公开(公告)号：CN1185532C

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN01809414.7

申请日：2001-04-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 野口隆 ,  碓井節夫 ,  中嵨英晴

IPC: G02F1/136 ,  G09F9/30 ,  H01L29/78 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明涉及平板显示器的制造方法，能以高可靠性制造像素区的TFT和扫描区的TFT，它包括以下步骤：在包含有像素区和驱动区的基片上形成非晶硅薄膜，通过激光束的照射从形成在驱动区的非晶硅薄膜中脱氢，而不照射形成在像素区的非晶硅薄膜，并且激光束的进一步照射，晶化形成在驱动区的非晶硅薄膜，从而将非晶硅薄膜变成多晶硅薄膜。

公开(公告)号：CN1256793A

公开(公告)日：2000-06-14

申请号：CN99800177.5

申请日：1999-01-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 野本和正 ,  乔纳森·维斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  堆井节夫 ,  野口隆 ,  森芳文

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/792

Abstract: 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时,使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度在0.1nm以上100nm以下的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时,使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷,存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄,存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此,可以长时间地保持信息。