公开(公告)号：CN1109354C

公开(公告)日：2003-05-21

申请号：CN96121157.1

申请日：1996-09-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·帕鲁·高赛因 ,  约纳桑·韦斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  碓井节夫

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L29/66765 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/0272 ,  H01L29/78621 ,  Y10S438/949

Abstract: 一种简化而且可靠性提高了的制造方法。一种薄膜制造方法，包括在衬底表面上选择地形成光刻胶图形的第1步、在衬底表面和光刻胶图形表面形成薄膜的第2步、除去光刻胶图形以选择地除去其上淀积的薄膜即去掉的第3步，由此制成有所要求图形的薄膜。

公开(公告)号：CN1354495A

公开(公告)日：2002-06-19

申请号：CN01145068.1

申请日：2001-09-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 佐藤淳一 ,  碓井节夫 ,  坂本安弘 ,  森芳文 ,  中嶋英晴

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324

Abstract: 一种生产单晶薄膜的方法,包括的步骤有:在绝缘基片上形成非单晶薄膜;将非单晶薄膜进行第一次热处理,由此形成其中多晶晶粒排列成近似规则的图形的多晶薄膜;及将多晶薄膜进行第二次热处理,由此形成其中多晶晶粒互相结合的单晶薄膜。在本方法中,第一次热处理或第二次热处理二者之一可以通过激光束,优选从准分子激光器发射的激光束照射完成。用该生产方法形成的单晶薄膜具有比现有技术的多晶薄膜好很多的性能,并适合于生产具有稳定特性的器件。该单晶薄膜能够采用激光照射作为热处理在短时间内完成。

公开(公告)号：CN1348200A

公开(公告)日：2002-05-08

申请号：CN01137983.9

申请日：2001-09-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 中屿英晴 ,  根来阳一 ,  碓井节夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/48

CPC classification number: H01L21/02686 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324

Abstract: 一种薄膜(特别是半导体薄膜)的生产方法,该方法包括用脉冲宽度为60ns或更大的准分子激光束照射含有挥发性气体的生薄膜,以此除去生薄膜中的挥发性气体。该方法同传统的用电炉进行脱气的方法一样能够有效地降低薄膜中的挥发性气体如氢气的含量。用准分子激光束照射脱气后的薄膜可以在不破坏薄膜的情况下使其在很短的时间内再结晶。

公开(公告)号：CN1159072A

公开(公告)日：1997-09-10

申请号：CN96121157.1

申请日：1996-09-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·帕鲁·高赛因 ,  约纳桑·韦斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  碓井节夫

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L29/66765 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/0272 ,  H01L29/78621 ,  Y10S438/949

Abstract: 一种简化而且可靠性提高了的制造方法。一种薄膜制造方法，包括在衬底表面上选择地形成光刻胶图形的第1步、在衬底表面和光刻胶图形表面形成薄膜的第2步、除去光刻胶图形以选择地除去其上淀积的薄膜即去掉的第3步，由此制成有所要求图形的薄膜。