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公开(公告)号：CN101291554A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810091216.8
申请日：2008-04-21
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 荒井俊明
CPC classification number: H01L27/1285 , H01L27/3211 , H01L51/5281 , Y10S117/904
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置的制造方法以及显示装置，该半导体装置的制造方法，用于进行采用多个照射光学系统用能量束照射半导体膜的退火工艺，在该半导体膜上包括薄膜晶体管形成区域的元件形成区域排列成二维图案，其中，在该退火工艺中，用能量束照射的区域分成单束照射区域和边界区域，单束照射区域由多个照射光学系统中的每一个用能量束单独照射，而边界区域位于彼此相邻的单束照射区域之间，并且由进行单束照射区域的束照射的两个照射光学系统用能量束照射。
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公开(公告)号：CN101123260A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710138494.X
申请日：2007-08-08
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/20 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1229 , H01L27/1214 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L29/78696
Abstract: 本发明公开了一种有源矩阵型显示装置及其制造方法，在该显示装置中像素电路使用多个薄膜晶体管形成，其中形成薄膜晶体管的沟道区域的薄半导体膜以不同的晶体状态制成。
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公开(公告)号：CN102339957A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110336926.4
申请日：2009-06-09
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 荒井俊明
CPC classification number: H01L51/5218 , H01L27/3246 , H01L2227/323 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明提供制造显示单元的方法以及显示单元，在第一电极具有包括金属和氧化物电导体的层叠结构的情况下，能够减少氧化物电导体的由溅射靶引起的微粒，且在金属和氧化物电导体之间获得有利的导电性。制造在第一电极和第二电极之间具有显示层的显示单元的方法，其中形成第一电极的步骤包括这样的步骤：在基板上形成层叠结构，该层叠结构依次包括有金属制作的第一层和由氧化物显示导电性的金属制作的第二层；以及在形成层叠结构后提供表面氧化处理，由此在第二层的厚度方向上的至少部分中形成氧化物电导体膜。
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公开(公告)号：CN101604662B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910203384.6
申请日：2009-06-09
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 荒井俊明
CPC classification number: H01L51/5218 , H01L27/3246 , H01L2227/323 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明提供制造显示单元的方法以及显示单元，在第一电极具有包括金属和氧化物电导体的层叠结构的情况下，能够减少氧化物电导体的由溅射靶引起的微粒，且在金属和氧化物电导体之间获得有利的导电性。制造在第一电极和第二电极之间具有显示层的显示单元的方法，其中形成第一电极的步骤包括这样的步骤：在基板上形成层叠结构，该层叠结构依次包括有金属制作的第一层和由氧化物显示导电性的金属制作的第二层；以及在形成层叠结构后提供表面氧化处理，由此在第二层的厚度方向上的至少部分中形成氧化物电导体膜。
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公开(公告)号：CN100555632C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200610132298.7
申请日：2006-07-27
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 荒井俊明
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L21/02686 , H01L27/1274 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L2227/323
Abstract: 一种制造显示装置的方法，该显示装置包括多个单位像素，每个单位像素在不同于像素中心的位置具有薄膜晶体管，该方法包括步骤：在第一行设置单位像素，且在与第一行相邻的第二行设置单位像素，使得它们相对于与基板主表面垂直的第一虚拟平面对称；且第一和第二行内的单位像素同时受到激光照射，使得薄膜晶体管的至少部分晶化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101090073A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200710138894.0
申请日：2007-05-10
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L29/786 , H01L29/04 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1281 , H01L29/78678
Abstract: 本发明提供了一种能够抑制薄膜晶体管特性改变而不恶化其性能的薄膜晶体管的制造方法以及一种薄膜晶体管以及显示单元。在该方法种，通过经由光热转换层和缓冲层间接热处理形成晶体硅膜。通过图案化该缓冲层和绝缘膜，在晶体硅膜上对应于沟道区域的区域中选择性地形成沟道保护膜。进一步，当选择性地去除n+硅膜和金属层时，沟道保护膜作为刻蚀停止。当形成晶体硅膜时均匀提供热。进一步，在刻蚀中保护晶体硅膜的沟道区域。
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公开(公告)号：CN102646718A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210117644.X
申请日：2009-12-03
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/77
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/3262
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管、显示单元和制造薄膜晶体管的方法。一种薄膜晶体管包括：栅电极；形成在栅电极上的栅绝缘膜；氧化物半导体薄膜层，该层在栅绝缘膜上形成对应于栅电极的沟道区；沟道保护层，该层被形成在栅绝缘膜和氧化物半导体薄膜层上至少与沟道区相对应的区域中，并且包括下层侧的第一沟道保护层和上层侧的第二沟道保护层；和源/漏电极，该源/漏电极被形成在沟道保护层上并且电连接至氧化物半导体薄膜层，其中第一沟道保护层由氧化物绝缘材料制成，并且第一沟道保护层和第二沟道保护层中的一者或两者由低氧渗透性材料制成。
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公开(公告)号：CN101542742B
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200880000427.4
申请日：2008-03-19
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L29/66757 , H01L29/66765
Abstract: 提供了能够增大导通/截止比的薄膜晶体管、其制造方法以及显示装置。在薄膜晶体管中，顺序或逆序在衬底(2)上层叠栅极电极(3)、栅极绝缘膜(4)、沟道层(5)以及源极/漏极层(7，8)，其特征在于，杂质包含在源极/漏极层(7，8)中，且杂质的浓度梯度为朝向沟道层(5)变为低浓度。
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公开(公告)号：CN101740564A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910208848.2
申请日：2009-11-05
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 荒井俊明
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/3265
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管衬底和具有这种薄膜晶体管衬底的显示装置，这种薄膜晶体管衬底能够减小电容器中的层间短路缺陷。这种薄膜晶体管衬底包括：衬底；薄膜晶体管，在衬底上依次具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层和源-漏电极；以及电容器，在衬底上依次具有底电极、电容器绝缘膜和由氧化物半导体形成的顶电极。
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公开(公告)号：CN101542742A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000427.4
申请日：2008-03-19
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L29/66757 , H01L29/66765
Abstract: 提供了能够增大导通/截止比的薄膜晶体管、其制造方法以及显示装置。在薄膜晶体管中，顺序或逆序在衬底(2)上层叠栅极电极(3)、栅极绝缘膜(4)、沟道层(5)以及源极/漏极层(7，8)，其特征在于，杂质包含在源极/漏极层(7，8)中，且杂质的浓度梯度为朝向沟道层(5)变为低浓度。
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