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公开(公告)号：CN110998449A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880051260.8
申请日：2018-07-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种方法包括：针对使用图案化过程产生的衬底的器件图案的多个特征中的每个特定特征，获得在所述衬底的测量目标与所述特定特征之间的所述图案化过程的参数的模型化或模拟关系；和基于所述关系和来自量测目标的所述参数的测量值，产生针对所述特征中的每个特征的横跨所述衬底的至少一部分的所述参数的分布，所述分布用于设计、控制或修改所述图案化过程。
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公开(公告)号：CN102402128A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110186722.7
申请日：2011-06-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70775 , G03F7/70341 , G03F7/70725
Abstract: 本发明公开了一种调节台移动方案中的速度和/或路线的方法和光刻设备。还公开了一种调整在光刻设备的浸没流体供给系统下面的台的移动方案的一部分的路线和/或速度的方法。所述方法包括步骤：将台的移动方案分解为多个分立移动；通过确定浸没流体供给系统是否通过从浸没流体供给系统泄漏的浸没流体存在的位置而确定在特定分立移动期间尺寸大于特定尺寸的气泡存在于光刻设备的图案化束将通过的浸没流体供给系统的浸没流体内的风险；和调整(i)与比确定气泡风险所针对的分立移动更早的分立移动相对应的移动方案的一部分的路线和/或速度，和/或调整(ii)与确定气泡风险所针对的分立移动相对应的移动方案的一部分的路线和/或速度。
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公开(公告)号：CN110998449B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201880051260.8
申请日：2018-07-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种方法包括：针对使用图案化过程产生的衬底的器件图案的多个特征中的每个特定特征，获得在所述衬底的测量目标与所述特定特征之间的所述图案化过程的参数的模型化或模拟关系；和基于所述关系和来自量测目标的所述参数的测量值，产生针对所述特征中的每个特征的横跨所述衬底的至少一部分的所述参数的分布，所述分布用于设计、控制或修改所述图案化过程。
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公开(公告)号：CN110036347A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201780074864.X
申请日：2017-11-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： R·J·F·范哈恩 , V·E·卡拉多 , L·P·范戴克 , R·沃克曼 , E·C·摩斯 , J·S·威尔登伯格 , M·乔詹姆森 , B·拉贾塞克兰 , E·詹森 , A·J·乌尔班奇克
Abstract: 一种改变衬底蚀刻过程的蚀刻参数的方法，所述方法包括：在蚀刻之前进行与衬底上的结构相关的第一度量的第一测量；在蚀刻之后进行与衬底上的结构相关的第二度量的第二测量；以及基于所述第一测量与所述第二测量之间的差改变所述蚀刻参数。
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公开(公告)号：CN101840158A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010118075.1
申请日：2010-02-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·K·斯达文卡 , N·R·凯姆普 , M·H·A·里恩德尔斯 , P·M·M·里布莱格特斯 , J·C·H·缪尔肯斯 , E·H·E·C·尤米伦 , R·莫尔曼 , M·瑞鹏 , S·舒勒普伍 , G-J·G·J·T·布朗德斯 , K·斯蒂芬斯 , J·W·克洛姆威吉克 , R·J·梅杰尔斯 , F·伊凡吉里斯塔 , D·贝山姆斯 , 李华 , M·乔詹姆森 , P·L·J·岗特尔 , F·W·贝尔 , E·威特伯格 , M·A·J·斯米特斯 , 马振华
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 本发明公开了一种光刻设备、控制该设备的方法及器件制造方法。具体地，公开了一种操作光刻设备的方法。该方法包括相对于投影系统移动支撑衬底的衬底台，和调整在对衬底的边缘处或附近的预定区域中的目标成像期间衬底台和投影系统之间的扫描速度，或调整在衬底的边缘处或附近的预定区域中的相邻目标位置之间的步进速度，或上述两者。所述调整扫描和/或步进速度可以包括降低速度。投影系统被配置以将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114137803B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202111513976.5
申请日：2017-11-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： R·J·F·范哈恩 , V·E·卡拉多 , L·P·范戴克 , R·沃克曼 , E·C·摩斯 , J·S·威尔登伯格 , M·乔詹姆森 , B·拉贾塞克兰 , E·詹森 , A·J·乌尔班奇克
IPC: G03F7/20 , H01L21/3065 , H01L21/66
Abstract: 一种改变衬底蚀刻过程的蚀刻参数的方法，所述方法包括：在蚀刻之前进行与衬底上的结构相关的第一度量的第一测量；在蚀刻之后进行与衬底上的结构相关的第二度量的第二测量；以及基于所述第一测量与所述第二测量之间的差改变所述蚀刻参数。
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公开(公告)号：CN118159911A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202280071653.1
申请日：2022-10-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： D·J·马斯 , 威廉默斯·P·E·M·奥特罗特 , M·乔詹姆森 , H·A·J·克瑞姆
IPC: G03F7/20
Abstract: 披露了一种用于测量衬底上的衍射结构的量测设备，包括：辐射源，所述辐射源能够操作以提供用于激发所述衍射结构的第一辐射，所述第一辐射具有第一波长；检测装置，所述检测装置能够操作以至少检测经衍射的第二辐射，所述经衍射的第二辐射包括所述第一辐射的二阶谐波，所述经衍射的第二辐射是由所述衍射结构和/或衬底产生并且由所述衍射结构衍射的；和处理装置，所述处理装置能够操作以至少根据所述经衍射的第二辐射确定与所述衍射结构有关的关注的参数。
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公开(公告)号：CN114137803A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111513976.5
申请日：2017-11-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： R·J·F·范哈恩 , V·E·卡拉多 , L·P·范戴克 , R·沃克曼 , E·C·摩斯 , J·S·威尔登伯格 , M·乔詹姆森 , B·拉贾塞克兰 , E·詹森 , A·J·乌尔班奇克
IPC: G03F7/20 , H01L21/3065 , H01L21/66
Abstract: 一种改变衬底蚀刻过程的蚀刻参数的方法，所述方法包括：在蚀刻之前进行与衬底上的结构相关的第一度量的第一测量；在蚀刻之后进行与衬底上的结构相关的第二度量的第二测量；以及基于所述第一测量与所述第二测量之间的差改变所述蚀刻参数。
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公开(公告)号：CN109313391A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780029327.3
申请日：2017-04-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·乔詹姆森 , S·A·米德莱布鲁克斯 , 斯蒂芬·亨斯克 , 王德胜
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种方法包括：获得衬底上的多个结构的图像，通过转移设计布局的对应图案而将多个结构中的每一个结构形成到所述衬底上；获得所述结构中的每一个结构相对于该结构的参照点的位移；以及基于所述位移，使用硬件计算机系统将多个结构中的每一个结构分配到多个组中的一个组中。
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公开(公告)号：CN101840158B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201010118075.1
申请日：2010-02-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·K·斯达文卡 , N·R·凯姆普 , M·H·A·里恩德尔斯 , P·M·M·里布莱格特斯 , J·C·H·缪尔肯斯 , E·H·E·C·尤米伦 , R·莫尔曼 , M·瑞鹏 , S·舒勒普伍 , G-J·G·J·T·布朗德斯 , K·斯蒂芬斯 , J·W·克洛姆威吉克 , R·J·梅杰尔斯 , F·伊凡吉里斯塔 , D·贝山姆斯 , 李华 , M·乔詹姆森 , P·L·J·岗特尔 , F·W·贝尔 , E·威特伯格 , M·A·J·斯米特斯 , 马振华
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 本发明公开了一种光刻设备、控制该设备的方法及器件制造方法。具体地，公开了一种操作光刻设备的方法。该方法包括相对于投影系统移动支撑衬底的衬底台，和调整在对衬底的边缘处或附近的预定区域中的目标成像期间衬底台和投影系统之间的扫描速度，或调整在衬底的边缘处或附近的预定区域中的相邻目标位置之间的步进速度，或上述两者。所述调整扫描和/或步进速度可以包括降低速度。投影系统被配置以将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。
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