公开(公告)号：CN101458449B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200810186896.1

申请日：2008-09-27

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 佐野道明 ,  井村和久 ,  三井胜

IPC: G03F1/32 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种灰阶掩模坯料，在根据部位选择性地降低对被转写体的曝光光的照射量，在被转写体上的光刻胶上形成包含残膜值不同的部分的期望转写图案的灰阶掩模的制造中使用，在透明基板上依次具有半透光膜和遮光膜，分别在该半透光膜和该遮光膜上实施规定的图案化，从而形成遮光部、透光部和半透光部，作为灰阶掩模。遮光膜在膜厚方向上的组成变化，降低对图案化时采用的绘制光的表面反射率，半透光膜对图案化时采用的绘制光的表面反射率调整为在面内不超过45％。

公开(公告)号：CN100559270C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200510112885.5

申请日：2002-06-25

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 井村和久

IPC: G03F1/14 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种灰调掩模。目的是使利用具有灰调部的灰调掩模的图形转印工序实用化，其中该灰调部由具有使用灰调掩模的曝光机的分辨极限以下的微遮光图形构成。在该灰调掩模中，例如，沿着与灰调部(3)相接的遮光图形(1)的轮廓形状，在灰调部(3)一侧形成轮廓图形(30)。

公开(公告)号：CN101373324A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810134031.0

申请日：2008-07-22

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 吉田光一郎 ,  井村和久

IPC: G03F1/00

Abstract: 本发明提供光掩模信息的获取方法、光掩模的品质表示方法、电子器件的制造支援方法、电子器件的制造方法及光掩模制品，用与规定的曝光条件近似的曝光条件对光掩模进行曝光，通过拍摄装置获取该光掩模的透过光图形，并基于获取的透过光图形得到透过光图形数据。

公开(公告)号：CN100337306C

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200410062541.3

申请日：2004-06-30

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 井村和久 ,  佐野道明

IPC: H01L21/00 ,  G03F1/08 ,  G03F1/14

Abstract: 一种可以制造高质量的TFT的半色调膜类型的灰调掩模的制造方法及灰调掩模。一种具有遮光部、透光部和半透光部的灰调掩模的制造方法，具有下述工序：准备在透明基板(21)上依次形成了半透光膜(22)和遮光膜(23)的掩模坯；在掩模坯上形成与遮光部对应的区域的抗蚀图案(24a)，通过将该抗蚀图案(24a)作为掩模来蚀刻遮光膜(23)，在半透光膜(22)上形成遮光部；其次，在至少包含半透光部的区域中形成抗蚀图案(24b)，通过把该抗蚀图案(24b)作为掩模来蚀刻半透光膜(22)，形成半透光部和透光部。

公开(公告)号：CN101152919B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN200710163007.5

申请日：2007-09-28

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 井村和久

IPC: B65D85/00 ,  B65D85/30 ,  B65D25/10 ,  G03F1/66 ,  G03F7/20 ,  H01L21/673

Abstract: 本发明涉及一种掩膜壳体，该掩膜壳体(1)是一种可运送地收置光掩膜(10)和掩膜盒(100)的掩膜壳体，具备掩膜保持部件(4)和盒保持部件(5)，当从掩膜盒(100)中取出光掩膜(10)时，以光掩膜(10)被设置于掩膜盒(100)的状态取出。

公开(公告)号：CN101154032B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200710154387.6

申请日：2007-09-26

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 井村和久 ,  中西胜彦

IPC: G03F1/50 ,  G03F1/26 ,  G03F7/20 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明的课题，在于提供能够在搬运及往光刻机上安装等的处理中，防止遮光膜周边部分的剥离、抑制起因于遮光膜的剥离而产生的微粒的光掩模坯料。在本发明中，通过下列工序制造光掩模坯料：成膜工序，该成膜工序将沿着透光性基板(1)的主表面(1a)的周边的外周部分，作为非形成区域(2a)，在该主表面(1a)上，形成遮光膜(2)；涂敷工序，该涂敷工序向包含形成遮光膜(2)的区域的涂敷抗蚀剂膜(3)，利用抗蚀剂膜(3)覆盖所述遮光膜(2)的周边；抗蚀剂膜周边除去工序，该抗蚀剂膜周边除去工序除去涂敷的抗蚀剂膜(3)的周边部分(3a)，从而使所述遮光膜(2)的周边部分(2b)露出。

公开(公告)号：CN101382729B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200810134032.5

申请日：2008-07-22

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 吉田光一郎 ,  井村和久

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/14

Abstract: 本发明提供一种光掩模的制造方法，具有：利用再现仿真了曝光条件的曝光条件的曝光单元，在形成有规定图案的测试掩模上进行测试曝光，通过摄像单元取得该测试掩模的透过光图案，并根据所取得的透过光图案得到透过光图案数据的工序；和根据透过光图案数据在曝光条件下取得有效透过率的工序；根据该有效透过率对该区域的形状、该区域上所形成的膜的材料或膜厚进行确定。

公开(公告)号：CN101373324B

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200810134031.0

申请日：2008-07-22

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 吉田光一郎 ,  井村和久

IPC: G03F1/00

Abstract: 本发明提供光掩模信息的获取方法、光掩模的品质表示方法、电子器件的制造支援方法、电子器件的制造方法及光掩模制品，用与规定的曝光条件近似的曝光条件对光掩模进行曝光，通过拍摄装置获取该光掩模的透过光图形，并基于获取的透过光图形得到透过光图形数据。

公开(公告)号：CN101458449A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200810186896.1

申请日：2008-09-27

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 佐野道明 ,  井村和久 ,  三井胜

IPC: G03F1/14 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种灰阶掩模坯料，在根据部位选择性地降低对被转写体的曝光光的照射量，在被转写体上的光刻胶上形成包含残膜值不同的部分的期望转写图案的灰阶掩模的制造中使用，在透明基板上依次具有半透光膜和遮光膜，分别在该半透光膜和该遮光膜上实施规定的图案化，从而形成遮光部、透光部和半透光部，作为灰阶掩模。遮光膜在膜厚方向上的组成变化，降低对图案化时采用的绘制光的表面反射率，半透光膜对图案化时采用的绘制光的表面反射率调整为在面内不超过45％。

公开(公告)号：CN101154032A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710154387.6

申请日：2007-09-26

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 井村和久 ,  中西胜彦

IPC: G03F1/14 ,  G03F7/20 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明的课题，在于提供能够在搬运及往光刻机上安装等的处理中，防止遮光膜周边部分的剥离、抑制起因于遮光膜的剥离而产生的微粒的光掩模坯料。在本发明中，通过下列工序制造光掩模坯料：成膜工序，该成膜工序将沿着透光性基板(1)的主表面(1a)的周边的外周部分，作为非形成区域(2a)，在该主表面(1a)上，形成遮光膜(2)；涂敷工序，该涂敷工序向包含形成遮光膜(2)的区域的涂敷抗蚀剂膜(3)，利用抗蚀剂膜(3)覆盖所述遮光膜(2)的周边；抗蚀剂膜周边除去工序，该抗蚀剂膜周边除去工序除去涂敷的抗蚀剂膜(3)的周边部分(3a)，从而使所述遮光膜(2)的周边部分(2b)露出。