公开(公告)号：CN100381893C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200510071766.X

申请日：2005-03-23

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 秋元修

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1341 ,  G03B21/00

CPC classification number: G02F1/1339 ,  G02F1/133509 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/136277 ,  G02F2001/133388 ,  G02F2201/50

Abstract: 提供了一种反射液晶显示装置和一种液晶显示设备，其能够通过特定的防止像素电极基板表面部分的电极侵蚀来获得高防潮性并确保长期可靠性。密封部分将其间具有预定间距的像素电极基板和透明电极基板粘合在一起。在这种情况下，像素电极和金属膜形成在像素电极基板上的密封部分外表面之内。从而，使像素电极和金属膜不暴露在空气中，能够确保防潮性并能够防止电极侵蚀。此外，密封部分的粘合表面是基板表面，与涂覆整个装置外围端面的情况相比，能够长期确保充分的粘合。

公开(公告)号：CN101089712A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200710110777.3

申请日：2007-06-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 川浦英明 ,  清水目和年 ,  安藤直树 ,  宫泽一幸 ,  平野胜久 ,  堀口则昭 ,  秋元修

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/13

CPC classification number: G09G3/006 ,  G09G3/3611 ,  G09G2320/0295

Abstract: 本发明公开了一种液晶显示装置，其包括像素阵列部分、第一数据线、第二数据线、写单元、电压供给控制单元、数据线短路单元、读出单元，以及测试单元。

公开(公告)号：CN1716378A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510087899.6

申请日：2005-06-10

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 秋元修

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133

CPC classification number: G09G3/3614 ,  G09G3/3648 ,  G09G2320/0204 ,  G09G2320/0261 ,  G09G2320/046

Abstract: 为了防止在液晶中出现老化现象，本发明提供了一种显示设备，其包括采用液晶的液晶显示装置及驱动电路。在驱动该液晶显示装置的操作中，在运动图像信号的每一个帧周期中，该驱动电路对在液晶显示装置中所采用的像素电极和对置电极间所施加的信号电压的极性反向。在驱动该液晶显示装置的操作中，驱动电路还为了对极性反向而改变控制信号的相位。

公开(公告)号：CN1556937A

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN03801094.1

申请日：2003-06-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 安部仁 ,  折井俊彦 ,  秋元修 ,  持田利彦 ,  中山正大

IPC: G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136277 ,  G02F2203/02 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/13

Abstract: 本发明公开了一种在不减弱噪声电阻的同时能实现每个象素面积减小的半导体器件。开关晶体管(13)和信号积累电容(15)以构成象素(Px)的每个单元区为基础地形成在第一导电型的半导体基底(底部半导体区)(11)上。开关晶体管(13)具有这样的结构，即在半导体基底(11)上形成第二导电类型的源极区(13S)和漏极区(13D)，并且在源极区(13S)和漏极区(13D)之间的区域上的绝缘层(12a)上形成栅电极(13G)。信号积累电容(15)具有这样的结构，即在半导体基底(11)上形成第一导电型的高浓度半导体区(15D，15S)，并在半导体区(15D)和(15S)之间的区域上的绝缘层12a上形成电极(15G)。取代形成偏置半导体区(17)，将半导体区(15D)和(15S)用作该偏置半导体区。