公开(公告)号：CN105785290B

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201610167299.9

申请日：2013-04-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W.拉贝格

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明涉及磁场传感器。本发明的实施例提供一种磁场传感器。所述磁场传感器包括至少四个XMR元件，所述XMR元件被连接在包括并联分支的全桥电路中。所述至少四个XMR元件是GMR或TMR元件（GMR=巨磁阻；TMR=隧道磁阻）。所述全桥电路的两个对角线XMR元件包括相同形状各向异性，其中所述全桥电路的同一分支中的XMR元件包括不同形状各向异性。

公开(公告)号：CN107064828A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710070976.X

申请日：2017-02-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.巴赫莱特纳霍夫曼 ,  H.布吕克尔 ,  K.普吕格尔 ,  W.拉贝格 ,  A.扎茨 ,  D.聚斯 ,  T.武尔夫特

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明涉及磁性传感器设备和用于具有磁阻结构的磁性传感器设备的方法。实施例涉及包括磁阻结构（501）的磁性传感器设备（500）。磁阻结构（501）包括磁性自由层（502），该磁性自由层（502）配置成自发地生成自由层（502）中的闭合通量磁化模式。磁阻结构（500）还包括具有非闭合通量参考磁化模式的磁性参考层（506）。磁性传感器设备（500）还包括电流发生器（580），该电流发生器（580）配置成生成磁阻结构（501）的一个或多个层中的电流。所述电流具有垂直于参考磁化模式的非零定向分量。

公开(公告)号：CN105527451A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201510663825.6

申请日：2015-10-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W.拉贝格 ,  A.施特拉泽

IPC: G01P3/44

CPC classification number: G01R33/091 ,  G01P3/487

Abstract: 本发明涉及磁阻器件。一种磁阻器件包括多个磁阻感测元件。多个磁阻感测元件中的每个包括自由层和参考层。自由层具有带有长宽比为2或更大的圆形凸面轮廓。

公开(公告)号：CN103376426A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310137649.3

申请日：2013-04-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W.拉贝格

IPC: G01R33/09

CPC classification number: G01R33/093 ,  G01R33/09 ,  G01R33/098

Abstract: 本发明涉及磁场传感器。本发明的实施例提供一种磁场传感器。所述磁场传感器包括至少四个XMR元件，所述XMR元件被连接在包括并联分支的全桥电路中。所述至少四个XMR元件是GMR或TMR元件（GMR=巨磁阻；TMR=隧道磁阻）。所述全桥电路的两个对角线XMR元件包括相同形状各向异性，其中所述全桥电路的同一分支中的XMR元件包括不同形状各向异性。