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公开(公告)号：CN101441408B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200810173369.7
申请日：2008-11-20
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 佐野道明
Abstract: 本发明提供一种光掩膜及光掩膜的制造方法、以及图案转印方法。本发明的课题在于提供一种灰度掩膜等的光掩膜，可抑制掩膜使用时的处理中引起的图案的静电破坏的发生，即便万一产生静电破坏，也不影响使用于设备形成的掩膜图案。本发明是在透明基板(24)上具有用于在被转印体上形成期望的转印图案的掩膜图案(例如灰度掩膜)的光掩膜，具有从电气孤立的多个掩膜图案(10a、10b、10c)中分别引出的导电性图案(11a和11b、11c和11d、12a和12b、12c和12d)。该导电性图案具有互不接触、且较之所述各掩膜图案间更互相邻近的部分，例如由半透光膜或透光膜形成。
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公开(公告)号：CN101013270B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200710008399.8
申请日：2007-01-29
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 佐野道明
IPC: G03F7/20 , B65D85/30 , B65D81/02 , B65D85/48 , B65D6/02 , B65D77/26 , B65G49/05 , B65G49/07 , H01L21/673 , H01L21/677 , H01L21/027 , H01L21/00
Abstract: 一种用于运输或存储光掩模衬底的光掩模衬底容器单元，其内容纳单个光掩模衬底并包括：矩形平行六面体形状的壳体；以及保持部件，从壳体的侧部看时保持部件以相对于水平轴线的倾斜角为45至80度的倾斜姿势将光掩模衬底保持在壳体内；其中当从外箱的侧面看时，接收开口倾斜形成，接收开口相对于所述倾斜角的倾斜角度在±5度之内，倾斜角用于将光掩模衬底保持在所述壳体内，通过将光掩模衬底以所述倾斜角的倾斜姿势保持在壳体内，相较于适于垂直保持光掩模衬底的箱体，光掩模衬底容器单元的纵横比减小。本发明还提供了一种光掩模衬底运输方法、一种光掩模产品制造方法以及一种光掩模曝光方法。
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公开(公告)号：CN101685254A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200910174246.X
申请日：2009-09-25
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明涉及光掩模制造方法以及光掩模，该光掩模制造方法包括：准备在透明基板上形成有遮光膜的光掩模坯体的工序；对形成在所述遮光膜上的抗蚀剂膜进行构图来形成抗蚀剂图案的工序；将抗蚀剂图案作为掩模对遮光膜进行蚀刻并形成遮光膜图案的工序；以及对形成的遮光膜图案进行缺陷检查，当存在由过剩物引起的黑缺陷时对该缺陷部分进行修正的工序。对缺陷部分进行修正的工序在光掩模上再次形成抗蚀剂膜，在包含缺陷部分的规定区域中进行规定的图案描绘并显影，来形成修正用抗蚀剂图案，并将该抗蚀剂图形作为掩模实施蚀刻，去除缺陷部分的过剩物。
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公开(公告)号：CN101458449A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810186896.1
申请日：2008-09-27
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供一种灰阶掩模坯料，在根据部位选择性地降低对被转写体的曝光光的照射量，在被转写体上的光刻胶上形成包含残膜值不同的部分的期望转写图案的灰阶掩模的制造中使用，在透明基板上依次具有半透光膜和遮光膜，分别在该半透光膜和该遮光膜上实施规定的图案化，从而形成遮光部、透光部和半透光部，作为灰阶掩模。遮光膜在膜厚方向上的组成变化，降低对图案化时采用的绘制光的表面反射率，半透光膜对图案化时采用的绘制光的表面反射率调整为在面内不超过45％。
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公开(公告)号：CN101359168A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810130151.3
申请日：2008-07-30
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明涉及一种灰色调掩模的制造方法以及灰色调掩模、灰色调掩模的检查方法以及图案转印方法，能够定量检查半透光部使用半透光膜的灰色调掩模的制造阶段所能够产生的校准偏差。本发明中，通过在使用至少包含两次描绘工序的构图工序而在形成于透明基板上的膜上形成图案而制造具有遮光部和透光部和半透光部的灰色调掩模，通过第一次描绘工序得到的第一抗蚀剂图案包含第一标志，通过第二次描绘工序得到的第二抗蚀剂图案包括第二标志，测量第一抗蚀剂图案的第一标志或相当于该第一标志的膜图案的边缘和第二抗蚀剂图案的第二标志或相当于该第二标志的膜图案的边缘的距离，来检查该距离是否在规定范围内。
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公开(公告)号：CN100432809C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200510084071.5
申请日：2005-07-12
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 佐野道明
IPC: G02F1/136 , H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种灰色调掩模和灰色调掩模的制造方法，作为具有其透光部、遮光部和半透光部在一个方向按照该顺序邻接的图形的灰色调掩模，半透光部的透射率分布良好，与透光部邻接的遮光部的图形剖面形状良好，透光部的图形精度良好。它是具有由遮光部、透光部和半透光部构成的图形的灰色调掩模(10)，所述图形具有其透光部、遮光部和半透光部在一个方向按照该顺序邻接的图形，所述遮光部由形成遮光部的遮光膜(13a)和该遮光膜(13a)上的除与所述透光部的邻接部中的遮光部一侧的所希望的裕量区域以外的区域所形成的半透光膜(12a)层叠而成。
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公开(公告)号：CN101276140A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810086584.3
申请日：2008-03-20
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 佐野道明
Abstract: 提供一种灰阶掩模(20)的缺陷修正方法，灰阶掩模(20)具备遮光部(21)、透光部(22)、以及将曝光光的透过量降低规定量的半透光部(23)，在被转印体上形成膜厚阶段性或连续性不同的抗蚀图案，其中，半透光部(23)由半透光膜(26)形成，具有在半透光部(23)确定缺陷区域的工序；以及在包含缺陷区域的区域形成修正膜(27)的工序。修正膜(27)在相比于其中心部更靠周缘侧的部分，具有曝光光的透过量大于中心部的区域。
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公开(公告)号：CN101025566A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710084135.0
申请日：2007-02-16
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 一种灰度掩模，具有遮光部分、光透射部分和灰度部分。其制造方法包括：准备掩模坯料，其中在光透射的衬底上形成含有金属与硅的薄膜和基于无机物的蚀刻掩模层，其中每一个都具有对另一个的蚀刻的抗蚀性；在所述基于无机物的蚀刻掩模层上形成第一抗蚀图案；使用第一抗蚀图案作为掩模并使用蚀刻溶液蚀刻所述蚀刻掩模层；将余下的第一抗蚀图案剥除的步骤；以蚀刻掩模层作为掩模并使用蚀刻溶液来蚀刻所述薄膜。在剥除第一抗蚀图案的情况下蚀刻所述薄膜。在蚀刻掩模层和光透射衬底上形成第二抗蚀图案，使用第二抗蚀图案作为掩模来蚀刻所述蚀刻掩模层，将第二抗蚀图案剥除。由此，所述灰度部分通过所述薄膜而形成，遮光部分通过蚀刻掩模层和薄膜形成。
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公开(公告)号：CN1821867A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610008320.7
申请日：2006-02-17
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 佐野道明
Abstract: 在形成了具有遮光部、透光部以及半透光部的装置图形；以及用于位置对齐的标记图形的灰调掩模的制造方法中，具有：准备在透明基板上至少形成了遮光膜的掩模版的步骤；遮光部图形形成步骤，其中包括下述步骤：形成第1抗蚀图形，将该第1抗蚀图形作为掩模，蚀刻遮光膜；在形成了遮光部图形的透明基板上形成半透光膜的步骤；以及半透光部图形形成步骤，其中包括下述步骤：形成第2抗蚀图形，将该第2抗蚀图形作为掩模，蚀刻半透光膜，在遮光部图形形成步骤中，在形成遮光部图形的同时，形成具有遮光部和透光部的所期望的标记图形，在半透光部图形形成步骤中的第2描绘图形的描绘之前，具有使得在上述标记图形中的透光部不存在半透光膜的步骤。
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