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公开(公告)号：CN113946105A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111221202.5
申请日：2018-02-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·T·特尔 , B·P·B·西哥斯 , E·C·摩斯 , 埃米尔·皮特·斯克米特-威沃 , 张祎晨 , 柳星兰 , 赖纳·玛丽亚·琼伯鲁特 , 刘贤优 , P·G·范里 , M·基利蒂齐拉基
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种方法包括确定在执行器件制造过程时与误差或残差关联的第一参数的第一分布；确定在执行所述器件制造过程时与误差或残差关联的第二参数的第二分布；和使用对所述第一分布和第二分布进行运算的函数确定与所述器件制造过程关联的感兴趣的参数的分布。所述函数可以包括相关性。
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公开(公告)号：CN113946105B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202111221202.5
申请日：2018-02-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·T·特尔 , B·P·B·西哥斯 , E·C·摩斯 , 埃米尔·皮特·斯克米特-威沃 , 张祎晨 , 柳星兰 , 赖纳·玛丽亚·琼伯鲁特 , 刘贤优 , P·G·范里 , M·基利蒂齐拉基
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种方法包括确定在执行器件制造过程时与误差或残差关联的第一参数的第一分布；确定在执行所述器件制造过程时与误差或残差关联的第二参数的第二分布；和使用对所述第一分布和第二分布进行运算的函数确定与所述器件制造过程关联的感兴趣的参数的分布。所述函数可以包括相关性。
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公开(公告)号：CN110383177A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880013446.4
申请日：2018-02-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·T·特尔 , B·P·B·西哥斯 , E·C·摩斯 , 埃米尔·皮特·斯克米特-威沃 , 张祎晨 , 柳星兰 , 赖纳·玛丽亚·琼伯鲁特 , 刘贤优 , P·G·范里 , M·基利蒂齐拉基
Abstract: 一种方法包括确定在执行器件制造过程时与误差或残差关联的第一参数的第一分布；确定在执行所述器件制造过程时与误差或残差关联的第二参数的第二分布；和使用对所述第一分布和第二分布进行运算的函数确定与所述器件制造过程关联的感兴趣的参数的分布。所述函数可以包括相关性。
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公开(公告)号：CN107850862A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680041723.3
申请日：2016-06-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： F·G·C·比恩 , A·J·登博夫 , R·J·F·范哈伦 , P·A·J·廷尼曼斯 , A·雅玛 , I·A·莱利娜 , E·M·休瑟博斯 , H·E·切克利 , 柳星兰 , L·J·P·维尔希斯 , V·E·卡拉多 , L·P·范迪克
Abstract: 描述了一种表征多个衬底的形变的方法。该方法包括以下步骤：-针对多个n个不同对准测量参数λ并且针对多个衬底测量对准标记的位置；-将位置偏差确定为n个对准标记位置测量值与标称对准标记位置之间的差值；-将位置偏差分组成数据集；-确定平均数据集；-从数据集中减去平均数据集以获取多个可变数据集；-对可变数据集执行盲源分离方法，由此将可变数据集分解为表示可变数据集的主成分的特征晶片集合；-将特征晶片集合细分成标记形变特征晶片集合和衬底形变特征晶片集合。
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公开(公告)号：CN107148597B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201580056531.5
申请日：2015-08-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： K·布哈塔查里亚 , H·W·M·范布尔 , C·D·富凯 , H·J·H·斯米尔德 , M·范德沙 , A·J·登博夫 , R·J·F·范哈伦 , 柳星兰 , J·M·M·贝尔特曼 , A·富克斯 , O·A·O·亚达姆 , M·库比斯 , M·J·J·加克
IPC: G03F7/20
Abstract: 衍射测量目标，其具有至少第一子目标和至少第二子目标，以及其中(1)第一和第二子目标每个包括一对周期性结构并且第一子目标具有与第二子目标不同的设计，不同的设计包括第一子目标周期性结构具有与第二子目标周期性结构不同的节距、特征宽度、间隔宽度和/或分割，或者(2)第一和第二子目标分别包括第一层中的第一和第二周期性结构，以及第三周期性结构在第一层下方的第二层中至少部分地位于第一周期性结构下方并且在第二层中没有周期性结构在第二周期性结构下方，以及第四周期性结构在第二层下方的第三层中至少部分地位于第二周期性结构下方。设计该测量目标的方法包括在子目标的外围处定位辅助特征，辅助特征配置为减小子目标外围处的测得强度峰值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109983405A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201780069779.4
申请日：2017-10-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： L·P·范戴克 , V·E·卡拉多 , 柳星兰 , 理查德·约翰尼斯·弗郎西斯克斯·范哈恩
Abstract: 描述了一种确定量测系统的优化操作参数设定的方法。执行自由形式晶片形状测量(304)。应用一模型(306)，以将测得的翘曲变换成模型化翘曲缩放值(308)。将晶片夹持在光刻设备中的卡盘上，使得晶片变形。使用具有四个对准测量颜色的扫描仪对准系统来测量对准标记(312)。利用模型化翘曲缩放值(308)来校正(316)如此获得的缩放值(314)，以确定校正缩放值(318)。基于校正缩放值(318)确定优化对准测量颜色。选择使用优化对准测量颜色测量的缩放值，并且在步骤(326)中使用所选择的缩放值来确定晶片栅格(328)。使用所确定的晶片栅格(328)来曝光晶片(330)，以校正该晶片的曝光。
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公开(公告)号：CN107430350A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680014119.1
申请日：2016-01-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种测量光刻工艺的参数的方法、以及相关联的计算机程序和设备。该方法包括在衬底上提供多个目标结构，每个目标结构包括在衬底的不同层上的第一结构和第二结构。利用测量辐射来测量每个目标结构以获取目标结构中的目标非对称性的测量，目标非对称性包括由于第一和第二结构的未对准而产生的套刻贡献、以及由于至少第一结构中的结构非对称性而产生的结构贡献。获取与每个目标结构的至少第一结构中的结构非对称性相关的结构非对称性特性，结构非对称性特性与测量辐射的至少一个所选择的特性无关。然后使用目标非对称性的测量和结构非对称性特性来确定每个目标结构的目标非对称性的套刻贡献。
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公开(公告)号：CN107148597A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201580056531.5
申请日：2015-08-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： K·布哈塔查里亚 , H·W·M·范布尔 , C·D·富凯 , H·J·H·斯米尔德 , M·范德沙 , A·J·登博夫 , R·J·F·范哈伦 , 柳星兰 , J·M·M·贝尔特曼 , A·富克斯 , O·A·O·亚达姆 , M·库比斯 , M·J·J·加克
IPC: G03F7/20
Abstract: 衍射测量目标，其具有至少第一子目标和至少第二子目标，以及其中(1)第一和第二子目标每个包括一对周期性结构并且第一子目标具有与第二子目标不同的设计，不同的设计包括第一子目标周期性结构具有与第二子目标周期性结构不同的节距、特征宽度、间隔宽度和/或分割，或者(2)第一和第二子目标分别包括第一层中的第一和第二周期性结构，以及第三周期性结构在第一层下方的第二层中至少部分地位于第一周期性结构下方并且在第二层中没有周期性结构在第二周期性结构下方，以及第四周期性结构在第二层下方的第三层中至少部分地位于第二周期性结构下方。设计该测量目标的方法包括在子目标的外围处定位辅助特征，辅助特征配置为减小子目标外围处的测得强度峰值。
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公开(公告)号：CN110383177B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201880013446.4
申请日：2018-02-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·T·特尔 , B·P·B·西哥斯 , E·C·摩斯 , 埃米尔·皮特·斯克米特-威沃 , 张祎晨 , 柳星兰 , 赖纳·玛丽亚·琼伯鲁特 , 刘贤优 , P·G·范里 , M·基利蒂齐拉基
Abstract: 一种方法包括确定在执行器件制造过程时与误差或残差关联的第一参数的第一分布；确定在执行所述器件制造过程时与误差或残差关联的第二参数的第二分布；和使用对所述第一分布和第二分布进行运算的函数确定与所述器件制造过程关联的感兴趣的参数的分布。所述函数可以包括相关性。
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公开(公告)号：CN107430350B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201680014119.1
申请日：2016-01-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种测量光刻工艺的参数的方法、以及相关联的计算机程序和设备。该方法包括在衬底上提供多个目标结构，每个目标结构包括在衬底的不同层上的第一结构和第二结构。利用测量辐射来测量每个目标结构以获取目标结构中的目标非对称性的测量，目标非对称性包括由于第一和第二结构的未对准而产生的套刻贡献、以及由于至少第一结构中的结构非对称性而产生的结构贡献。获取与每个目标结构的至少第一结构中的结构非对称性相关的结构非对称性特性，结构非对称性特性与测量辐射的至少一个所选择的特性无关。然后使用目标非对称性的测量和结构非对称性特性来确定每个目标结构的目标非对称性的套刻贡献。
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