公开(公告)号：CN111463279B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202010090424.7

申请日：2015-05-15

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 长尾胜久 ,  安部英俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明的半导体装置，包括：第1导电型的SiC层；选择性地形成在所述SiC层上的电极；以及形成在所述SiC层上、达到设定在所述SiC层的端部的切割区域的绝缘物，所述绝缘物包含配置在所述电极的下方的电极下绝缘膜及以覆盖该电极下绝缘膜的方式配置的有机绝缘层，所述有机绝缘层与所述SiC层相接的区间的距离（A）为40μm以上，所述电极下绝缘膜上的所述电极与所述SiC层的横向的距离（B）为40μm以上。

公开(公告)号：CN111463278B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202010090401.6

申请日：2015-05-15

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 长尾胜久 ,  安部英俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明的半导体装置，包括：第1导电型的SiC层；选择性地形成在所述SiC层上的电极；以及形成在所述SiC层上、达到设定在所述SiC层的端部的切割区域的绝缘物，所述绝缘物包含配置在所述电极的下方的电极下绝缘膜及以覆盖该电极下绝缘膜的方式配置的有机绝缘层，所述有机绝缘层与所述SiC层相接的区间的距离（A）为40μm以上，所述电极下绝缘膜上的所述电极与所述SiC层的横向的距离（B）为40μm以上。

公开(公告)号：CN115458605A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202211308613.2

申请日：2016-12-07

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 长尾胜久

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种能够通过抑制从电流感测部向与感测侧表面电极接合的布线材料的热的逸出来提高电流感测部的主电流的电流值的检测精度的SiC半导体装置。提供半导体装置（1），所述半导体装置（1）包含：SiC半导体基板、包含主电流侧单位单元（34）的源极部（27）、包含感测侧单位单元（40）的电流感测部（26）、配置在源极部（27）的上方的源极侧表面电极（5）、以及配置在电源感测部（26）的上方且具有接合有感测侧线的感测侧焊盘（15）的感测侧表面电极（6），感测侧单位单元（40）被配置于避开了感测侧焊盘（15）的正下部的位置。

公开(公告)号：CN111463279A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010090424.7

申请日：2015-05-15

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 长尾胜久 ,  安部英俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明的半导体装置，包括：第1导电型的SiC层；选择性地形成在所述SiC层上的电极；以及形成在所述SiC层上、达到设定在所述SiC层的端部的切割区域的绝缘物，所述绝缘物包含配置在所述电极的下方的电极下绝缘膜及以覆盖该电极下绝缘膜的方式配置的有机绝缘层，所述有机绝缘层与所述SiC层相接的区间的距离（A）为40μm以上，所述电极下绝缘膜上的所述电极与所述SiC层的横向的距离（B）为40μm以上。

公开(公告)号：CN108475676A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680073975.4

申请日：2016-12-07

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 长尾胜久

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种能够通过抑制从电流感测部向与感测侧表面电极接合的布线材料的热的逸出来提高电流感测部的主电流的电流值的检测精度的SiC半导体装置。提供半导体装置1，所述半导体装置1包含：SiC半导体基板、包含主电流侧单位单元34的源极部27、包含感测侧单位单元40的电流感测部26、配置在源极部27的上方的源极侧表面电极5、以及配置在电源感测部26的上方且具有接合有感测侧线的感测侧焊盘15的感测侧表面电极6，感测侧单位单元40被配置于避开了感测侧焊盘15的正下部的位置。

公开(公告)号：CN106415837A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201480065081.1

申请日：2014-11-26

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 长尾胜久 ,  川本典明

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 形成半导体装置1，所述半导体装置包含：SiC外延层28；多个晶体管单元18，形成于SiC外延层28，通过规定的控制电压接通/关断控制；栅极电极19，与在接通时形成沟道的晶体管单元18的沟道区域32相对；栅极金属44，为了与外部的电连接而露出到最外层表面，与栅极电极19在物理上分离，但是，电连接于栅极电极19；以及内置电阻21，被配置在栅极金属44的下方，由将栅极金属44和栅极电极19电连接的多晶硅构成。

公开(公告)号：CN101964362A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN201010234111.0

申请日：2010-07-20

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪 ,  中村亮太 ,  长尾胜久

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L21/046 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/78684

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，包括：由被添加了导电型杂质的材料构成的半导体区域；在所述半导体区域的表面上形成的绝缘膜；和在所述绝缘膜上形成、至少与所述绝缘膜相接的部分由具有比Si的费米能级更接近所述半导体区域的费米能级的费米能级的材料构成、且具有导电性的栅电极。