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公开(公告)号：CN116165863B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211739310.6
申请日：2022-12-30
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
Abstract: 本发明公开了一种基于超表面光场多维度复用全息的嵌套加密方法，所述加密方法包括以下步骤：用于实现自旋、轨道角动量和偏振矢量复用的全息超表面是由不同椭圆形横截面的二氧化钛椭圆柱阵列组成。本发明基于超表面光场多维度复用全息的嵌套加密方法利用光场的多个维度协同嵌套加密，单次或者未按顺序解密无法获取有用信息，加密的安全性极强。与传统的单维度或者多个维度叠加复用加密技术相比，设计自由度更高，安全性更强，可广泛的应用于信息加密等领域，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117631098A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311722460.0
申请日：2023-12-14
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
Abstract: 本发明公开了一种全斯托克斯偏振探测的超构透镜及其全斯托克斯参量恢复方法，超构透镜包括超构透镜衬底和纳米结构单元；纳米结构单元交错排布或者随机交错排布在超构透镜衬底上；超构透镜被配置为：复色光光源照射所述超构透镜后，多个纳米结构单元将不同偏振态的偏振光聚焦到不同位置，在聚焦平面形成不同的聚焦焦点；设计方法包括超构透镜的交错排布设计或者随机交错排布设计步骤及全斯托克斯参量恢复步骤。偏振恢复方法能够针对交错排布或随机交错排布来进行，对任意排布的斯托克斯参量超构透镜进行偏振恢复，提高了成像质量，便于图片的后处理，其易于编程实现，可以在任意波长下使用，如紫外、可见光、红外等，应用场景广泛、可拓展性强。
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公开(公告)号：CN115985927A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211736132.1
申请日：2022-12-30
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
IPC: H01L27/146 , G06N3/04 , G06N3/045 , G06N3/084 , G06N3/063
Abstract: 本方法公开了一种基于折叠式超构表面的全光图像识别探测器及方法，由多层折叠式超构表面通过衍射方式与反射方式堆叠后，并与CMOS图像处理芯片集成；所述的折叠式超构表面与CMOS图像处理芯片之间通过光学胶粘合。每一层折叠式超构表面由透明电介质基底、银制反射层、超构单元阵列组成，所述银制反射层设置于透明电介质基底上，银制反射层上阵列布置有超构单元阵列；各所述超构单元阵列之间通过光衍射、光反射连接，各层所述折叠式超构表面基于光衍射连接，采用光衍射、光反射综合实现各层折叠式超构表面之间的互连；所述的超构单元阵列由电介质纳米柱结构单元阵列布置组成，本发明可以极大的提高此神经网络的鲁棒性及图像识别的准确率。
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公开(公告)号：CN119937240A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510119726.5
申请日：2025-01-24
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明公开一种真空磁力辅助纳米压印装置，包括支撑单元、定位单元、真空磁力单元，支撑单元包括支撑台和固定块，用于调节压印时下基板的位置；定位单元包括导轨、定位块和滑块，用于调节压印时上软膜基板的位置和保证压印准确度；真空磁力单元包括真空箱及其内外的磁铁，用于维持压印时的真空环境以及提供磁力以控制纳米压印流程启动。本发明利用真空磁力手段辅助纳米压印的进行，能避免常规纳米压印手段在加工高深宽比结构时产生的倒塌、填充不足等结构缺陷，以实现高精度高深宽比结构的可靠纳米压印加工。
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公开(公告)号：CN118795728A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410839894.7
申请日：2024-06-26
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
Abstract: 本发明公开了一种近零粘附光刻胶及干式光刻方法，属于微纳制造领域；所述近零粘附光刻胶包括：40‑99%光刻胶，0‑60%溶剂，0.4‑12%两亲性分子助剂；所述方法包括：在衬底上旋涂光刻胶前体溶液退火得到光刻胶薄膜，通过曝光、显影完成光刻胶结构的制备；光刻胶作为掩模进行金属或氧化物镀膜或者刻蚀；将胶带共形贴附在光刻胶的上表面，剥离光刻胶，剥离过程仅需使用胶带机械剥离，从而避免任何有机溶剂和有毒剥离剂的使用；得到硬质晶圆衬底上的金属或氧化物微纳结构或刻蚀后的微纳结构。用近零粘附光刻胶的可转移特性，该方法可以拓展到曲面衬底和柔性聚合物衬底的干式剥离光刻工艺，利于拓展光刻技术在柔性电子、生物电子、人机界面等领域的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118746910A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202411052151.1
申请日：2024-08-01
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种多电子束并行光刻装备电子束聚焦结构及其制造方法，专用MEMS微孔阵列单元为核心部件，其能够将入射在表面的电子束进行分束，大幅面扩展束流数量；通过高压ASIC控制芯片，利用传输线，将不同的电压加至专用MEMS微孔阵列旁边的金属膜层上；通过调整正面各金属/绝缘层之间的电压差，实现对入射电子束的聚焦、收束、偏转和投影等功能，最终能将束斑尺寸缩放至亚10纳米尺度，并能通过控制膜层数量灵活调整焦深，有利于电子光学系统的小型化。
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公开(公告)号：CN117872640A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311722461.5
申请日：2023-12-14
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
IPC: G02F1/1335 , G02B1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于超构表面的反射式空间光调制器，包括设置在向列相液晶层上方的第一结构层和设置在设置在向列相液晶层下方的第二结构层，所述第一结构层包括从下至上依次设置的第二层光致取向层、氧化铟锡透明电极和顶层透明介质衬底，所述第二结构层包括从下至上依次设置的硅基衬底、金属反射层、间隔层、超构表面结构和第一层光致取向层，其中所述超构表面结构上间隔设置有介质填充层，并且所述第一结构层和第二结构层之间通过电压控制器连接。本发明通过共振来实现相位的调制，大大降低了器件的厚度，缩小器件工作时液晶分子所需转动角度，带来降低器件驱动电压；提高器件刷新率；降低像素大小，提高分辨率等各种优势。
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公开(公告)号：CN116224268A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211739270.5
申请日：2022-12-30
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
Abstract: 本发明公开了一种用于无标记肿瘤组织的高光谱显微成像分析系统，包括依次连接的超构表面载玻片、高光谱成像系统和医学光学分析算法系统；所述超构表面载玻片包括从下至上依次设置的玻璃衬底、超表面微结构和生物相容性的涂料，组织切片放置在超表面微结构上。本发明针对目前传统癌症诊断技术存在高成本、低灵敏度、早期诊断困难和过度依赖医师经验等问题，面向在可见光范围内以无标记的方式实现对肿瘤组织的区分与识别，开发出与图像传感器构成快速、动态、高光谱分辨率的光谱成像系统，以图像位置提取光谱信息的方式来辅助医生的病理诊断，降低漏诊或误诊的可能性。
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公开(公告)号：CN119601530A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411052150.7
申请日：2024-08-01
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
IPC: H01L21/768 , C23C14/34 , C23C14/16 , C23C14/04 , H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种集成电路互连线金属层离子束溅射沉积方法，属于微纳制造技术领域，金属层的沉积过程中，采用掠角离子束溅射（IBS）物理气相沉积方式（PVD），可实现钼（Mo）、钌（Ru）等金属薄膜在数十纳米特征尺寸（CD）及大高宽比（AR）沟槽结构内的高质量共形填充，即具备优良的填孔能力，能够实现100%的侧壁覆盖率，并避免悬凸（Overhang）和空洞（Void）等不良模式的出现。本发明将离子束溅射技术引入集成电路制造工艺中，为集成电路栅极金属材料、中道及后道互连垫衬层/阻挡层/种子层/导电金属材料、以及3D‑DRAM电容电极材料的沉积和填充提供新的工艺解决方案。
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公开(公告)号：CN119002184A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410839897.0
申请日：2024-06-26
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
Abstract: 本发明公开了一种大面积纳米结构紫外接触式光刻方法，涉及微纳制造领域；该方法通过使用近零粘附的可转印光刻胶作为中间介质薄膜，确保了光刻胶与光刻掩模版之间的零间隙柔性软接触，实现了光刻掩模版结构的1:1高保真复制，进而实现了大面积纳米结构的低成本光刻制造。本发明实现了高效、低成本的完美共形接触式光刻，能够用于构建大面积、亚微米分辨率的无拼接结构；可实现对溶剂不兼容衬底、曲面不规则衬底及柔性衬底的光刻制造，并提高光刻掩模版的使用寿命。本发明有效克服了传统接触式光刻所面临的诸多挑战，有望显著推动光刻技术及微纳米制造技术的发展。
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