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公开(公告)号：CN100352007C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200410030221.X
申请日：2004-03-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 一种电极膜的制造方法，是在基板上形成电极膜的电极膜制造方法，首先，在基板上将电极材料的初期结晶核形成为岛状，之后使初期结晶核生长，以形成电极材料的生长层。而且，形成初期结晶核时的基板温度比形成生长层时的基板温度高。
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公开(公告)号：CN1983519A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610172525.9
申请日：2003-10-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/3105 , H01L21/82 , H01L41/22
Abstract: 一种强电介质电容器的制造方法，包括：在所定的基体上形成下部电极的工序；在所述下部电极上形成由含有Pb、Zr、Ti和Nb作为构成元素的PZTN复合氧化物构成的强电介质膜的工序；在所述强电介质膜上形成上部电极的工序；形成保护膜，以覆盖所述下部电极、强电介质膜和上部电极的工序；和至少在形成所述保护膜之后，进行用于使所述PZTN复合氧化物结晶的热处理的工序。
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公开(公告)号：CN1296283C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN01802497.1
申请日：2001-06-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: C01G1/00
CPC classification number: C04B35/475 , C04B35/491 , C04B35/624 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L41/1878 , H01L41/318
Abstract: 陶瓷膜的制造方法，包含通过使原材料体20结晶化而形成陶瓷膜30的工序，原材料体20以混合存在的状态含有种类不同的原料，种类不同的原料彼此在原料的结晶化中的晶体生长条件和晶体生长机理的至少一方存在相互不同的关系。根据本发明的制造方法，能够改善陶瓷膜的表面形态。
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公开(公告)号：CN1295790C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200410031478.7
申请日：2004-03-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L21/02197 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , C23C30/00 , C30B5/00 , C30B29/30 , C30B29/32 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/1878 , H01L41/318
Abstract: 本发明的强电介体薄膜，通过在强电介体钙钛矿材料的A位置离子中至少含有1%以上的4配位Si4+或Ge4+的强电介体Pb(Zr，Ti)O3的B位置上，包含合计为5摩尔%以上、40摩尔%以下的Nb、V、W中的至少一种元素，从而可以显著提高其可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1246905C
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN01802501.3
申请日：2001-08-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/105 , G11C11/22
CPC classification number: H01L28/55 , G11C11/22 , H01L27/101
Abstract: 本发明涉及构成强电介质电容器的强电介质层具有特定的图形，能够减小信号电极的杂散电容的存储单元阵列及其制造方法，以及强电介质存储装置。存储单元阵列(100A)中，以矩阵状排列了由强电介质电容器(20)构成的存储单元。强电介质电容器(20)具有：第1信号电极(12)；在与第1信号电极(12)交叉的方向上排列的第2信号电极(16)；以及沿着第1信号电极(12)或者第2信号电极(16)以直线状配置了的强电介质层(14)。另外，也可以仅在第1信号电极(12)与第2信号电极(16)的交叉区域中以块状配置强电介质层(14)。
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公开(公告)号：CN1652325A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510052587.1
申请日：2001-08-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L27/105 , G11C11/22
CPC classification number: H01L27/11502 , G11C11/22 , H01L27/11585 , H01L27/1159
Abstract: 一种单矩阵型强电介质存储装置的制造方法，其特征在于，包括：在绝缘性基体上形成多个槽的工序，在上述绝缘性基体上形成金属层以便填充上述槽的工序，通过对上述金属层进行研磨使上述绝缘性基体和上述金属层表面平坦化，在上述槽内形成第1信号电极的上述平坦化工序，在上述绝缘性基体和上述第1信号电极上形成强电介质层的工序，以及在上述强电介质层上与上述第1信号电极交叉的方向上形成第2信号电极的工序。
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公开(公告)号：CN1610116A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410031794.4
申请日：2004-03-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L21/02197 , G11C11/22 , H01L21/02356 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L41/1876 , H01L41/318
Abstract: 本发明的强电介质材料是在以通式ABO3来表示的复合氧化物的原料液中含有：补偿A部位缺损的A部位补偿成分和补偿B部位缺损的B部位补偿成分。
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公开(公告)号：CN1532894A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410030221.X
申请日：2004-03-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 一种电极膜的制造方法，是在基板上形成电极膜的电极膜制造方法，首先，在基板上将电极材料的初期结晶核形成为岛状，之后使初期结晶核生长，以形成电极材料的生长层。而且，形成初期结晶核时的基板温度比形成生长层时的基板温度高。
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公开(公告)号：CN1426602A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN01808428.1
申请日：2001-12-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C11/22
CPC classification number: H01L27/11502 , G11C11/22 , H01L27/101 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 强电介质存储装置中，设有简单矩阵型存储单元阵列。设第一信号电极(12)与第二信号电极(16)之间所加电压的绝对值的最大值为Vs，则由第一电极(12)、第二电极(16)以及强电介质层(14)构成的强电介质电容器(20)的极化值(P)满足以下关系：当施加电压从+Vs设为－1/3Vs时，0.1P(+Vs)＜P(－1/3Vs)；当施加电压从－Vs设于+1/3Vs时，0.1P(－Vs)＞P(+1/3Vs)。
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