公开(公告)号：CN113841232A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202080036780.9

申请日：2020-05-13

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 林健二 ,  神田泽水 ,  安部英俊

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L21/28 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12

Abstract: 半导体装置包括具有主面的基板、安装于基板的主面的半导体元件、驱动焊盘、以及多个驱动丝。半导体元件包含SiC且具有朝向与基板的主面相同的方向的表面和形成于表面的驱动电极。多个驱动丝以相互分离的状态连接驱动电极和驱动焊盘。多个驱动丝包括构成最分离的组合的第一驱动丝以及第二驱动丝。从与基板的主面垂直的方向即第一方向观察，第一驱动丝以及第二驱动丝以驱动焊盘侧比驱动电极侧更分离的方式与驱动电极和驱动焊盘连接。

公开(公告)号：CN112424919A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980046982.9

申请日：2019-07-18

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 安部英俊 ,  池永诚 ,  高本健生

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 半导体装置具备半导体元件、导线框、导通部件、树脂组成物、以及封固树脂。上述半导体元件具有在第一方向上彼此分离的元件主面及元件背面。上述导线框搭载上述半导体元件。上述导通部件与上述导线框接合，并使上述半导体元件与上述导线框导通。上述树脂组成物将上述导通部件与上述导线框的接合部分覆盖，并且使上述元件主面的一部分露出。上述封固树脂将上述导线框的一部分、上述半导体元件、以及上述树脂组成物覆盖。上述树脂组成物与上述导线框的接合强度优于上述封固树脂与上述导线框的接合强度，并且上述树脂组成物与上述导通部件的接合强度优于上述封固树脂与上述导通部件的接合强度。

公开(公告)号：CN111463279B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202010090424.7

申请日：2015-05-15

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 长尾胜久 ,  安部英俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明的半导体装置，包括：第1导电型的SiC层；选择性地形成在所述SiC层上的电极；以及形成在所述SiC层上、达到设定在所述SiC层的端部的切割区域的绝缘物，所述绝缘物包含配置在所述电极的下方的电极下绝缘膜及以覆盖该电极下绝缘膜的方式配置的有机绝缘层，所述有机绝缘层与所述SiC层相接的区间的距离（A）为40μm以上，所述电极下绝缘膜上的所述电极与所述SiC层的横向的距离（B）为40μm以上。

公开(公告)号：CN111463278B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202010090401.6

申请日：2015-05-15

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 长尾胜久 ,  安部英俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明的半导体装置，包括：第1导电型的SiC层；选择性地形成在所述SiC层上的电极；以及形成在所述SiC层上、达到设定在所述SiC层的端部的切割区域的绝缘物，所述绝缘物包含配置在所述电极的下方的电极下绝缘膜及以覆盖该电极下绝缘膜的方式配置的有机绝缘层，所述有机绝缘层与所述SiC层相接的区间的距离（A）为40μm以上，所述电极下绝缘膜上的所述电极与所述SiC层的横向的距离（B）为40μm以上。

公开(公告)号：CN111463279A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010090424.7

申请日：2015-05-15

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 长尾胜久 ,  安部英俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明的半导体装置，包括：第1导电型的SiC层；选择性地形成在所述SiC层上的电极；以及形成在所述SiC层上、达到设定在所述SiC层的端部的切割区域的绝缘物，所述绝缘物包含配置在所述电极的下方的电极下绝缘膜及以覆盖该电极下绝缘膜的方式配置的有机绝缘层，所述有机绝缘层与所述SiC层相接的区间的距离（A）为40μm以上，所述电极下绝缘膜上的所述电极与所述SiC层的横向的距离（B）为40μm以上。

公开(公告)号：CN102822977A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180017302.4

申请日：2011-03-30

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 奥村启树 ,  三浦峰生 ,  中野佑纪 ,  川本典明 ,  安部英俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66734 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/45 ,  H01L29/512 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明的半导体装置包含：第一导电型的半导体层；在所述半导体层的表层部隔开间隔而形成多个的第二导电型的体区域；形成于各所述体区域的表层部的第一导电型的源极区域；设在所述半导体层上，架跨在相邻的所述体区域之间的栅极绝缘膜；设在所述栅极绝缘膜上，与所述体区域对置的栅极电极；以及设在相邻的所述体区域之间，缓和在所述栅极绝缘膜产生的电场的电场缓和部。

公开(公告)号：CN117936471A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410128343.X

申请日：2019-07-18

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 安部英俊 ,  池永诚 ,  高本健生

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/00 ,  H01L23/495 ,  H01L21/56 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及SiC半导体装置。半导体装置具备半导体元件、导线框、导通部件、树脂组成物、以及封固树脂。上述半导体元件具有在第一方向上彼此分离的元件主面及元件背面。上述导线框搭载上述半导体元件。上述导通部件与上述导线框接合，并使上述半导体元件与上述导线框导通。上述树脂组成物将上述导通部件与上述导线框的接合部分覆盖，并且使上述元件主面的一部分露出。上述封固树脂将上述导线框的一部分、上述半导体元件、以及上述树脂组成物覆盖。上述树脂组成物与上述导线框的接合强度优于上述封固树脂与上述导线框的接合强度，并且上述树脂组成物与上述导通部件的接合强度优于上述封固树脂与上述导通部件的接合强度。

公开(公告)号：CN111463278A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010090401.6

申请日：2015-05-15

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 长尾胜久 ,  安部英俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明的半导体装置，包括：第1导电型的SiC层；选择性地形成在所述SiC层上的电极；以及形成在所述SiC层上、达到设定在所述SiC层的端部的切割区域的绝缘物，所述绝缘物包含配置在所述电极的下方的电极下绝缘膜及以覆盖该电极下绝缘膜的方式配置的有机绝缘层，所述有机绝缘层与所述SiC层相接的区间的距离（A）为40μm以上，所述电极下绝缘膜上的所述电极与所述SiC层的横向的距离（B）为40μm以上。

公开(公告)号：CN106463540A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580025434.X

申请日：2015-05-15

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 长尾胜久 ,  安部英俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的半导体装置，包括：第1导电型的SiC层；选择性地形成在所述SiC层上的电极；以及形成在所述SiC层上、达到设定在所述SiC层的端部的切割区域的绝缘物，所述绝缘物包含配置在所述电极的下方的电极下绝缘膜及以覆盖该电极下绝缘膜的方式配置的有机绝缘层，所述有机绝缘层与所述SiC层相接的区间的距离（A）为40μm以上，所述电极下绝缘膜上的所述电极与所述SiC层的横向的距离（B）为40μm以上。

公开(公告)号：CN102822977B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180017302.4

申请日：2011-03-30

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 奥村启树 ,  三浦峰生 ,  中野佑纪 ,  川本典明 ,  安部英俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66734 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/45 ,  H01L29/512 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明的半导体装置包含：第一导电型的半导体层；在所述半导体层的表层部隔开间隔而形成多个的第二导电型的体区域；形成于各所述体区域的表层部的第一导电型的源极区域；设在所述半导体层上，架跨在相邻的所述体区域之间的栅极绝缘膜；设在所述栅极绝缘膜上，与所述体区域对置的栅极电极；以及设在相邻的所述体区域之间，缓和在所述栅极绝缘膜产生的电场的电场缓和部。