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公开(公告)号：CN101173160A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710169501.2
申请日：2003-07-31
Applicant: 花王株式会社
Abstract: 一种研磨液组合物，含有研磨材、水、和有机酸或其盐，其剪切速度1500s－1时的在25℃的特定粘度为1.0－2.0MPa·s；一种端面下垂降低剂，由具有用下式表示(粘度降低量＝基准研磨液组合物的粘度－含有端面下垂降低剂的研磨液组合物的粘度)的粘度降低量为0.01MPa·s以上的粘度降低作用的布朗斯台德酸或其盐构成，其中，基准研磨液组合物由研磨材20重量份、柠檬酸1重量份及水79重量份构成，含有端面下垂降低剂的研磨液组合物由研磨材20重量份、柠檬酸1重量份、水78.9重量份及端面下垂降低剂0.1重量份构成，粘度是指在剪切速度1500s－1、25℃下的粘度。前述研磨液组合物或端面下垂降低剂组合物可很好地用于精密部件用基板等的研磨。
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公开(公告)号：CN100378145C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN02145898.7
申请日：2002-06-20
Applicant: 花王株式会社
IPC: C08J5/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 含有研磨材料和水的研磨液组合物，是沉降度指数80以上，100以下的研磨液组合物，具有使用该研磨液组合物来研磨基板的工序的基板的制造方法，使用上述研磨液组合物来防止研磨片堵塞的方法，使用研磨片研磨含有镍的被研磨物时，使用上述的研磨液组合物研磨来防止研磨片堵塞的方法。使用研磨片研磨含有镍的被研磨物时，使用含有分子中具有2个以上亲水基团，分子量在300以上的亲水性高分子或可在pH8.0溶解氢氧化镍的化合物和水的组合物研磨来防止研磨片堵塞的方法。
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公开(公告)号：CN1197930C
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN01812907.2
申请日：2001-06-05
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044
Abstract: 本发明提供了被抛光物的表面上不产生表面缺陷、提高抛光速度、且降低表面粗糙度的抛光液组合物和被抛光基板的抛光方法。[1]抛光液组合物，它含有水、磨料、中间氧化铝、碳原子数在4个以上且没有OH基的多元羧酸或其盐，且中间氧化铝的含量相对于100重量份的磨料为1～90重量份；和[2]被抛光基板的抛光方法，它是在抛光时抛光液组合物是前述[1]抛光液组合物的条件下对被抛光基板进行抛光。
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公开(公告)号：CN1579706A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410056293.1
申请日：2004-08-06
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: G11B5/7315 , G11B5/8404 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明涉及包括(a)使用含有平均粒径为0.05～0.5μm的氧化铝磨粒和氧化剂的研磨液(研磨液组合物A)研磨加工基板的工序，和(b)使用含有平均粒径为0.005～0.1μm的二氧化硅粒子的研磨液(研磨液组合物B)研磨加工基板的工序的磁盘用基板的制造方法、由上述磁盘用基板的制造方法得到的磁盘用基板，以及具有长波长表面波纹为0.05nm以上0.3nm以下，且AFM表面粗糙度为0.03nm以上0.2nm以下的表面特性的磁盘用基板。该磁盘用基板适用于制造高记录密度的硬盘。特别地，可以产业化制造50G比特/平方英寸以上的高记录密度的硬盘。
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公开(公告)号：CN1502667A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310120369.8
申请日：2003-10-30
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明提供了作为存储硬盘的基板研磨、特别是精加工研磨用的，可以减少坑或凸起等表面缺陷的研磨液组合物，使用该研磨液组合物来减少基板表面缺陷的方法以及使用上述研磨液组合物的基板的制造方法。一种研磨液组合物，它含有磨料、酸和/或其盐和水，其中，在1kg研磨液组合物中的铜(Cu)含量在1mg以下。一种用于减少基板表面缺陷的方法，其中，各基板或研磨台供给一种含有磨料、酸和/或其盐、水的研磨液组合物来研磨基板时，使向基板或研磨台供给的该研磨液组合物中的铜含量，在1kg该研磨液组合物中为1mg以下。以及，一种具有研磨工序的基板的制造方法，其中，在向基板或研磨台供给含有磨料、酸和/或其盐、水的研磨液组合物来研磨基板时，使向基板或研磨台供给的该研磨液组合物中的铜含量，在1kg该研磨液组合物中为1mg以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1443231A
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN01812907.2
申请日：2001-06-05
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044
Abstract: 本发明提供了被抛光物的表面上不产生表面缺陷、提高抛光速度、且降低表面粗糙度的抛光液组合物和被抛光基板的抛光方法。[1]抛光液组合物，它含有水、磨料、中间氧化铝、碳原子数在4个以上且没有OH基的多元羧酸或其盐，且中间氧化铝的含量相对于100重量份的磨料为1～90重量份；和[2]被抛光基板的抛光方法，它是在抛光时抛光液组合物是前述[1]抛光液组合物的条件下对被抛光基板进行抛光。
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公开(公告)号：CN1781971B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200510125376.6
申请日：2005-11-16
Applicant: 花王株式会社
IPC: C08J5/14
CPC classification number: B24B37/042
Abstract: 本发明提供一种研磨液组合物，其含有有机氮化合物、有机多元酸、研磨材料和水，其中有机氮化合物在分子内具有两个或更多个氨基或亚氨基，或者在分子内具有1个或多个氨基以及1个或多个亚氨基；以及提供使用该研磨液组合物的基板的制造方法和基板表面污染的减少方法。该研磨液组合物例如可以适用于存储硬盘等硬盘用基板的制造工序。
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公开(公告)号：CN100387672C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200310120369.8
申请日：2003-10-30
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明提供了作为存储硬盘的基板研磨、特别是精加工研磨用的，可以减少坑或凸起等表面缺陷的研磨液组合物，使用该研磨液组合物来减少基板表面缺陷的方法以及使用上述研磨液组合物的基板的制造方法。一种研磨液组合物，它含有磨料、酸和/或其盐和水，其中，在1kg研磨液组合物中的铜(Cu)含量在1mg以下。一种用于减少基板表面缺陷的方法，其中，各基板或研磨台供给一种含有磨料、酸和/或其盐、水的研磨液组合物来研磨基板时，使向基板或研磨台供给的该研磨液组合物中的铜含量，在1kg该研磨液组合物中为1mg以下。以及，一种具有研磨工序的基板的制造方法，其中，在向基板或研磨台供给含有磨料、酸和/或其盐、水的研磨液组合物来研磨基板时，使向基板或研磨台供给的该研磨液组合物中的铜含量，在1kg该研磨液组合物中为1mg以下。
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公开(公告)号：CN1320078C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200410061916.4
申请日：2004-06-29
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及含有α-氧化铝、中间氧化铝、氧化剂及水的研磨液组合物，具有使用该研磨液组合物研磨被研磨基板的工序的减少被研磨基板的表面波纹的方法，及具有使用上述研磨液组合物研磨被研磨基板的工序的基板的制造方法。上述研磨液组合物例如适用于研磨磁盘、光盘、光磁盘等磁记录介质的基板、光掩模基板、光学透镜、光学反射镜、光学棱镜、半导体基板等精密部件用基板。
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