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公开(公告)号：CN110247663B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201810195754.5
申请日：2018-03-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种高速动态比较器，包括输入NMOS管M1/M2，由NMOS管M4/M5和PMOS管M7/M8构成的锁存器结构，由NMOS管M6和PMOS管M9构成的复位控制开关，由NMOS管M3/M10/M11构成的下拉管；同时还包括反相器I0/I1/I2，延迟单元d1/d2，与门AND1/AND2，以及同或门XNOR；本发明通过控制M10和M11的先后关闭顺序来使tip和tin同时导通形成高速模式和低速模式，进而导通电流增大，进而先进入锁存状态，从而可以对噪声进行有效的抑制，此外，还可以将该高速动态比较器现有的逐次逼近型模数转换器和电子设备中，实现广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN107493093B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201710720062.3
申请日：2017-08-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03K5/24
Abstract: 本发明提供一种高速低功耗动态亚稳态抑制比较器，包括：输入单元，输出单元，锁存器，上拉锁存单元，下拉单元和亚稳态抑制单元，当比较器出现亚稳态状态时，所述亚稳态抑制单元根据输出单元的输出信号，控制比较器进入复位状态；本发明通过亚稳态抑制单元，可以有效抑制比较器亚稳态的情况，不会明显增加比较器的速度，本发明结构简单，和传统结构相比，没有明显增加面积，达到了高速和低功耗的目的的同时，对比较器的亚稳态现象有明显的抑制效果。
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公开(公告)号：CN109861672A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910117896.4
申请日：2019-02-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03K5/24
Abstract: 本发明提供一种动态比较器，包括：时钟信号模块，用于产生第一时钟信号、第二时钟信号与第三时钟信号；正反馈通道，分别连接预放大器与正反馈锁存器，当第三时钟信号为低电平时，提升连接在预放大器与正反馈锁存器之间的两个节点电压Tp和Tn之间的电压差；当第一、二时钟信号为低电平时，节点电压Tp和Tn被上拉到电源电压进入到复位状态而输出高电平，经反相处理得到为低电平Ip和In反馈控制预放大器；当第一时钟信号为高电平时，第二时钟信号仍为低电平，预放大器处于工作状态放大输入信号输出有电压差的节点电压Tp和Tn，当第二时钟信号变为高电平时，节点电压Tp和Tn之间的电压差使得正反馈锁存器进入锁存状态，完成比较工作输出电压信号Dp和Dn。
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公开(公告)号：CN109245768A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811120077.7
申请日：2018-09-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明属于模拟或数模混合集成电路技术领域，具体为一种具有高精度采样开关的SAR ADC；所述SAR ADC包括两组采样电容阵列和以及比较器；差分输入信号Vin和Vip对应连接到比较器的两个输入端，正端采样电容阵列的采样极板通过正端采样开关与Vin连接；负端采样电容阵列的采样极板通过负端采样开关与Vip连接；比较器的输出端连接基准电压；本发明在采样开关栅极和采样极板之间引入了一个交叉耦合电容，由于正负端采样开关的栅压值是关于一个共模电压对称，使得在采样结束时，正负端两个采样极板之间的电压变化量相等，而且这个变化量不会随着采样信号的变化而变化，从而提高了整个ADC的采样精度。
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公开(公告)号：CN108923786A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810968399.0
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明属于模拟或数模混合集成电路技术领域，涉及一种分列式电容阵列结构SAR ADC，所述SAR ADC包括高位电容阵列、低位电容阵列以及比较器；所述高位电容阵列和低位电容阵列之间通过一个单位电容相连，高位电容阵列各个电容的上极板均连接采样开关对输入信号Vin进行采样，同时其上极板也连接比较器的输入端，高位电容阵列各个电容的下级板分别通过高位开关阵列连接基准电压VREFP或者VREFN；低位电容阵列各个电容的上极板通过接地开关SP与地相连，低位电容阵列各个电容的下级板分别通过低位开关阵列连接基准电压VREFP或者VREFN。本发明提高了整个电容阵列的匹配精度，提升了SAR ADC的精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107493093A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710720062.3
申请日：2017-08-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03K5/24
Abstract: 本发明提供一种高速低功耗动态亚稳态抑制比较器，包括：输入单元，输出单元，锁存器，上拉锁存单元，下拉单元和亚稳态抑制单元，当比较器出现亚稳态状态时，所述亚稳态抑制单元根据输出单元的输出信号，控制比较器进入复位状态；本发明通过亚稳态抑制单元，可以有效抑制比较器亚稳态的情况，不会明显增加比较器的速度，本发明结构简单，和传统结构相比，没有明显增加面积，达到了高速和低功耗的目的的同时，对比较器的亚稳态现象有明显的抑制效果。
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公开(公告)号：CN107370487A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710586131.6
申请日：2017-07-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明提供一种基于NMOS管的栅压自举开关电路，包括用于采样的NMOS管MN1，电压自举电路BOOST，采样开关衬底耦合电容C1，采样开关MN1衬底放电开关MN8，本发明在采样NMOS管NM1的栅极和衬底之间加入了一个耦合电容C1，在采样开关的衬底和地之间加入一个放电开关MN8，当输入信号VIN变化时，如果采样保持电路处于采样状态，放电开关NM8断开，通过自举电路模块BOOST产生的自举效果，当输入信号VIN变化时，如果采样保持电路处于保持状态，放电开关NM8导通，采样开关NM1的衬底电压被下拉到地，同时，采样开关NM1的栅极电压也被下拉到地，从而采样开关NM1断开。本发明所提出的采样保持开关及其辅助电路，和传统结构相比，线性度明显提高。
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公开(公告)号：CN100345251C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200510057321.6
申请日：2005-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明涉及一种在具有深槽图形的硅基衬底上制作硅薄膜的方法，用于微电子机械系统(MEMS)可动部件制造中。该方法步骤包括：先在硅基衬底上制作深槽图形时制作沟槽，连接每个深槽图形并贯穿到硅基衬底片的外边缘，与大气相通，然后与另一硅片进行硅/硅键合，形成键合片，再用减薄、抛光方法减薄另一硅片，获得所需的硅薄膜。该方法巧妙地消除了键合和后面工序高温处理中由于键合片空腔内空气受热膨胀，造成硅膜变形，甚至薄膜断裂、脱落的问题，使制作在带深槽图形的硅基衬底上的硅薄膜晶格结构损伤小、厚度均匀，大大提高了硅薄膜成品率，以满足制作硅基MEMS可动部件所需薄膜的要求。
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公开(公告)号：CN1787168A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510057321.6
申请日：2005-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明涉及一种在具有深槽图形的硅基衬底上制作硅薄膜的方法，用于微电子机械系统(MEMS)可动部件制造中。该方法步骤包括：先在硅基衬底上制作深槽图形时制作沟槽，连接每个深槽图形并贯穿到硅基衬底片的外边缘，与大气相通，然后与另一硅片进行硅/硅键合，形成键合片，再用减薄、抛光方法减薄另一硅片，获得所需的硅薄膜。该方法巧妙地消除了键合和后面工序高温处理中由于键合片空腔内空气受热膨胀，造成硅膜变形，甚至薄膜断裂、脱落的问题，使制作在带深槽图形的硅基衬底上的硅薄膜晶格结构损伤小、厚度均匀，大大提高了硅薄膜成品率，以满足制作硅基MEMS可动部件所需薄膜的要求。
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公开(公告)号：CN1220899C
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03135291.X
申请日：2003-06-24
Applicant: 重庆大学 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明涉及一种利用金属材料制作的微机械光开关，属于光电子器件领域，该结构由基板、微镜、通孔、V形槽、双侧悬臂梁、临时支撑梁、下电极、止动结构和防击穿层等构成，其中微镜的设计为水平结构，以金属为材料，通过在静电驱动下，其双侧的悬臂梁发生扭转，使微镜旋转为垂直状态插入光路，起到改变光路从而实现开关的作用。本结构可以作为光开关单元，有效地制作1×1、1×2、2×2…N×N等多种类型MEMS光开关及阵列。本发明具有结构简单，成品率高，工艺简单，可批量生产等优点，在全光通信网络中的光交叉连接(OXC)、光分插复用(OADM)中可发挥重要作用，同时在全光网络测试设备中也有重要的应用。
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