公开(公告)号：CN103794477B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201210423325.1

申请日：2012-10-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.D.阿瑟 ,  K.马托查 ,  P.桑维克 ,  Z.斯塔姆 ,  P.罗西 ,  J.麦克马洪

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 在一个实施例中，发明包括包含单独的MOSFET单元的MOSFET。每个单元包括U形阱（228）（P型）和在阱之内形成的两个平行的源极（260）（N型）。多个源极横档（262）（掺杂N的）在多个位置连接源极（260）。在两个横档（262）之间的区域包括体（252）（P型）。这些特征形成于N型外延层（220）上，该N型外延层（220）形成于N型衬底（216）上。接触（290）延伸跨过并且接触多个源极横档（262）和体（252）。栅极氧化物和栅极接触覆盖在第一阱的腿和第二邻近阱的腿上，响应于栅极电压使导电型反转。MOSFET包括多个这些单元来获得期望的低沟道电阻。通过在制造过程的几个状态利用自对准技术来形成单元区域。

公开(公告)号：CN103443924B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201280015829.8

申请日：2012-03-28

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.D.阿瑟 ,  T.L.约翰逊 ,  J.D.迈克尔 ,  J.A.弗兰黑泽 ,  D.A.利利恩菲尔德 ,  K.S.马托查 ,  W.G.豪金斯

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7455 ,  H01L29/7802

Abstract: 根据一个实施例，一种半导体器件，其具有包含碳化硅的半导体衬底，在第一表面上、在该衬底的一部分上附设栅电极，在该衬底的第二表面上附设漏电极。在栅电极上附设有介电层以及在介电层上面、之内、或之下附设有矫正层，其中该矫正层配置成缓解负偏压温度不稳定性，保持小于约1伏的阈值电压的变化。在矫正层上附设源电极，其中源电极电耦合到半导体衬底的接触区域。

公开(公告)号：CN103443924A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201280015829.8

申请日：2012-03-28

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.D.阿瑟 ,  T.L.约翰逊 ,  J.D.迈克尔 ,  J.A.弗兰黑泽 ,  D.A.利利恩菲尔德 ,  K.S.马托查 ,  W.G.豪金斯

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7455 ,  H01L29/7802

Abstract: 根据一个实施例，一种半导体器件，其具有包含碳化硅的半导体衬底，在第一表面上、在该衬底的一部分上附设栅电极，在该衬底的第二表面上附设漏电极。在栅电极上附设有介电层以及在介电层上面、之内、或之下附设有矫正层，其中该矫正层配置成缓解负偏压温度不稳定性，保持小于约1伏的阈值电压的变化。在矫正层上附设源电极，其中源电极电耦合到半导体衬底的接触区域。