得Bi2S3/FTO。将含Bi(NO3)3·5H2O、Ho(NO3)3·6H2O、Na2S2O3·5H2O三种物质混合而成并且NaOH调节溶液pH值为4.8的反应液装入高压反应釜中，插入Bi2S3/FTO，在烘箱中反应，得光电压值为0.0747 V~0.2650 V的纯Bi2S3及Ho掺杂Bi2S3(Ho‑Bi2S3)纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定性好。

公开(公告)号：CN106835242B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201710064972.0

申请日：2017-02-05

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 江瑶瑶 ,  钟福新 ,  高云鹏 ,  黎燕 ,  莫德清

IPC: C25D11/34 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种Cu2O纳米阵列的制备方法。将8.8 mmol/L~0.115 mol/L NH4F溶液、7.54 mol/L~7.99 mol/L甘油水溶液与0.027 mmol/L~0.295 mmol/L十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)溶液混合均匀，配制成弱酸性电解液;以Cu片作阳极，Pt片作阴极，在15 V~35 V的阳极氧化电压下氧化2~18分钟，即在Cu片上获得Cu2O纳米阵列。其光电压达到0.0801～0.2693 V。本发明制备工艺简单、周期短，通过改变工艺条件能有效地控制样品Cu2O纳米阵列的厚度及其光电性能。

公开(公告)号：CN108265320A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201810180713.9

申请日：2018-03-05

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 高云鹏 ,  钟福新 ,  苏泉 ,  黎燕 ,  莫德清

IPC: C25D9/08 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C25D9/08 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种CdSe纳米薄膜的制备方法。以DMF作为溶剂配制20.0mL浓度为0.071~0.150mol/L的Cd(NO3)2溶液、30.0mL浓度为0.067~0.119mol/L的H2SeO3溶液和5.0mL浓度为0.000~0.120mol/L的PVP溶液，上述三种溶液混合均匀配制成电解液；在匀速磁力搅拌下，铂片作阳极，ITO作阴极，在1V~5V沉积电压下沉积5~25分钟，在ITO上电沉积合成CdSe纳米薄膜，所得CdSe纳米薄膜光电压值为0.1258V~0.3680V。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期非常短，制备的样品光电性能优良。