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公开(公告)号：CN103730490A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210391026.4
申请日：2012-10-16
Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7788 , H01L29/1029 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直导电沟道和增强耐压能力的半导体装置；本发明的半导体装置，为垂直型结构器件；本发明的半导体装置，具有垂直方向的导电沟道，电子由源极出发，流经水平沟道，并通过垂直深槽侧壁的沟道导通层强制转为垂直方向，通过器件底部的漂移区进入漏极；相对于传统的水平沟道的平面型HEMT器件，本发明的半导体装置不仅有着更为优异的单位面积的电流导通能力，能够有效降低器件的比导通电阻Ron-sp，而且本装置能够充分利用漂移区长度耐压，消除了传统横向器件的二维表面场优化的固有问题。
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公开(公告)号：CN103730464A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210390960.4
申请日：2012-10-16
Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院
IPC: H01L27/06 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种具有可集成续流二极管的半导体装置；本发明的半导体装置由III族氮化物的三端HEMT器件和III族氮化物的两端SBD器件并联构成，通过金属电板在器件上方或者器件外围通过电板引导将金属电极相连接。带有可集成的续流二极管的HEMT，通过其自带的二极管，避免了外接二极管的模块化的复杂工艺，极大的降低了电路尺寸和设计成本，提高了芯片工作的稳定度。本发明的半导体结适合应用于平面结构的器件。
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公开(公告)号：CN103617967A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310615891.7
申请日：2013-11-27
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种采用新型绝缘材料的电力电子模块，包括功率芯片、焊锡层、直接覆铜层以及基板，所述直接覆铜层包括铜层及陶瓷层，所述陶瓷层为纳米氧化铝陶瓷层。模块中的直接覆铜层结构中采用新型的纳米氧化铝材料代替传统的材料，该纳米氧化铝具有垂直的蜂窝状细管，并填充高导热性的材料。它将纳米材料技术与电力电子模块结合，提升了功率模块的散热能力。
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公开(公告)号：CN103022022A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210569533.2
申请日：2012-12-25
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L25/07 , H03K17/567
CPC classification number: H03K17/168 , H01L23/492 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45111 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/1203 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/30107 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种低寄生电感的IGBT功率模块，包括上桥臂IGBT芯片、下桥臂IGBT芯片、上桥臂反并二极管芯片、下桥臂反并二极管芯片，下桥臂反并二极管芯片压接在上桥臂IGBT芯片表面，下桥臂反并二极管芯片的阴极与上桥臂IGBT芯片的发射极直接相连；下桥臂IGBT芯片与上桥臂反并二极管芯片分别置于相邻放置的基板上。本发明采用任意类型的IGBT芯片与任意类型的反并二极管的组合。一方面，本发明采用反向压接的办法，最大限度的将回路中的电感降到最低，使得应用中的开关回路避免出现过大的振荡和尖峰，另一方面，本发明减小了模块中芯片的占用面积，从而达到降低模块尺寸的目的，为实际应用带来便利。
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公开(公告)号：CN103021977A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210569282.8
申请日：2012-12-25
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L23/473
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48472 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种新型的功率模块，包括外壳、衬底、基板、芯片，衬底连接散热器，芯片与基板固定连接，基板与衬底固定连接，功率模块内部具有冷却介质流经回路，冷却介质流经回路包括散热通道、冷却介质入口、冷却介质出口，散热通道、冷却介质入口、冷却介质出口设置在衬底内部并与衬底一体成型。本发明将功率模块的散热集成到功率模块底部，通过水冷的散热方式进行，实现了直接对功率模块内部进行散热处理，规避了各种散热中间介质，可以避免采取不同散热器带来的特性差异，提高了散热效率，保证模块工作的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101130494A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710070569.5
申请日：2007-08-28
Applicant: 浙江华联三鑫石化有限公司 , 浙江大学
Abstract: 本发明提供了一种从有色的对苯二甲酸残渣中回收对苯二甲酸的方法，该方法首先将有色对苯二甲酸固体残渣与对苯二甲酸的良溶剂混合溶解，形成对苯二甲酸残渣溶液；然后将残渣溶液通过吸附法去除有色杂质，采用溶析法、蒸发法或降温的方法从吸附脱色后的溶液残渣溶液中结晶析出对苯二甲酸，再经固液分离后回收对苯二甲酸产品。该方法可有效去除对苯二甲酸残渣中的有色杂质，回收的对苯二甲酸产品具有较高的颜色品质。使用该方法可有效降低PTA生产过程中固体废弃物的排放，保护环境，还可以降低原料消耗和生产成本，提高经济效益。
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公开(公告)号：CN1228302C
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200310107889.5
申请日：2003-10-12
Applicant: 浙江大学
IPC: C07C63/26 , C07C51/265
Abstract: 本发明公开的生产对苯二甲酸用的鼓泡塔氧化反应装置包括一上下均匀的直筒式鼓泡塔，塔内自上而下依次为气体处理段，自由空间段和三相反应段，在气体处理段中安装有液体分布器、填料或持液塔板，在三相反应段的下部装有气体分布器，气体分布器上方位于反应段高度的1/4～1/2处设有原料进料管，塔底设有出料管，塔顶设有尾气管和冷凝液回流管，冷凝器的入口与尾气管相连，气体出口与后续的尾气处理单元相连，冷凝器的液体出口分别与原料进料管、冷凝液回流管和后续的脱水塔相连。该装置塔内无运动部件，结构简单、造价和运行费用低廉，同时在反应、传质、混合、传热各方面均满足对二甲苯空气液相催化氧化的要求，适用于高温氧化法制备对苯二甲酸的过程。
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公开(公告)号：CN1528732A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN200310107889.5
申请日：2003-10-12
Applicant: 浙江大学
IPC: C07C63/26 , C07C51/265
Abstract: 本发明公开的生产对苯二甲酸用的鼓泡塔氧化反应装置包括一上下均匀的直筒式鼓泡塔，塔内自上而下依次为气体处理段，自由空间段和三相反应段，在气体处理段中安装有液体分布器、填料或持液塔板，在三相反应段的下部装有气体分布器，气体分布器上方位于反应段高度的1/4～1/2处设有原料进料管，塔底设有出料管，塔顶设有尾气管和冷凝液回流管，冷凝器的入口与尾气管相连，气体出口与后续的尾气处理单元相连，冷凝器的液体出口分别与原料进料管、冷凝液回流管和后续的脱水塔相连。该装置塔内无运动部件，结构简单、造价和运行费用低廉，同时在反应、传质、混合、传热各方面均满足对二甲苯空气液相催化氧化的要求，适用于高温氧化法制备对苯二甲酸的过程。
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公开(公告)号：CN112271141B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202011145278.X
申请日：2020-10-23
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/60 , H01L21/603 , H01L21/607 , H01L23/488 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种一种双面散热功率半导体模块及制造方法，属于半导体技术领域。半导体模块由上层绝缘衬板、下层绝缘衬板、功率半导体芯片、金属垫片、铝丝、功率端子和信号端子组成；功率半导体芯片与下层绝缘衬板通过预成型焊片接合，将功率半导体芯片放至在预成型焊片上方后，在功率半导体芯片表面施加预应力压块后进行回流焊接；功率端子和信号端子与下层绝缘衬板先通过超声键合焊接，在功率端子和信号端子的引脚周围涂覆焊膏后再进行回流焊接。本发明提供的双面散热功率半导体模块的制造方法提升了焊接后芯片高度的一致性，降低了焊接空洞率，确保了端子与绝缘衬板间的连接强度，并解决了超声键合工艺导致的绝缘衬板陶瓷层破裂问题。
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公开(公告)号：CN103050448B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201210574053.5
申请日：2012-12-25
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L23/13
Abstract: 本发明提供一种新型自带母排型功率模块支架。母排型功率模块支架包括第一架臂及第二架臂，第一架臂包括第一金属板及第一支脚，第二架臂包括第二金属板及第二支脚，第一支脚与第二支脚对应在第一架臂与第二架臂的位置相互错开，第一金属板上具有第二架臂上功率模块伸出的孔，第二金属板具有第一支脚伸出的孔，第一金属板与第二金属板间填充有绝缘材料；第一支脚与第二支脚都为板状支脚，并在末端呈L型。本发明包括两个相互配合的金属第一架臂和第二架臂，采用类似母排的结构实现对功率模块的电气连接。本技术方案利用母排的容性特性最大限度的减小功率模块的寄生电感，增加了模块使用寿命，提升了模块的使用性能，仅需金属材料制造，工艺相对简单。
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