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公开(公告)号：CN108885414A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780022917.3
申请日：2017-02-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G03F9/7034 , G03F7/70258 , G03F7/70633 , G03F7/70783 , G03F9/7011
Abstract: 一种光刻处理，包括：将衬底(W)夹持(CL)到衬底支持件(WT)上；跨被夹持衬底测量(AS)标记的位置；以及使用测量的位置向被夹持衬底施加图案。基于跨衬底测量的位置中的弯曲诱发特性(402、404、406)的识别，在衬底的局部区域中向所施加图案的定位应用校正(WCOR)。在一个实施例中，通过首先使用测量的位置和其他信息(CDAT)推断弯曲衬底(FFW)的一个或多个形状特性来生成校正。然后，基于推断的形状特性，响应于夹持向弯曲衬底的仿真变形应用夹持模型。第三，基于仿真的变形计算所述校正(LCOR)。一些或所有这些步骤可以集成和/或通过查找表来实施。
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公开(公告)号：CN106030414B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201580009522.0
申请日：2015-01-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： H·W·M·范布尔 , J·M·M·拜欧特曼 , 柳星兰 , H·J·H·斯米尔蒂 , R·J·F·范哈恩
IPC: G03F7/20 , G01N21/93 , G01N21/956
Abstract: 公开了一种设计目标布置的方法，以及相关的目标和掩模版。所述目标包括多个光栅，每个光栅包括多个子结构。所述方法包括步骤：定义目标区域；将所述子结构定位在所述目标区域内，以便形成所述光栅；和在所述光栅周边处定位辅助特征，所述辅助特征配置成减小在所述光栅周边处的被测量的强度峰。所述方法可以包括优化过程，所述优化过程包括对通过使用量测过程检验所述目标而获得的所形成的图像进行模型化；和评价所述目标布置是否被针对于使用量测过程的检测进行优化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109983405B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201780069779.4
申请日：2017-10-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： L·P·范戴克 , V·E·卡拉多 , 柳星兰 , 理查德·约翰尼斯·弗郎西斯克斯·范哈恩
Abstract: 描述了一种确定量测系统的优化操作参数设定的方法。执行自由形式晶片形状测量(304)。应用一模型(306)，以将测得的翘曲变换成模型化翘曲缩放值(308)。将晶片夹持在光刻设备中的卡盘上，使得晶片变形。使用具有四个对准测量颜色的扫描仪对准系统来测量对准标记(312)。利用模型化翘曲缩放值(308)来校正(316)如此获得的缩放值(314)，以确定校正缩放值(318)。基于校正缩放值(318)确定优化对准测量颜色。选择使用优化对准测量颜色测量的缩放值，并且在步骤(326)中使用所选择的缩放值来确定晶片栅格(328)。使用所确定的晶片栅格(328)来曝光晶片(330)，以校正该晶片的曝光。
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公开(公告)号：CN108885414B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201780022917.3
申请日：2017-02-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种光刻处理，包括：将衬底(W)夹持(CL)到衬底支持件(WT)上；跨被夹持衬底测量(AS)标记的位置；以及使用测量的位置向被夹持衬底施加图案。基于跨衬底测量的位置中的弯曲诱发特性(402、404、406)的识别，在衬底的局部区域中向所施加图案的定位应用校正(WCOR)。在一个实施例中，通过首先使用测量的位置和其他信息(CDAT)推断弯曲衬底(FFW)的一个或多个形状特性来生成校正。然后，基于推断的形状特性，响应于夹持向弯曲衬底的仿真变形应用夹持模型。第三，基于仿真的变形计算所述校正(LCOR)。一些或所有这些步骤可以集成和/或通过查找表来实施。
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公开(公告)号：CN111338187A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010264539.3
申请日：2015-08-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： K·布哈塔查里亚 , H·W·M·范布尔 , C·D·富凯 , H·J·H·斯米尔德 , M·范德沙 , A·J·登博夫 , R·J·F·范哈伦 , 柳星兰 , J·M·M·贝尔特曼 , A·富克斯 , O·A·O·亚达姆 , M·库比斯 , M·J·J·加克
IPC: G03F7/20
Abstract: 衍射测量目标，其具有至少第一子目标和至少第二子目标，以及其中(1)第一和第二子目标每个包括一对周期性结构并且第一子目标具有与第二子目标不同的设计，不同的设计包括第一子目标周期性结构具有与第二子目标周期性结构不同的节距、特征宽度、间隔宽度和/或分割，或者(2)第一和第二子目标分别包括第一层中的第一和第二周期性结构，以及第三周期性结构在第一层下方的第二层中至少部分地位于第一周期性结构下方并且在第二层中没有周期性结构在第二周期性结构下方，以及第四周期性结构在第二层下方的第三层中至少部分地位于第二周期性结构下方。设计该测量目标的方法包括在子目标的外围处定位辅助特征，辅助特征配置为减小子目标外围处的测得强度峰值。
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公开(公告)号：CN107850862B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201680041723.3
申请日：2016-06-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： F·G·C·比恩 , A·J·登博夫 , R·J·F·范哈伦 , P·A·J·廷尼曼斯 , A·雅玛 , I·A·莱利娜 , E·M·休瑟博斯 , H·E·切克利 , 柳星兰 , L·J·P·维尔希斯 , V·E·卡拉多 , L·P·范迪克
Abstract: 描述了一种表征多个衬底的形变的方法。该方法包括以下步骤：‑针对多个n个不同对准测量参数λ并且针对多个衬底测量对准标记的位置；‑将位置偏差确定为n个对准标记位置测量值与标称对准标记位置之间的差值；‑将位置偏差分组成数据集；‑确定平均数据集；‑从数据集中减去平均数据集以获取多个可变数据集；‑对可变数据集执行盲源分离方法，由此将可变数据集分解为表示可变数据集的主成分的特征晶片集合；‑将特征晶片集合细分成标记形变特征晶片集合和衬底形变特征晶片集合。
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公开(公告)号：CN106030414A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580009522.0
申请日：2015-01-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： H·W·M·范布尔 , J·M·M·拜欧特曼 , 柳星兰 , H·J·H·斯米尔蒂 , R·J·F·范哈恩
IPC: G03F7/20 , G01N21/93 , G01N21/956
CPC classification number: G03F7/70683 , G01N21/93 , G01N21/956 , G03F7/70633
Abstract: 公开了一种设计目标布置的方法，以及相关的目标和掩模版。所述目标包括多个光栅，每个光栅包括多个子结构。所述方法包括步骤：定义目标区域；将所述子结构定位在所述目标区域内，以便形成所述光栅；和在所述光栅周边处定位辅助特征，所述辅助特征配置成减小在所述光栅周边处的被测量的强度峰。所述方法可以包括优化过程，所述优化过程包括对通过使用量测过程检验所述目标而获得的所形成的图像进行模型化；和评价所述目标布置是否被针对于使用量测过程的检测进行优化。
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