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公开(公告)号：CN103364285B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310246825.7
申请日：2013-06-20
Applicant: 西南交通大学
IPC: G01N3/32
Abstract: 本发明公开了一种适用性广、操作简单、能够快速方便获得薄膜弯曲疲劳寿命的测试薄膜弯曲疲劳寿命的试验方法。该试验方法利用试样件的弯曲振动对沉积在其表面的薄膜不断施加拉伸、压缩的交变载荷作用，并通过分析试样件从自由端到固定端的振幅变化确定薄膜受到的交变应力幅值，悬臂梁每振动特定的时间t0后，观察其表面的薄膜是否开裂或剥落，接着测出薄膜的疲劳寿命次数，即可绘制S-N曲线。该试验方法适用性广，操作非常简单，利用本发明所提出的试验方法在一次试验周期中就可以同时研究不同应力幅下薄膜材料的弯曲疲劳行为，对于S-N曲线的绘制大大节约时间和成本，能够快速方便获得薄膜弯曲疲劳寿命，适合在薄膜材料疲劳性能测试领域推广应用。
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公开(公告)号：CN103364285A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310246825.7
申请日：2013-06-20
Applicant: 西南交通大学
IPC: G01N3/32
Abstract: 本发明公开了一种适用性广、操作简单、能够快速方便获得薄膜弯曲疲劳寿命的测试薄膜弯曲疲劳寿命的试验方法。该试验方法利用试样件的弯曲振动对沉积在其表面的薄膜不断施加拉伸、压缩的交变载荷作用，并通过分析试样件从自由端到固定端的振幅变化确定薄膜受到的交变应力幅值，悬臂梁每振动特定的时间t0后，观察其表面的薄膜是否开裂或剥落，接着测出薄膜的疲劳寿命次数，即可绘制S-N曲线。该试验方法适用性广，操作非常简单，利用本发明所提出的试验方法在一次试验周期中就可以同时研究不同应力幅下薄膜材料的弯曲疲劳行为，对于S-N曲线的绘制大大节约时间和成本，能够快速方便获得薄膜弯曲疲劳寿命，适合在薄膜材料疲劳性能测试领域推广应用。
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公开(公告)号：CN119834597A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510113234.5
申请日：2025-01-24
Applicant: 西南交通大学
IPC: H02M1/08 , H02M1/00 , H02M1/32 , H03K17/082 , H03K17/687
Abstract: 本申请提供一种电压过冲尖峰定量抑制的SiC MOSFET驱动方法及系统，方法步骤为：将SiC MOSFET漏源电压降低到后级电路能检测的电压范围；检测降级后漏源电压的输出，保持漏源电压的过冲峰值并输出；对输出的漏源电压过冲峰值进行采样；根据漏源电压识别器件关断的电流下降阶段，输出脉冲信号；运行PI控制模块得到压控电流源输出电流值，并输出与压控电流源输出电流对应的电压值；以对应的电压值作为输入，以脉冲信号触发压控电流源输出，向SiC MOSFET栅极注入额外的驱动电流，调控电压过冲尖峰。本申请实现了电压过冲峰值的闭环控制，定量地抑制了电压过冲峰值，提高了可靠性和效率。
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公开(公告)号：CN115425835B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202211130835.X
申请日：2022-09-16
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种针对数字控制延时的牵引整流器功率因数补偿方法，包括以下步骤：根据数字控制器的采样过程分析并计算牵引整流器控制环节的采样延时；根据数字控制器的脉冲生成过程分析并计算牵引整流器控制环节的PWM延时；计算功率因数补偿所需的移相角度；对调制波进行移相变换；本发明针对牵引整流器在瞬态直接电流控制中由数字控制延时导致功率因数降低的问题，仅利用少量信息即可消除由数字控制延时带来的相位滞后、提高牵引整流器的功率因数，设计过程简单且移植性较强。
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公开(公告)号：CN110376471B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201910730372.2
申请日：2019-08-08
Applicant: 西南交通大学
IPC: G01R31/00 , G01R31/327
Abstract: 本发明公开了一种基于电压残差的级联H桥变换器故障诊断方法，包括以下步骤：步骤1：根据系统开关控制信号和交流侧电流极性得到正常情况及不同开关管故障下的开关函数；步骤2：获取单相级联H桥变换器输入电压计算模型和对应模块的状态估计模型；步骤3：获取得到不同故障下的电压残差的理论分析值；步骤4：根据电压残差的理论分析值设计两类计数器获取最大值定位故障模块，进一步结合开关信号确定故障开关管；本发明可集成到控制器中，实时性好，实现单相级联H桥变换器故障模块和其中开路故障开关的实时诊断。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106435500A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610867923.6
申请日：2016-09-30
Applicant: 西南交通大学
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/3407
Abstract: 本发明公布了一种用于平面圆形磁控溅射阴极靶的磁场源，该磁场源是由若干组串联的平行且同轴的平面径向螺旋线圈沿轴向层叠而成，每组平面径向螺旋线圈由承载电流不低于80A的漆包线沿同样的方向紧密绕制而成，每组平面径向螺旋线圈的半径和匝数相等。当通以电流时，该磁场源能够在平面圆形溅射靶表面产生沿径向辐射状且在很大范围内均匀分布的水平磁场分量。相比于传统磁控溅射靶的磁场源设计，本发明能够显著提高溅射靶表面“跑道环”面积，进而显著提高溅射靶材的利用率和薄膜制备的均匀性。
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公开(公告)号：CN103243304A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310177429.3
申请日：2013-05-14
Applicant: 西南交通大学
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明公开了一种提高金属工件表面力学性能的方法，其步骤主要是：首先将金属工件进行溅射清洗，然后在磁控溅射设备中，周期性交替改变金属工件表面与溅射靶材平面法线的夹角，进行溅射沉积，在金属工件上沉积得到晶粒取向不同的多层陶瓷薄膜。采用该方法能在金属工件表面沉积内应力低的多层陶瓷薄膜，沉积的多层薄膜内应力低、与金属工件的结合力强，金属工件表面的力学性能好；且其操作简单，制备时间短，制备成本低。
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公开(公告)号：CN101791430B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201010104221.5
申请日：2010-02-02
Applicant: 西南交通大学
IPC: A61L27/16
Abstract: 一种超高分子量聚乙烯人工关节臼的表面处理方法，其作法是：A、将超高分子量聚乙烯人工关节臼放入电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积装置的真空室中，抽真空至0.5×10-3Pa～2×10-3Pa；B、向真空室通入氧气或氩气，至压力0.5Pa～2.5Pa；C、设置沉积装置微波源功率400～800W，开启微波电源；同时，开启偏压电源，对人工关节臼进行10～30分钟的处理，偏压电源的频率15～40KHz，占空比10％～50％，幅值-100～-500V。该方法消除了人工关节臼表面的弱边界层，提高了表面交联度，表面硬度和耐磨损能力提高；该方法不改变人工关节臼基质的性能，环保，无污染，操作简单。
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公开(公告)号：CN102558593A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210032382.7
申请日：2012-02-14
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 一种制备茶色有机玻璃的方法，将无色有机玻璃清洗后置于微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积装置真空室中，抽真空至0.5×10-3Pa～2×10-3Pa；通入乙炔、氩气、氮气和二氧化碳中的一种气体或一种以上的混合气体至压力为0.1～2.0Pa；设置沉积装置微波源功率为400～800W，开启微波电源，气体放电形成等离子体，开启沉积装置偏压电源，对无色有机玻璃进行5～60分钟表面处理，处理时偏压电源频率15～40kHZ，占空比10％～40％，幅值-100～-600V。该方法工艺简单，不添加任何染色剂、无污染，制备的茶色有机玻璃表面硬度高、耐划能力强，且能方便地制备出不同深度和色调的茶色有机玻璃。
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公开(公告)号：CN101831627A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010199827.1
申请日：2010-06-13
Applicant: 西南交通大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/513 , C23C16/02 , C23C28/00
Abstract: 一种改善超高分子量聚乙烯耐磨性能的方法，其步骤是：A、采用氧或氩的等离子对超高分子量聚乙烯进行低温等离子活化处理，处理时的等离子密度为5～80×109·cm-3，处理时间为5～30min；B、在活化处理后的超高分子量聚乙烯表面，沉积一层金属钛或钽的过渡层或者硅半导体的过渡层，所述的过渡层的厚度为10～100纳米；C、采用微波电子回旋共振等离子化学气相沉积方法，在过渡层表面沉积类金刚石薄膜。采用该方法对超高分子量聚乙烯进行处理，能使超高分子量聚乙烯的表面硬度增强，耐磨性能提高。
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