半导体器件几何方法和系统

    公开(公告)号:CN114402262A

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202080061323.5

    申请日:2020-07-31

    Abstract: 描述了用于预测与图案化过程相关联的衬底几何形状的系统和方法。接收包括图案的几何形状信息和/或过程信息的输入信息;以及使用机器学习预测模型来预测多维输出衬底的几何形状。所述多维输出信息包括图案概率图像。基于所述图案概率图像,可以预测随机边缘放置误差带和/或随机失效率。所述输入信息包括模拟空间图像、模拟抗蚀剂图像、目标衬底尺寸、和/或来自扫描器的与半导体器件制造相关联的数据。例如,不同的空间图像可以对应于与所述图案化过程相关联的抗蚀剂层的不同高度。

    基于缺陷概率的过程窗口
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111512237A

    公开(公告)日:2020-08-07

    申请号:CN201880083228.8

    申请日:2018-12-17

    Abstract: 本文中描述一种方法。所述方法包括:获得(i)所述特征的参数的测量结果、(ii)与图案化过程的过程变量相关的数据、(iii)基于所述参数的所述测量结果和与所述过程变量相关的所述数据而被定义为所述过程变量的函数的所述参数的函数行为、(iv)所述特征的失效率的测量结果,以及(v)针对所述过程变量的设定的所述过程变量的概率密度函数;基于转换函数将所述过程变量的所述概率密度函数转换成所述参数的概率密度函数,其中基于所述过程变量的所述函数来确定所述转换函数;以及基于所述参数的所述概率密度函数、以及所述失效率的所述测量结果,来确定所述参数的参数极限。

    检查设备和方法、具有量测目标的衬底、光刻系统和器件制造方法

    公开(公告)号:CN105814491A

    公开(公告)日:2016-07-27

    申请号:CN201480067198.3

    申请日:2014-10-13

    Abstract: 一种用于光刻中的检查设备被披露。其包括用于衬底的支撑件,所述支撑件承载多个量测目标;光学系统,用于在预定照射条件下照射目标并且用于检测在所述照射条件下由目标衍射的辐射的预定部分;处理器,所述处理器布置成用来从衍射辐射的所述检测部分计算出对于特定目标的不对称度的测量;以及控制器,用于使所述光学系统和处理器测量出所述目标中至少两个目标的不对称度,所述至少两个目标具有在衬底上的一层内的结构与更小子结构之间的位置偏置的不同的已知分量;并且使所述光学系统和处理器从所述不对称度测量的结果计算出对于所述更小尺寸的结构的光刻过程的性能参数的测量。还披露了具备由光刻过程所形成的多个新型量测目标的衬底。

    半导体器件几何方法和系统
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119472189A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411894052.8

    申请日:2020-07-31

    Abstract: 描述了用于预测与图案化过程相关联的衬底几何形状的系统和方法。接收包括图案的几何形状信息和/或过程信息的输入信息;以及使用机器学习预测模型来预测多维输出衬底的几何形状。所述多维输出信息包括图案概率图像。基于所述图案概率图像,可以预测随机边缘放置误差带和/或随机失效率。所述输入信息包括模拟空间图像、模拟抗蚀剂图像、目标衬底尺寸、和/或来自扫描器的与半导体器件制造相关联的数据。例如,不同的空间图像可以对应于与所述图案化过程相关联的抗蚀剂层的不同高度。

    基于缺陷概率的过程窗口
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115877673A

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202310087729.6

    申请日:2018-12-17

    Abstract: 本文中描述一种方法。所述方法包括:获得(i)所述特征的参数的测量结果、(ii)与图案化过程的过程变量相关的数据、(iii)基于所述参数的所述测量结果和与所述过程变量相关的所述数据而被定义为所述过程变量的函数的所述参数的函数行为、(iv)所述特征的失效率的测量结果,以及(v)针对所述过程变量的设定的所述过程变量的概率密度函数;基于转换函数将所述过程变量的所述概率密度函数转换成所述参数的概率密度函数,其中基于所述过程变量的所述函数来确定所述转换函数;以及基于所述参数的所述概率密度函数、以及所述失效率的所述测量结果,来确定所述参数的参数极限。

    过程窗口的优化方法
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109283800A

    公开(公告)日:2019-01-29

    申请号:CN201811040666.4

    申请日:2015-01-07

    Abstract: 本发明披露一种用于器件制造过程的由计算机实施的缺陷预测方法,该器件制造过程涉及将图案加工至衬底上,该方法包括从该图案识别出工艺窗口限制图案(PWLP);确定所述PWLP被加工所依据的工艺参数;和使用所述工艺参数来确定或预测利用所述器件制造过程由所述PWLP产生的缺陷的存在、存在机率、特性、或其组合。

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